1.一种2004nm pin光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤一中，n型inp缓冲层的厚度为0.5～2μm，掺杂浓度为1×1017/cm3～2×1018/cm3。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤一中，在步骤一中，n型ingaas抛物线异变缓冲层中in组分从53％开始，自下而上按照开口向下的抛物线函数增加至70％-85％，所述n型ingaas抛物线异变缓冲层的厚度为1～5μm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤一中，n型ingaas组分回退层中in组分小于n型ingaas抛物线异变缓冲层最上方in组分，其差值为1％～10％，n型ingaas组分回退层的厚度为1～5μm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤一中，非故意掺杂型ingaas吸收层与n型ingaas组分回退层的晶格常数相同，非故意掺杂型ingaas吸收层中in组分大于等于70％，其室温荧光(pl)波长大于等于2100nm，其室温截止波长大于2004nm，在-40℃下对于2004nm光线的响应度不低于0.5a/w。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤二中，所述sin薄膜的厚度为100～500nm。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤三中，zn扩散窗口为圆形或者方形，其直径或边长均为10～5000μm。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤四中，p-型zn扩散区域自上而下依次从非故意掺杂inasp盖层的上表面到非故意掺杂型ingaas吸收层内，其中，在非故意掺杂型ingaas吸收层的深度为0.1～0.5μm。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤五中，sin减反膜对于2004nm波长光线的反射率大于等于70％；
10.如权利要求1～9中任一项所述制备方法获得的2004nm pin光电探测器。