1.一种层状结构(10)，包括：
2.如权利要求1所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)位于所述基板(12)和所述一个或多个器件层(14)之间。
3.如权利要求1或权利要求2所述的层状结构(10)，其中所述基板(12)包括ge、sige、sigesn、si上ge、si上sige或si上sigesn，并且其中所述第一变形是在其他层生长的所述基板(12)的表面处测量的。
4.如任何前述权利要求中所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)包括包含ingap、alinp、ingaas、gaassb、gaas、algaas、gaasp、algaasp、algaassb的组中的任一个。
5.如任何前述权利要求中所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)包括单层。
6.如权利要求1至5中任一项所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)包括多个层；并且其中所述变形控制层(16)在所述层状结构(10)内的离散位置处生长。
7.如权利要求6所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)中的一个或多个位于器件层(14)之间。
8.如任何前述权利要求中所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)或每个变形控制层(16)包括渐变的组成，所述渐变的组成在其靠近所述基板(12)的表面处具有第一组成，并且在其远离所述基板(12)的表面处具有第二组成。
9.如任何前述权利要求中所述的层状结构(10)，其中所述目标变形水平是非零的。
10.如任何前述权利要求中所述的层状结构(10)，其中所述目标变形水平是一个范围。
11.如任何前述权利要求中所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)的晶格参数大于所述基板(12)的晶格参数，导致净压缩变形。
12.如任何前述权利要求中所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)的晶格参数小于所述基板(12)的晶格参数，导致净拉伸变形。
13.如任何前述权利要求中所述的层状结构(10)，其中所述器件层(14)包括具有相反作用的变形的多个子层，所述相反作用的变形总计为第二变形。
14.一种制作层状结构(10)的方法，包括以下步骤：
15.一种制作层状结构(10)的方法，包括以下步骤：