具有两个相反半桥的功率半导体模块的制作方法

技术特征：

1.一种功率半导体模块(10)，包括：

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块(10)，

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块(10)，

4.根据前述权利要求中的任一项所述的功率半导体模块(10)，

5.根据前述权利要求中的任一项所述的功率半导体模块(10)，

6.根据权利要求5所述的功率半导体模块(10)，

7.根据前述权利要求中的任一项所述的功率半导体模块(10)，

8.根据前述权利要求中的任一项所述的功率半导体模块(10)，

9.根据权利要求8所述的功率半导体模块(10)，

10.根据前述权利要求中的任一项所述的功率半导体模块(10)，

11.根据权利要求10所述的功率半导体模块(10)，

12.根据前述权利要求中的任一项所述的功率半导体模块(10)，

13.根据前述权利要求中的任一项所述的功率半导体模块(10)，

14.根据前述权利要求中的任一项所述的功率半导体模块(10)，

15.根据前述权利要求中的任一项所述的功率半导体模块(10)，

技术总结
本发明涉及具有两个相反半桥的功率半导体模块，包括：多层电路板；第一半导体芯片和第二半导体芯片；第三半导体芯片和第四半导体芯片；第一衬底；和第二衬底。第一外传导层将结构设定成第一DC+区域、第一AC区域及第一DC‑区域，第一DC+区域、第一AC区域及第一DC‑区域将第一半导体芯片和第二半导体芯片互连成半桥。第二外传导层将结构设定成第二DC+区域、第二AC区域及第二DC‑区域，第二DC+区域、第二AC区域及第二DC‑区域将第三半导体芯片和第四半导体芯片互连成半桥。第一DC‑区域经由第一衬底和贯穿传导柱与中间传导层的中间DC‑区域连接，且第二DC‑区域经由第二衬底和贯穿传导柱与中间DC‑区域连接。贯穿传导柱在第一衬底和第二衬底之间穿过多层电路延伸。

技术研发人员：柳伟
受保护的技术使用者：采埃孚股份公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15