1.一种金属互连线制备方法，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中基底为刚性基底或柔性基底；所述刚性基底包括锗层、硅层、锗硅层、碳化硅层、铜层、镍层、陶瓷层及玻璃层中的一种或几种；所述柔性基底包括聚乙烯醇、聚酯、聚酰亚胺、聚萘二甲酯乙二醇酯、纸片、纺织材料中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中材料层包括二维材料、有机半导体、钙钛矿中的一种或几种；材料层的形成方法包括物理气相沉积法、化学气相沉积法、外延生长法、氧化还原法、辅助转移法中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中金属层包括铝、铁、铬、钛、钼、钨、镁、锑、碲中的一种或几种；金属层的形成方法包括物理气相沉积法、化学气相沉积法、原子层沉积法中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中刻蚀阻挡层的形成方式包括紫外光刻胶、电子束光刻胶、硬掩膜工艺中的一种或几种；所述紫外光刻胶包括紫外正性光刻胶、紫外负性光刻胶、紫外光刻反转胶中的一种或几种；所述电子束光刻胶包括电子束正性光刻胶和/或电子束负性光刻胶；所述硬掩膜工艺包括金属镍掩膜、金属铬掩膜、氮化钛掩膜、氮化硅掩膜、二氧化硅掩膜中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中干法刻蚀工艺包括离子束刻蚀、反应离子刻蚀、感应耦合等离子刻蚀中的一种或几种；所述离子束刻蚀的气体源为氦气he、氩气ar中的一种或两种；薄金属层厚度为10-20nm。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中钝化工艺包括自然氧化工艺、阳极氧化工艺、化学钝化工艺中的一种或几种；钝化层包括氧化铝、氧化锑、氧化碲中的一种或几种。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中湿法刻蚀工艺采用四甲基氢氧化铵tmah作为蚀刻液，硅酸h2sio3为缓蚀剂，溶液ph值小于等于12.5。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(6)中去除所述刻蚀阻挡层采用有机溶剂、无机溶剂、超声清洗中的一种或几钟。