技术特征：
1.一种半导体装置，具有：第一氧化物半导体层；所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；所述第二氧化物半导体层上的一对第一导电层；分别配置于所述一对第一导电层上的一对第一阻挡层；所述一对第一阻挡层上以及所述第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；所述第三氧化物半导体层上的第一绝缘层；所述第一绝缘层上的栅电极；具有过剩氧区域的第二绝缘层，该第二绝缘层具有与所述第一氧化物半导体层的侧面、所述第二氧化物半导体层的侧面、所述一对第一导电层的侧面、所述一对第一阻挡层的侧面以及所述第三氧化物半导体层的侧面相接的区域，并且配置于所述一对第一阻挡层上以及所述栅电极上；所述第二绝缘层上的第二阻挡层；所述第二阻挡层上的第三绝缘层；第三阻挡层，被配置成面向所述第一阻挡层、所述第二绝缘层、所述第二阻挡层以及所述第三绝缘层具有的开口的侧壁；以及第二导电层，被配置成隔着所述第三阻挡层面向所述开口的侧壁，并且与所述一对第一导电层的任一个电连接，所述第一阻挡层包括氧化铝、氧化铪或者氧化镓，所述第二阻挡层包括氧化铝或者氧化铪，所述第三阻挡层包括氧化铝、氧化铪或者氧化镓。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二氧化物半导体层具有沟道形成区域。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述第三氧化物半导体层具有与所述第一阻挡层的顶面相接的区域。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述第三氧化物半导体层具有与所述第二氧化物半导体层相接的区域。5.一种半导体装置，具有：氧化物半导体层；所述氧化物半导体层上的第一导电层；所述第一导电层上的第一阻挡层；具有过剩氧区域的第一绝缘层，该第一绝缘层具有与所述氧化物半导体层的侧面、所述第一导电层的侧面、所述第一阻挡层的侧面相接的区域，并且配置于所述第一阻挡层上；所述第一绝缘层上的第二阻挡层；第三阻挡层，被配置成面向所述第一阻挡层、所述第一绝缘层以及所述第二阻挡层具有的开口的侧壁；以及第二导电层，被配置成隔着所述第三阻挡层面向所述开口的侧壁，并且与所述第一导电层电连接，所述第一阻挡层包括氧化铝、氧化铪或者氧化镓，
所述第二阻挡层包括氧化铝或者氧化铪，所述第三阻挡层包括氧化铝、氧化铪或者氧化镓。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层具有沟道形成区域。7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其中，还具有所述第二阻挡层上的第二绝缘层；所述第三阻挡层被配置成面向所述第二绝缘层具有的开口的侧壁。
技术总结
提供一种稳定的电特性的半导体装置。或者，提供一种适合于微细化或高密度化的可靠性高的半导体装置。该半导体装置，包括：第一阻挡层；第二阻挡层；第三阻挡层；具有氧化物的晶体管；绝缘体；以及导电体。绝缘体包括过剩氧区域。绝缘体及氧化物位于第一阻挡层与第二阻挡层之间。导电体隔着第三阻挡层位于第一阻挡层的开口、第二阻挡层的开口、绝缘体的开口中。绝缘体的开口中。绝缘体的开口中。
技术研发人员：山根靖正 仓田求 方堂凉太 石山贵久
受保护的技术使用者：株式会社半导体能源研究所
技术研发日：2017.07.13
技术公布日：2023/3/14