专利名称：半导体器件的修补测试方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件的修补测试方法。
现有技术的存储器件，例如静态随机存取存储器(Static Random AccessMemory,SRAM)、动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)，往往因为极小的缺陷使整个器件无法正常运作。为避免这种情况发生，一般以激光修补机来扫描晶片内两个L型或T型对准键(Laser Target)，然后找出损坏线路的位置，最后进行修补工作。
由于工艺水准的进步，使得晶片空间缩小，但是如果将对准键缩小或将线路设计在太接近对准键，那么往往使得激光修补机无法正确辨识，造成修补时未能烧至需要修补的线路，使得修补率及晶片的合格率下降。
图1a和1b表示现有技术使用L型对准键的修补测试方法及L型对准键的长宽图形。
首先，请参照图1a，在晶片上找出要修补晶粒10，在晶粒10上具有两个L型对准键(12和14)。接着请参见图1b，其为L型对准键12的放大图。在L型对准键上具有X轴坐标16与Y轴坐标18，其中L型对准键的外侧长宽都为40μm，L型本身字体宽度为5μm。另一个L型对准键14也有相同的结构。由于两个L型对准键上X轴坐标与Y轴坐标已事先设定，所以，激光修补机在进行X轴扫描和Y轴扫描时，只要找出两个L型对准键的位置，激光修补机就可以根据上述坐标数据，由输入损坏电路相对位置，进一步找出损坏电路位置8。然后激光修补机将损坏线路的保险丝烧断，替换为具有相同功能的新线路，使得晶粒能继续正常运作。
使用相同的步骤，将L型对准键以T型对准键代替，可以更充分地利用剩余空间。
图2a～2b表示现有技术使用T型对准键的修补测试方法及T型对准键的长宽图形。
首先，请参照图2a，在晶片上找出一要修补晶粒20，在晶粒20上具有两个T型对准键(22与24为一组，26与28为一组)，接着请参见图2b，其为T型对准键22与24的放大图，T型对准键22与24包括一直立一字型22，具有X轴坐标32；与一横立一字型24，具有Y轴坐标34。直立一字型22长为40μm，宽为5μm。横立一字型24长为5μm，宽为40μm。另一组T型对准键26与28也有相同结构。由于两个T型对准键上X轴坐标与Y轴坐标已事先设定，所以激光修补机在进行X轴扫描和Y轴扫描时，只要找出两个T型对准键的位置，激光修补机就可以根据上述坐标数据，由输入损坏电路相对位置，进一步找出损坏电路位置30，然后激光修补机将损坏线路的保险丝烧断，替换为具有相同功能的线路，使得晶粒继续正常运作。
但是随着技术进步，晶粒的空间逐渐减小，但是激光修补机所要辨识的对准键的大小却无法相对地缩小，否则容易造成误判的情形，但是如果对准键所占的空间过大，那么就会使晶粒内部线路与对准键过近，同样造成误判的情形，使得激光修补机的修补率与晶粒的合格率下降。此外另一个问题是对准键的坐标由产品工程师或设计工程师提供，如果有错误性的偏差数据，也会影响到修补的效果。
因此，本发明的主要目的就是降低对准键所占的空间，将本来一个晶粒使用两对准键改成只使用一个对准键的方法，减少因对准键与晶粒内线路过近，造成激光修补机误判，影响合格率和修补率。
本发明的另一目的在于利用周围的晶粒的对准键做为对称对准键，可以正确地推出其相关坐标，使得激光修补机扫描时，不会产生工程师所给数据的误差，导致修补错误的情形，所以精密度可以大幅度提高。
本发明的再一目的为以T型对准键，不但具有上述两项节省一个对准键空间及利用周边晶粒的对准键以提高精密度的优点，而且能充分利用剩余空间摆置对准键，达到容易配置的好处。
根据本发明的上述目的，提出一种半导体器件的修补测试方法，用于一激光修补机，包括下列步骤首先提供具有多个晶粒的一晶片，且晶粒间以切割道分离，在每一晶粒上都有一L型对准键，其中每一L型对准键在对应的每一晶粒上相同的位置；接着在这些晶粒中，取任一有损坏线路的晶粒的L型对准键，设定为一基本对准键，并对基本对准键外的其它晶粒，取周围最接近任一晶粒的L型对准键，设定为一对称对准键，利用基本对准键与对称对准键个别的X轴坐标与Y轴坐标，以激光修补机扫描出后，再输入损坏线路的一位置，找出损坏线路的位置，将损坏线路的保险丝烧断，替换为一具有相同功能线路的新线路。
也可以将L型对准键以T型对准键代替，来达到上述目的。
为使本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合附图作详细说明。附图中图1a～1b表示现有技术中使用L型对准键的修补测试方法及L型对准键的长宽图形；图2a～2b表示现有技术中使用T型对准键的修补测试方法及T型对准键的长宽图形；图3绘示根据本发明的第一实施例，一种使用L型对准键的半导体器件修补测试方法；以及图4绘示根据本发明的第二实施例，一种使用T型对准键的半导体器件修补测试方法。第一实施例图3绘示根据本发明的第一实施例，一种使用L型对准键的半导体器件的修补测试方法。
