1.一种半导体激光器，包括：
2.如权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述第一κ值至少为80/cm。
3.如权利要求2所述的半导体激光器，其中，所述第一κ值至少为100/cm。
4.如权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述第一κ值在80/cm至300/cm的范围内，并且所述第二κ值在10/cm至50/cm的范围内。
5.如权利要求4所述的半导体激光器，其中，所述第二κ值在20/cm至50/cm的范围内。
6.如权利要求4所述的半导体激光器，其中，所述第二κ值在20/cm至40/cm的范围内。
7.如权利要求4所述的半导体激光器，其中，所述第二κ值在10/cm至40/cm的范围内。
8.如权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述第一κ值至少为80/cm，并且所述第二κ值在10/cm至50/cm的范围内。
9.如权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述第一κ值与所述第二κ值的比值为1.5至20。
10.如权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述第一κ值与所述第二κ值的比值为1.6至20。
11.如权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述第一κ值与所述第二κ值的比值为2至20。
12.如权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述第一衍射光栅是均匀光栅。
13.如权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述至少一个附加衍射光栅包括四分之一波长移位(qws)光栅。
14.如权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述至少一个附加衍射光栅包括啁啾光栅。
15.如权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述至少一个附加衍射光栅包括不对称波纹间距调制(acpm)光栅系统。
16.如权利要求15所述的半导体激光器，其中，所述不对称波纹间距调制(acpm)光栅系统包括纵向靠近所述第一光栅定位的后均匀光栅、靠近所述前刻面端纵向地定位的前均匀光栅、以及纵向地定位在所述后均匀光栅与前均匀光栅之间的至少第三光栅，所述后均匀光栅、所述第三光栅和所述前均匀光栅是邻接的。
17.如权利要求16所述的半导体激光器，其中，所述第一光栅具有第一间距，所述后均匀光栅具有第二间距，所述第三光栅具有第三间距，并且所述前均匀光栅具有第四间距，所述第三间距不同于所述第一间距、所述第二间距和所述第四间距。
18.如权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述至少一个附加衍射光栅包括非邻接不对称波纹间距调制光栅系统。
19.如权利要求18所述的半导体激光器，其中，所述非邻接不对称波纹间距调制光栅系统包括靠近所述第一衍射光栅纵向地定位的后均匀光栅、靠近所述前刻面端纵向地定位的前均匀光栅、以及纵向地定位在所述后均匀光栅与所述前均匀光栅之间的至少第三光栅，所述后均匀光栅和所述前均匀光栅中的至少一者相对于所述第三光栅由一区域纵向地分开。
20.如权利要求19所述的半导体激光器，其中，所述第一光栅具有第一间距，所述后均匀光栅具有第二间距，所述第三光栅具有第三间距，并且所述前均匀光栅具有第四间距，所述第三间距不同于所述第一间距、所述第二间距和所述第四间距。
21.如权利要求18所述的半导体激光器，其中，所述非邻接不对称波纹间距调制光栅系统包括靠近所述第一衍射光栅纵向地定位的后均匀光栅、靠近所述前刻面端纵向地定位的前均匀光栅、以及纵向地定位在所述后均匀光栅与所述前均匀光栅之间的至少第三光栅，所述后均匀光栅和所述第三光栅由第一区域纵向地分开，并且所述前均匀光栅和所述第三光栅由第二区域纵向地分开。
22.如权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述至少一个附加衍射光栅在所述第一光栅与所述前刻面端之间提供连续可变的间距。
23.如权利要求1所述的半导体激光器，进一步包括设置在所述有源区的所述前刻面端上的反射率小于5％的第一反射涂层和设置在所述有源区的所述后刻面端上的反射率小于5％的第二反射涂层。
24.一种半导体激光器阵列，包括：