1.一种硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚合物选自聚乙二醇、聚乙烯醇树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂和环氧树脂中的一种或多种；
3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述聚合物和硼酸化合物的质量比为1：0.05~1.2。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤s2的具体操作为：在300~980℃下，向所述一次碳颗粒中通入气态硅源与非活性气体的混合气体，沉积硅20min~5h，得到沉积硅碳基体。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述气态硅源选自甲硅烷、乙硅烷、丙硅烷、二甲基硅烷、六甲基二硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅和四氟化硅中的一种或多种；
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述表面处理剂选自氧化亚硅、硅酸锂、硅酸镁、硅酸铝、碳酸锂、氢氧化锂、氢氧化镁、铝酸锂、氯化锂和草酸锂中的一种或多种；
7.如权利要求1或6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤s3中，沉积硅碳基体、表面处理剂和分散剂的质量比为1：0.001~0.08：0.025~0.8。
8.一种权利要求1-7中任一项所述的制备方法制得的硅碳负极材料，其特征在于，所述硅碳负极材料包括，内部的多孔碳结构以及沉积在所述多孔碳结构表面的硅层，所述硅层的表面微氧化形成原位的硅氧层。
9.一种负极片，包括负极集流体和负极活性物质层，所述负极活性物质层包含负极活性物质，其特征在于，所述负极活性物包括石墨负极材料和权利要求8所述的硅碳负极材料。
10.一种二次用电装置，其特征在于，包括权利要求9所述的负极片。