首先请参考图3，图中显示由一晶片取相连接的九个由多晶硅构成的晶粒，包括晶粒41至晶粒49。每一晶粒分别具有一由金属构成的L型对准键，包括晶粒41至晶粒49所分别对应的L型对准键51至L型对准键59。每一个L型对准键所在晶粒的相对位置都相同，其中每一L型对准键的外围长宽都为40μm,L型对准键本身宽度为5μm。在L型对准键内部上方纵向与下方横向分别具有一X轴坐标与一Y轴坐标。此外在每一晶粒外围由一切割道50将晶粒隔开。
在晶片上所有的晶粒中，可随易取任一晶粒的L型对准键，设定为一基本对准键。但一般是将具有损坏电路的晶粒，例如图中以有损坏电路晶粒45的L型对准键55设定为基本对准键。接着以此基本对准键外的其他晶粒中，取任一晶粒的L型对准键，设定为一对称对准键，一般是以最接近基本对准键周围的晶粒，例如取右边的晶粒46的L型对准键56，设定为对称对准键。
由于每一个晶粒41至49的长宽以及切割道50大小固定，而且每一个L型对准键位于晶粒上的相对位置又相同，所以只要知道基本对准键的X轴与Y轴的坐标，便可以由此推算出对称对准键的X轴与Y轴的坐标，假如设定基本对准键55的X轴坐标与Y轴坐标分别为(-200,220)与(-180,200)，单位为μm，在晶粒间含切割道的长、宽距离分别为(1000,1500)，而对称对准键56位于第一对准键55右方，所以只要在横向加上1000μm，即可算出对称对准键56的X轴坐标与Y轴坐标分别为(-200+1000=800,220)与(-180+1000=820,200)，若选择其它的晶粒的L型对称键为对称对准键，例如上(晶粒42)、下(晶粒48)、左(晶粒44)、右(晶粒46)，只要以基本对称键的X轴坐标与Y轴坐标，在纵方向或横方向加减晶粒间含切割道的长、宽，就可以找出对称对准键位置的坐标。
接着利用上述基本对准键与该对称对准键的坐标，输入激光修补机内部，以扫描找出它们的位置，使得激光修补机以它们的相对坐标，在损坏线路位置输入下，找出正确修补位置，然后一损坏线路的保险丝烧断，替换为一具有相同功能的更新线路。第二实施例图4绘示了根据本发明的第二实施例，一种使用T型对准键的半导体器件修补测试方法。
图4中显示由一晶片取相连接的九个由多晶硅构成的晶粒，包括晶粒61至晶粒69。每一晶粒分别具有一T型对准键，包括晶粒61至晶粒69所分别对应的T型对准键71～72至T型对准键87～88。每一个T型对准键所在晶粒的相对位置都相同。每一T型对准键由两个一字型构成，一字型的长边为40μm，短边为5μm。在两个一字型中，一个为直立一字型，另一个为横立一字型。直立一字型具有一X轴坐标，横立一字型具有一Y轴坐标。此外在每一晶粒外围有一切割道70，其将晶粒隔开。
在晶片上所有的晶粒中，可随易取任一晶粒的T型对准键，设定为一基本对准键。一般以有损坏电路的晶粒的T型对准键，例如图中以需修补的晶粒65的T型对准键79～80设定为基本对准键，接着以此基本对准键外的其它晶粒中，取任一晶粒的T型对准键，设定为一对称对准键。一般在选择时，都会以最接近基本对准键周围的晶粒，例如取下方的晶粒68的T型对准键85～86，设定为对称对准键。
由于每一个晶粒61至69的长宽以及切割道70的大小固定，每一个L型对准键在晶粒上的相对位置又相同，所以只要知道基本对准键的X轴与Y轴坐标，便可以由此推算出对称对准键的X轴与Y轴坐标，例如设定晶粒65的T型对准键79～80为基本对准键，其X轴坐标与Y轴坐标分别为(-200,220)与(180,-200)，单位为μm，在晶粒间含切割道的长、宽距离分别为(1000,1500)，而对称对准键85～86位于基本对准键79～80右方，所以只要在纵向减少1500μm，即可算出对准键85～86的X轴坐标与Y轴坐标分别为(-200,220-1500=-1280)与(-180,200-1500=-1300)，若选择其他晶粒的T型对准键为对称对准键，例如上(晶粒62)、下(晶粒68)、左(晶粒64)、右(晶粒66)，只要以基本对准键的X轴坐标与Y坐标，在纵方向或横方向加减晶粒间含切割道的长、宽，就可以找出对称对准键位置的坐标。
接着利用上述的基本对准键与该对称对准键的坐标，输入激光修补机内部，以扫描找出它们的位置，使得激光修补机以它们的相对坐标，在损坏线路位置输入下，找出正确修补位置，将一损坏线路的保险丝烧断，替换为一具有相同功能的新线路。
因此，本发明的特征之一就是一个晶粒只使用一个对准键，使得对准键所占空间减少，而不需要缩小对准键的大小或使用两个对准键，避免对准键与线路过近，使激光修补机产生误判，影响修补率和晶粒合格率。
