发光装置以及使用该发光装置的电子设备的制作方法

本发明涉及发光装置以及使用该发光装置的电子设备。

背景技术：

1、一直以来，已知有将固体发光元件和荧光体组合而成，发出包含近红外的光成分的输出光的发光装置(参照专利文献1)。

2、专利文献1公开了作为卤素灯等的替代而利用的产业设备用的发光元件。具体而言，该发光元件具备：led元件，发出在380～500nm具有单一的峰值波长的激发光；荧光体，射入激发光而发出比激发光长的波长的荧光；以及光取出面，射出由激发光和荧光重合而成的射出光。另外，射出光表示至少在激发光的峰值波长以上且1050nm以下的范围内的发光，并且，至少在从激发光的峰值波长到1050nm的范围内，全部显示1050nm时的发光强度以上的发光强度。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2019-204831号公报

技术实现思路

1、然而，将固体发光元件和荧光体组合而成，同时放出近红外和可见的光成分的以往的发光装置，出于替代卤素灯装置的目的而正在进行开发。因此，输出光的分光分布的宽度宽，例如在从波长420nm附近到1000nm附近的宽范围内输出光的光能被分散。

2、在此，检查等所需的波长成分根据检查对象和目的而异，最小限度所需的波长被限定。尽管如此，由于以往的发光装置的输出光具有宽频带性的分光分布，因此存在不需要的波长成分较多、输出光的光成分不能有效被利用的问题。另外，该输出光由于所需波长的光强度变小，因此发光装置的小型高输出化以及高效率化很困难。

3、本发明是鉴于这样的现有技术所存在的课题而完成的。另外，本发明的目的在于，提供有利于特定波长的可见光成分以及近红外光成分的高输出化的发光装置、以及使用该发光装置的电子设备。

4、为了解决上述课题，本发明的第一方式所涉及的发光装置是一种具备固体发光元件和荧光体，放出输出光的发光装置。输出光的分光分布具有源自荧光体所放出的荧光的第一光成分以及第二光成分，并且在第一光成分和第二光成分之间具有第一极小值。第一光成分是在560nm以上且低于700nm的波长范围内具有强度最大值的荧光成分。第二光成分是在700nm以上且低于2500nm的波长范围内具有强度最大值的荧光成分。第二光成分的强度最大值大于第一光成分的强度最大值。第一极小值低于第二光成分的强度最大值的50％。

5、本发明的第二方式所涉及的电子设备具备上述的发光装置。

技术特征：

1.一种发光装置，其是具备固体发光元件和荧光体、且放出输出光的发光装置，

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第二光成分的分光分布在以直方图表示每10nm波长的分光强度时成为单峰型。

3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，在所述第二光成分中，取得强度最大值的50％的强度的长波长侧的波长与短波长侧的波长之间的波长差为50nm以上且低于200nm。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置，其中，所述第一光成分的分光分布在以直方图表示每10nm波长的分光强度时成为单峰型。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光装置，其中，在所述第一光成分中，取得强度最大值的60％的强度的长波长侧的波长与短波长侧的波长之间的波长差为50nm以上且低于200nm。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置，其中，所述输出光的分光分布进一步具有源自所述固体发光元件所放出的光的第三光成分。

7.根据权利要求6所述的发光装置，其中，所述第三光成分在350nm以上且低于660nm的波长范围内具有强度最大值。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光装置，其中，所述第一光成分在570nm以上且低于650nm的波长范围内具有强度最大值。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的发光装置，其中，所述第一光成分源自由ce3+或eu2+活化的荧光体所放出的荧光。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的发光装置，其中，所述第二光成分源自由cr3+活化的荧光体所放出的荧光。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的发光装置，其中，所述第一光成分由将所述固体发光元件和所述荧光体组合而成的波长转换型发光元件所放出的光成分的至少一部分构成。

12.一种电子设备，其具备权利要求1至11中任一项所述的发光装置。

技术总结
发光装置(10)具备固体发光元件(3)和荧光体，放出输出光(4)。输出光的分光分布具有源自荧光体所放出的荧光的第一光成分(5)以及第二光成分(6)，并且在第一光成分和第二光成分之间具有第一极小值(8)。第一光成分是在560nm以上且低于700nm的波长范围内具有强度最大值的荧光成分。第二光成分是在700nm以上且低于2500nm的波长范围内具有强度最大值的荧光成分。第二光成分的强度最大值大于第一光成分的强度最大值。第一极小值低于第二光成分的强度最大值的50％。电子设备具备该发光装置。

技术研发人员：大盐祥三,新田充,鴫谷亮祐
受保护的技术使用者：松下知识产权经营株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15