1.一种芯片封装结构，包括：设置在晶圆层外围的第一导热层、第二导热层、密封层，以及与所述晶圆层电连接的金属引线；
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一上导热层包括第一上主体部分和分设在所述第一上主体部分两侧的两个第一上包裹部分，所述第一上导热层一体成型，所述第一上主体部分的长度与所述晶圆层的长度相等；所述第一上包裹部分的长度l1为0.08-0.12mm；
3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，在所述第一导热层远离所述晶圆层的表面还包括：两个填充层，两个所述填充层分别设置于所述第一上导热层和所述第一下导热层，且所述填充层分别与所述第一导热层和所述第二导热层接触，所述填充层的长度为l2，l0＜l2＜(l0+2*l1)；
4.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括：两个第一插入层，分别设置在所述第一上导热层和所述第一下导热层内；
5.根据权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二导热层包括：与第一上导热层接触的第二上导热层和与第一下导热层接触的第二下导热层；
6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括：两个第二插入层，分别设置在所述第二上导热层和所述第二下导热层内；
7.根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括：四个第二贯通部，其中两个所述第二贯通部分别设置于所述第二上导热层，并且两个所述第二贯通部的一端分别通过所述第二上导热层连接至整个所述芯片封装结构的外表面，两个所述第二贯通部的另一端分别与设置在所述第二上导热层的所述第二插入层贯通连接；
8.一种芯片封装结构，包括：设置在晶圆层外围的第一导热层、第二导热层、密封层，以及与所述晶圆层电连接的金属引线；
9.根据权利要求8所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二导热层包括：与所述第一上导热层接触的第二上导热层和与所述第一下导热层接触的第二下导热层，所述第二上导热层的厚度为t31，所述第二下导热层的厚度为t32，t31＞t32，t32为0.08-0.12mm；
10.根据权利要求1-9中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二导热层为陶瓷材料；