本发明的另一特征在于使用周围任一晶粒的对准键作为对称对准键，由于晶粒及切割道的长宽固定，所以可以推出其正确的相对坐标，使得激光修补机扫描时，不会产生修补错误，所以可以大幅度提高精密度。
本发明的再一特征为使用T型对准键，不但能够节省一个对准键空间，并利用周边晶粒的对准键提高精密度，还能充分运用剩余空间，放置对准键，进一步提高晶粒效用。
虽然已结合两个优选实施例公开了本发明，但其并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，可作出各种更动与润饰，因此本发明的保护范围应当由后附的权利要求来限定。
权利要求
1．一种半导体器件的修补测试方法，用于一激光修补机，包括下列步骤提供具有多个晶粒的一晶片，其中每一所述晶粒上具有一L型对准键，且每一所述L型对准键在对应的每一所述晶粒上相同的位置；在这些晶粒中，取任一晶粒的所述L型对准键，设定为一基本对准键；在所述基本对准键外的晶粒中取任一晶粒的所述L型对准键，设定为一对称对准键；利用所述基本对准键与所述对称对准键，以所述激光修补机扫描，找出一损坏线路；以及将所述损坏线路烧断，替换为一更新线路。
2．如权利要求1所述的方法，其中所述晶粒为一多晶硅。
3．如权利要求2所述的方法，其中所述晶粒的周围以一切割道将每一所述晶粒分离。
4．如权利要求1所述的方法，其中所述L型对准键为一金属。
5．如权利要求4所述的方法，其中所述L型对准键的外围长宽都为40μm，所述L型对准键本身宽度为5μm。
6．如权利要求4所述的方法，其中所述L型对准键内部上方具有一X轴坐标，所述L型对准键内部下方具有一Y轴坐标。
7．如权利要求1所述的方法，其中所述基本对准键的所述晶粒设定在所述损坏线路的晶粒。
8．如权利要求7所述的方法，其中所述对称对准键的所述晶粒使用所述基本对准键周围的晶粒。
9．如权利要求1所述的方法，其中找到所述损坏线路，是利用所述基本对准键与所述对称对准键个别的所述X轴坐标与所述Y轴坐标，以所述激光修补机扫描出后，再利用所述损坏线路的一位置，找出所述损坏线路。
10．如权利要求1所述的方法，其中所述损坏线路与所述更新线路为具有相同功能的线路。
11．如权利要求10所述的方法，其中将所述损坏线路烧断是将一保险丝烧断。
12．一种半导体器件的修补测试方法，用于一激光修补机，包括下列步骤提供具有多个晶粒的一晶片，其中每一所述晶粒上具有一T型对准键，且每一所述T型对准键在对应的每一所述晶粒上相同的位置；在所述晶粒中，取任一晶粒的所述T型对准键，设定为一基本对准键；从所述基本对准键外的所述晶粒中取任一晶粒的所述T型对准键，设定为一对称对准键；利用所述基本对准键与所述对称对准键，以所述激光修补机扫描，找出一损坏线路；以及将所述损坏线路烧断，替换为一更新线路。
13．如权利要求12所述的方法，其中所述晶粒为一多晶硅。
14．如权利要求13所述的方法，其中所述晶粒的周围以一切割道将每一所述晶粒分离。
15．如权利要求12所述的方法，其中所述T型对准键为一金属。
16．如权利要求15所述的方法，其中所述T型对准键为两个一字型，所述一字型的长边为40μm，短边为5μm，两个一字型的一个为一直立一字型，另一个为一横立一字型，且两个一字型不相交重叠。
17．如权利要求16所述的方法，其中所述T型对准键的所述直立一字型具有一X轴坐标，所述横立一字型具有一Y轴坐标。
18．如权利要求12所述的方法，其中所述基本对准键的所述晶粒设定在所述损坏线路的所述晶粒。
19．如权利要求18所述的方法，其中所述对称对准键的所述晶粒使用所述基本对准键周围的所述晶粒。
20．如权利要求12所述的方法，其中找到所述损坏线路，是利用所述基本对准键与所述对称对准键个别的所述X轴坐标与所述Y轴坐标，以所述激光修补机扫描出后，再利用所述损坏线路的一位置，找出所述损坏线路。
21．如权利要求12所述的方法，其中所述损坏线路与所述更新线路为具有相同功能的线路。
22．如权利要求21所述的方法，其中将所述损坏线路烧断是将一保险丝烧断。
全文摘要
一种半导体器件的修补测试方法,在一个晶粒上使用一个对准键,使得对准键所占空间减少,避免因对准键空间过大与线路过近,或因缩小每一对准键大小,造成激光修补机误判的情形。并且利用周围任一晶粒的对准键,由固定的晶粒及切割道的长、宽,推算出相对坐标,有效提高激光修补的精密度,找出损坏线路的正确位置,使得修补率及晶粒的合格率提高。
文档编号H01L21/66GK1223455SQ9712298
公开日1999年7月21日 申请日期1997年11月28日 优先权日1997年11月28日
发明者陈扬 申请人:联华电子股份有限公司