技术特征：
1.一种基于qfn外形的gan半导体封装框架，其特征在于：包括框架本体，其内置有基料，基料被分隔为多个芯片搭载模块，每个芯片搭载模块包括基岛和置于基岛一侧的栅极管脚和漏极管脚，且所述基岛、栅极管脚和漏极管脚之间留有间隙，每相邻的两个芯片搭载框架之间设有连接条，所述栅极管脚和漏极管脚分别通过自身外侧的第二连接头与连接条连接形成一整体，所述基岛两侧分别通过自身两侧的第一连接头与连接条连接成为一整体。2.根据权利要求1所述的一种基于qfn外形的gan半导体封装框架，其特征在于：每两个第一连接头之间形成锁胶槽口。3.根据权利要求1所述的一种基于qfn外形的gan半导体封装框架，其特征在于：漏极管脚靠近基岛一端向栅极管脚方向延伸出加强连接脚。4.根据权利要求1所述的一种基于qfn外形的gan半导体封装框架，其特征在于：栅极管脚靠近基岛一端向漏极管脚方向延伸出加强连接脚。5.根据权利要求1所述的一种基于qfn外形的gan半导体封装框架，其特征在于：连接条与第一连接头和/或第二连接头相对应的位置开有破损孔。6.根据权利要求1所述的一种基于qfn外形的gan半导体封装框架，其特征在于：栅极管脚和漏极管脚包括电连接部和暴露部，所述电连接部表面通过半蚀刻处理，且所述电连接部的宽度大于暴露部的宽度。7.根据权利要求1所述的一种基于qfn外形的gan半导体封装框架，其特征在于：基岛边缘设有匚形的半蚀刻区域。8.根据权利要求1所述的一种基于qfn外形的gan半导体封装框架，其特征在于：第一连接头和第二连接头通过半蚀刻处理。9.根据权利要求1所述的一种基于qfn外形的gan半导体封装框架，其特征在于：基岛进行匚形半蚀刻区域的表面与栅极管脚和漏极管脚的暴露部上设有银电镀层。
技术总结
本实用新型提供了一种基于QFN外形的GaN半导体封装框架，包括框架本体，其内置有基料，基料被分隔为多个芯片搭载模块，每个芯片搭载模块包括基岛和置于基岛一侧的栅极管脚和漏极管脚，且所述基岛、栅极管脚和漏极管脚之间留有间隙，每相邻的两个芯片搭载框架之间设有连接条，所述栅极管脚和漏极管脚分别通过自身外侧的第二连接头与连接条连接形成一整体，所述基岛两侧分别通过自身两侧的第一连接头与连接条连接成为一整体。本实用新型采用连接条将加工后的基料形成的基岛和管脚连接形成一整体，防止芯片搭载模块散落，以便于mosfet与基岛和管脚之间实现电连接以及利用环氧树脂进行封装。进行封装。进行封装。
技术研发人员：姜旭波 杨晓俊 尹飞
受保护的技术使用者：中科华艺（天津）科技有限公司
技术研发日：2022.08.09
技术公布日：2022/11/15