1.一种形成掺杂硅锗层的方法，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括使用第一镓前体和第二镓前体来产生所述异质镓前体，
3.根据权利要求2所述的方法，其中，产生所述异质镓前体包括将至少一个直链烷基从所述第一镓前体移动到所述第二镓前体。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其中，产生所述异质镓前体包括将至少一个叔烷基从所述第二镓前体移动到所述第一镓前体。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其中，所述异质镓前体在所述衬底上方的气体中产生。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，包括使所述第一镓前体和第二镓前体以约1:3至约3:1的化学计量比流过所述衬底。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述异质镓前体包括gar12r2和gar1r22中的至少一种，其中，r1是所述直链烷基，并且其中，r2是所述叔烷基。
8.根据权利要求7所述的方法，其中混合物包含比例为约1:3至约3:1的gar12r2和gar1r22。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，所述直链烷基是乙基、正丙基、正丁基或正戊基。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，所述叔烷基是叔乙基、叔丙基、叔丁基或叔戊基。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，所述直链烷基是乙基，所述叔烷基是叔丁基。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，所述硼前体包括乙硼烷(b2h6)、氘-乙硼烷(b2d6)或一种或多种硼氢化物。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其中，所述硅前体包括硅烷(sih4)、乙硅烷(si2h6)、丙硅烷(si3h8)、四硅烷(si4h10)、五硅烷(si5h12)、甲基硅烷(ch3-sih3)、二氯硅烷(h2sicl2)或二碘硅烷(h2sii2)。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中，所述锗前体包括锗烷(geh4)、二锗烷(ge2h6)、三锗烷(ge3h8)或锗基硅烷(geh6si)。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其中，所述衬底在约150℃至约450℃的温度下暴露于所述硅前体、锗前体、硼前体和异质镓前体。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的方法，其中，所述硅锗层包括表面分离镓，所述方法还包括去除所述表面分离镓。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述去除包括湿化学蚀刻。
18.根据权利要求1至17中任一项所述的方法，其中，所述硅锗层具有约8nm至约12nm的厚度。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述硅锗层在20nm深度处具有至少约4.1×1020原子/cm3的硼浓度。
20.一种用于形成掺杂硅锗层的系统，该系统包括：