一种碳化硅晶圆化学机械抛光系统及控制方法与流程

技术特征：

1.一种碳化硅晶圆化学机械抛光系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆化学机械抛光系统，其特征在于，所述电化学反应单元还包括：

3.根据权利要求2所述的碳化硅晶圆化学机械抛光系统，其特征在于，所述电极板组(4)包括：

4.根据权利要求2所述的碳化硅晶圆化学机械抛光系统，其特征在于，所述电极板组(4)包括：

5.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆化学机械抛光系统，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求5所述的碳化硅晶圆化学机械抛光系统，其特征在于，所述转运装置包括翻转件(10)，用于对送入所述抛光单元(3)中的待处理晶圆(2)进行翻转。

7.根据权利要求5所述的碳化硅晶圆化学机械抛光系统，其特征在于，还包括：

8.根据权利要求5所述的碳化硅晶圆化学机械抛光系统，其特征在于，还包括：

9.根据权利要求1-8中任一项所述的碳化硅晶圆化学机械抛光系统，其特征在于，所述数据采集单元为电压表、电流表或者分流器和库仑计。

10.一种碳化硅晶圆化学机械抛光系统控制方法，其特征在于：采用权利要求1-9中任一项所述的碳化硅晶圆化学机械抛光系统，包括以下步骤：

技术总结
本发明提供一种碳化硅晶圆化学机械抛光系统及控制方法，属于晶圆化学机械抛光技术领域，抛光系统包括电化学反应单元、抛光单元、数据采集单元和控制单元，所述电化学反应单元包括反应槽，所述反应槽的内部用于放置待处理晶圆和电解液，所述电化学反应单元通电对所述待处理晶圆进行电化学反应；抛光单元用于对电化学反应后的待处理晶圆进行抛光处理；数据采集单元用于采集所述待处理晶圆电化学反应的电荷量；所述控制单元根据所述数据采集单元采集到的数据，对所述抛光单元进行调节，根据电荷量，控制单元控制抛光单元在抛光过程中的工艺参数，使其与电化学反应的程度适配，实现了对晶圆表面反应后的精准抛光，提高了抛光效率。

技术研发人员：张为强,戴豪,李伟,王嘉琪,王磊,吴尚东
受保护的技术使用者：北京晶亦精微科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/17