一种太阳能电池及其制备方法与流程

本发明涉及太阳能电池，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法。

背景技术：

1、太阳能电池是利用太阳光直接发电的光电半导体薄片，又称为“太阳能芯片”或“光电池”，它只要被满足一定照度条件的光照度，瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流，太阳能电池以光伏效应工作的晶硅太阳能电池为主流。目前的topcon电池为在硅基底的背面依次制备超薄的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层的高效太阳能电池，其可以为硅片的背面提供良好的界面钝化，使电子隧穿进入掺杂多晶硅层，同时阻挡空穴，降低了金属接触复合电流。但是其隧穿氧化层与硅基底直接接触，造成界面载流子复合较大，影响电池的效率。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种太阳能电池及其制备方法，能够提升电池的效率。

2、为了实现上述目的，一方面本发明提供了一种太阳能电池的制备方法，包括：

3、获取硅片，对所述硅片进行清洗和制绒，形成正面具有绒面结构的硅基底；

4、对所述硅基底的背面进行抛光处理，再导入加强电子形成钝化导电层；

5、对所述钝化导电层加工形成隧穿氧化层，在所述隧穿氧化层表面加工形成第一接触层；

6、印刷形成用于导电的第一电极和第二电极。

7、在一些实施例中，还包括对所述硅基底的正面进行硼扩散掺杂工艺，形成第二接触层。

8、在一些实施例中，所述硼扩散掺杂工艺在管式扩散炉中进行。

9、在一些实施例中，对所述第二接触层的表面加工形成钝化层。

10、在一些实施例中，对所述钝化层的表面加工形成第二减反层。

11、在一些实施例中，在所述第二减反层的表面印刷形成所述第二电极。

12、在一些实施例中，对所述第一接触层的表面加工形成第一减反层。

13、在一些实施例中，在所述第一减反层的表面印刷形成所述第一电极在一些实施例中，所述抛光处理采用化学抛光处理的方式进行。

14、在一些实施例中，所述钝化导电层为tco薄膜、iwo薄膜和izo薄膜中的一种。

15、另一方面本发明提供一种太阳能电池，包括：

16、硅基底；

17、隧穿氧化层，设于所述硅基底的一侧；

18、钝化导电层，设于所述硅基底和所述隧穿氧化层之间，所述钝化导电层两侧分别与所述硅基底和所述隧穿氧化层连接；

19、第一接触层，设于所述隧穿氧化层远离所述钝化导电层的一侧，以及

20、电极组件，包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极用于传导电流；

21、其中，所述钝化导电层的禁带宽度大于等于所述硅基底的禁带宽度；所述硅基底为n型硅基底。

22、本发明提供一种太阳能电池及其制备方法，与现有技术相比，其有益效果在于：

23、通过对所述硅片进行清洗和制绒，形成正面具有绒面结构的硅基底；对所述硅基底的背面进行抛光处理，再导入加强电子形成钝化导电层，钝化导电层能够降低硅基底背面的界面复合，提高填充因子，改善电子穿透能力，使得电子从硅基底流向隧穿氧化层顺畅，从而提升电池的效率。

技术特征：

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括对所述硅基底的正面进行硼扩散掺杂工艺，形成第二接触层。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述硼扩散掺杂工艺在管式扩散炉中进行。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，对所述第二接触层的表面加工形成钝化层。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，对所述钝化层的表面加工形成第二减反层。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述第二减反层的表面印刷形成所述第二电极。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，对所述第一接触层的表面加工形成第一减反层。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述第一减反层的表面印刷形成所述第一电极。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述抛光处理采用化学抛光处理的方式进行。

10.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

技术总结
本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种太阳能电池及其制备方法，包括：获取硅片，对所述硅片进行清洗和制绒，形成正面具有绒面结构的硅基底；对所述硅基底的背面进行抛光处理，再导入加强电子形成钝化导电层；对所述钝化导电层加工形成隧穿氧化层，在所述隧穿氧化层表面加工形成第一接触层；印刷形成用于导电的第一电极和第二电极。本发明的技术方案能够提升电池的效率。

技术研发人员：廖志远,王建文,胡朝冰,熊敏,喻强
受保护的技术使用者：江西沐邦高科股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17