一种能降低吸光效应的背接触异质结太阳能电池的制作方法

本技术涉及一种能降低吸光效应的背接触异质结太阳能电池。

背景技术：

1、提高太阳能电池片工业化生产的转换效率是太阳能行业发展并逐步取代传统能源的未来趋势。背接触异质结太阳能电池的正面一般用非晶硅层和氮化硅层来分别作为钝化层和减反射层，然而非晶硅层和氮化硅层存在一定的吸光效应，影响短路电流的提升，同时非晶硅层在户外长期工作的过程中，会存在pid(电势诱导衰减)或lid(光致诱导衰减)的现象。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种能降低吸光效应的背接触异质结太阳能电池，优化了正面的膜层结构，可以有效地降低正面膜层的吸光效应。

2、本实用新型的目的通过如下技术方案实现：

3、一种能降低吸光效应的背接触异质结太阳能电池，它包括硅片、设于硅片正面的正面钝化膜层以及设于正面钝化膜层上的正面减反射膜层；所述正面减反射膜层由两层以上折射率由里及表逐渐减小的膜层构成。

4、较之现有技术而言，本实用新型的优点在于：

5、(1)正面减反射膜层的折射率由里及表逐渐减小，有效地降低电池正面的吸光效应，增加电池的短路电流。

6、(2)正面钝化膜层和正面减反射膜层的折射率由里及表逐渐减小，进一步降低电池正面的吸光效应。

7、(3)正面钝化膜层包含微晶硅层，可以降低pid或lid的下降幅度。

技术特征：

1.一种能降低吸光效应的背接触异质结太阳能电池，其特征在于：它包括硅片、设于硅片正面的正面钝化膜层以及设于正面钝化膜层上的正面减反射膜层；所述正面减反射膜层由两层以上折射率由里及表逐渐减小的膜层构成。

2.根据权利要求1所述的能降低吸光效应的背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述正面减反射膜层的折射率在1.6-2.3之间。

3.根据权利要求2所述的能降低吸光效应的背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述正面减反射膜层由两层以上氮化硅层组成，或者由一层以上氮化硅层与一层以上氧化硅层进行任意层叠形成。

4.根据权利要求3所述的能降低吸光效应的背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述正面减反射膜层由四层氮化硅层组成，由里及表的氮化硅层的折射率依次为2.2-2.3、2.0-2.1、1.8-1.9、1.6-1.7。

5.根据权利要求1所述的能降低吸光效应的背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述正面减反射膜层上设有增透减反耐磨层。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的能降低吸光效应的背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述正面钝化膜层和正面减反射膜层的折射率由里及表逐渐减小。

7.根据权利要求6所述的能降低吸光效应的背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述正面钝化膜层由两层以上折射率由里及表逐渐减小的膜层构成。

8.根据权利要求6所述的能降低吸光效应的背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述正面钝化膜层的折射率在2.4-3.2之间。

9.根据权利要求6所述的能降低吸光效应的背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述正面钝化膜层由两层以上非晶硅层或微晶硅层组成，或者由一层以上非晶硅层与一层以上微晶硅层进行任意层叠形成。

10.根据权利要求9所述的能降低吸光效应的背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述正面钝化膜层由里及表包括低掺氧微晶硅层和高掺氧微晶硅层；所述低掺氧微晶硅层的折射率为2.8-3.2，所述高掺氧微晶硅层的折射率为2.4-2.7。

技术总结
本技术涉及一种能降低吸光效应的背接触异质结太阳能电池，它包括硅片、设于硅片正面的正面钝化膜层以及设于正面钝化膜层上的正面减反射膜层；所述正面减反射膜层由两层以上折射率由里及表逐渐减小的膜层构成。本技术的目的在于提供一种能降低吸光效应的背接触异质结太阳能电池，优化了正面的膜层结构，可以有效地降低正面膜层的吸光效应。

技术研发人员：林锦山,谢志刚,廖培灿,黄晓狄,黄天福,张超华
受保护的技术使用者：福建金石能源有限公司
技术研发日：20221129
技术公布日：2024/1/12