阵列基板及其制造方法、显示面板与流程

本申请涉及显示，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板。

背景技术：

1、铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，igzo)是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，其具有高迁移率，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍。铟镓锌氧化物作为有源层可以大大地提高薄膜晶体管对像素电极的充放电速率，其制造的薄膜晶体管具有高开态电流以及低关态电流，可以迅速开关，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快地响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在液晶显示器中成为可能。另外，铟镓锌氧化物的使用可以减小晶体管的数量，由于晶体管的数量减少会提高每个像素的透光率，铟镓锌氧化物显示器具有更高的能效水平，而且效率更高。

2、然而，目前，制造铟镓锌氧化物显示器需要的光罩数目较多，导致铟镓锌氧化物显示器的制造成本较高。

3、因此，如何减少制造铟镓锌氧化物显示器所需的光罩数目，以降低铟镓锌氧化物显示器的制造成本是需要解决的技术问题。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板，以减少制造阵列基板所需的光罩的数目，进而减少制造显示面板所需的光罩的数目。

2、为实现上述目的，技术方案如下：

3、第一方面，本申请提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：

4、基板；

5、第一金属层，设置于所述基板上，且包括栅极；

6、第一绝缘层，覆盖所述第一金属层和所述基板；

7、有源层，设置于所述第一绝缘层远离所述基板的表面上，并与所述栅极重叠；

8、第一电极，设置于所述第一绝缘层远离所述基板的表面上，且与所述有源层间隔设置；

9、第二金属层，所述第二金属层的至少部分位于所述有源层远离所述基板的一侧，且包括间隔设置的第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极与所述有源层连接，所述第二金属电极连接所述有源层和所述第一电极；

10、第二绝缘层，覆盖所述第二金属层、所述第一电极和所述有源层；以及

11、第二电极，设置于所述第二绝缘层远离所述基板的表面上。

12、在一些实施例的阵列基板中，所述第一电极包括结晶相。

13、在一些实施例的阵列基板中，所述第一电极的材料与所述有源层的材料不同。

14、在一些实施例的阵列基板中，所述有源层的材料包括金属氧化物、多晶硅以及非晶硅中的至少一种，所述第一电极和所述第二电极的材料包括氧化铟锡或氧化铟锌中的至少一种。

15、第二方面，本申请提供一种显示面板，所述显示面板包括：

16、上述任意一实施例的阵列基板；以及

17、对置基板，与所述阵列基板相对设置。

18、第三方面，本申请提供一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：

19、于基板上形成第一金属层，所述第一金属层包括栅极；

20、形成覆盖所述第一金属层和所述基板的第一绝缘层；

21、于所述第一绝缘层远离所述基板的表面上形成第一电极；

22、于所述第一绝缘层远离所述基板的表面上形成有源层，所述有源层与所述栅极重叠；

23、形成第二金属层，所述第二金属层包括间隔设置的第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极位于所述有源层远离所述基板的表面上，所述第二金属电极连接所述有源层和所述第一电极；

24、形成覆盖所述第二金属层、所述第一电极和所述有源层的第二绝缘层；以及

25、于所述第二绝缘层远离所述基板的表面上形成第二电极。

26、在一些实施例的阵列基板的制造方法中，在于所述第一绝缘层远离所述基板的表面上形成第一电极之后，再于所述第一绝缘层远离所述基板的表面上形成有源层。

27、在一些实施例的阵列基板的制造方法中，所述于所述第一绝缘层远离所述基板的表面上形成第一电极包括：

28、于所述第一绝缘层远离所述基板的表面上形成第一初始电极；

29、对所述第一初始电极进行晶化处理，以得到所述第一电极。

30、在一些实施例的阵列基板的制造方法中，所述对所述第一初始电极进行晶化处理包括：

31、使所述第一初始电极在温度为200℃至250℃的条件下退火。

32、在一些实施例的阵列基板的制造方法中，所述有源层的材料包括金属氧化物、多晶硅以及非晶硅中的至少一种，所述第一电极的材料包括氧化铟锡或氧化铟锌中的至少一种。

33、上述技术方案的有益效果如下：

34、由于有源层设置于第一绝缘层远离基板的表面上，第一电极设置于第一绝缘层远离基板的表面上且与有源层间隔设置，第二金属电极连接有源层和第一电极，使得不需要过孔就可以连接第一电极与有源层，进而减少制备过孔所需要的光罩，进而减少制造阵列基板所需的光罩的数目。

技术特征：

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极包括结晶相。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极的材料与所述有源层的材料不同。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的材料包括金属氧化物、多晶硅以及非晶硅中的至少一种，所述第一电极和所述第二电极的材料包括氧化铟锡或氧化铟锌中的至少一种。

5.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

6.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

7.根据权利要求6所述阵列基板的制造方法，其特征在于，在于所述第一绝缘层远离所述基板的表面上形成第一电极之后，再于所述第一绝缘层远离所述基板的表面上形成有源层。

8.根据权利要求7所述阵列基板的制造方法，其特征在于，所述于所述第一绝缘层远离所述基板的表面上形成第一电极包括：

9.根据权利要求8所述阵列基板的制造方法，其特征在于，所述对所述第一初始电极进行晶化处理包括：

10.根据权利要求6所述阵列基板的制造方法，其特征在于，所述有源层的材料包括金属氧化物、多晶硅以及非晶硅中的至少一种，所述第一电极的材料包括氧化铟锡或氧化铟锌中的至少一种。

技术总结
本申请提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板。阵列基板包括：基板；第一金属层，设置于基板上，且包括栅极；第一绝缘层，覆盖第一金属层和基板；有源层，设置于第一绝缘层远离基板的表面上，并与栅极重叠；第一电极，设置于第一绝缘层远离基板的表面上，且与有源层间隔设置；第二金属层，第二金属层的至少部分位于有源层远离基板的一侧，且包括间隔设置的第一金属电极和第二金属电极，第一金属电极与有源层连接，第二金属电极连接有源层和第一电极；第二绝缘层，覆盖第二金属层、第一电极和有源层；以及第二电极，设置于第二绝缘层远离基板的表面上。

技术研发人员：舒鹏,高鹏,方锐,戴健男
受保护的技术使用者：广州华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1