1.一种用于沟槽栅极半导体器件的基本单元(100)，其特征在于，所述基本单元(100)包括：
2.根据权利要求1所述的基本单元(100)，其特征在于，包括：
3.根据权利要求1或2所述的基本单元(100)，其特征在于，
4.根据上述权利要求中任一项所述的基本单元(100)，其特征在于，
5.根据上述权利要求中任一项所述的基本单元(100)，其特征在于，
6.根据上述权利要求中任一项所述的基本单元(100)，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的基本单元(100)，其特征在于，
8.根据权利要求6或7所述的基本单元(100)，其特征在于，包括：
9.根据上述权利要求中任一项所述的基本单元(100)，其特征在于，
10.根据权利要求6至8中任一项所述的基本单元(100)，其特征在于，
11.根据上述权利要求中任一项所述的基本单元(100)，其特征在于，
12.根据上述权利要求中任一项所述的基本单元(100)，其特征在于，
13.根据权利要求2所述的基本单元(100)，其特征在于，
14.根据上述权利要求中任一项所述的基本单元(100)，其特征在于，
15.根据权利要求1至8中任一项所述的基本单元(100)，其特征在于，
16.根据权利要求6至8中任一项所述的基本单元(100)，其特征在于，
17.根据权利要求8所述的基本单元(100)，其特征在于，
18.根据权利要求8所述的基本单元(100)，其特征在于，
19.根据权利要求18所述的基本单元(100)，其特征在于，
20.根据权利要求8所述的基本单元(100)，其特征在于，
21.根据上述权利要求中任一项所述的基本单元(100)，其特征在于，
22.根据上述权利要求中任一项所述的基本单元(100)，其特征在于，
23.根据上述权利要求中任一项所述的基本单元(100)，其特征在于，
24.一种沟槽栅极半导体器件(600)，其特征在于，包括：
25.根据权利要求24所述的沟槽栅极半导体器件(600)，其特征在于，包括：
26.一种用于制造沟槽栅极半导体器件(100)的基本单元(100)的方法(400a)，其特征在于，所述方法包括：
27.一种用于制造沟槽栅极半导体器件(100)的基本单元(100)的方法(400b)，其特征在于，所述方法包括：
28.根据权利要求26或27所述的方法(400a、400b)，其特征在于
29.根据权利要求26至28中任一项所述的方法(400a、400b)，其特征在于，包括：
30.一种沟槽栅极半导体器件(600)，其特征在于，包括：
31.根据权利要求30所述的沟槽栅极半导体器件(600)，其特征在于，每个基本单元(100)包括：
32.根据权利要求31所述的沟槽栅极半导体器件(600)，其特征在于，