Gis用电容式复合绝缘母线的制作方法

文档序号:8261494阅读:168来源:国知局
Gis用电容式复合绝缘母线的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电缆领域,特别是涉及一种GIS用电容式复合绝缘母线。
【背景技术】
[0002]GIS需要使用到很贵的分支母线和充气套管,成本很高,母线端的外部绝缘性差,稳定性不高,电气性能、机械强度都不高。

【发明内容】

[0003]本发明主要解决的技术问题是提供一种GIS用电容式复合绝缘母线,结构简单,可以取代GIS很贵的分支母线和充气套管,以节省大量的电站投资和运行维护工作量。
[0004]为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种GIS用电容式复合绝缘母线,包括电容式复合绝缘出线母线、电容式复合绝缘进线母线和测量结构,所述测量结构包括进线间隔结构、出线间隔结构和测量保护间隔结构,所述进线间隔结构和出线间隔结构相连接形成间隔结构,所述测量保护间隔结构与间隔结构通过气体母线相连接。
[0005]在本发明一个较佳实施例中,所述气体母线为六氟化硫气体母线。
[0006]在本发明一个较佳实施例中,所述电容式复合绝缘出线母线与出线间隔结构相连接。
[0007]在本发明一个较佳实施例中,所述电容式复合绝缘进线母线与进线间隔结构相连接。
[0008]本发明的有益效果是:本发明一种GIS用电容式复合绝缘母线,结构简单,可以取代GIS很贵的分支母线和充气套管,以节省大量的电站投资和运行维护工作量。
【附图说明】
[0009]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:
图1是本发明的一种Gis用电容式复合绝缘母线一较佳实施例的结构示意图;
附图中各部件的标记如下:1、电容式复合绝缘出线母线,2、进线间隔结构,3、测量保护间隔结构,4、气体母线,5、电容式复合绝缘进线母线,6、出线间隔结构。
【具体实施方式】
[0010]下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
[0011]本发明实施例包括:
一种GIS用电容式复合绝缘母线,包括电容式复合绝缘出线母线1、电容式复合绝缘进线母线5和测量结构,所述测量结构包括进线间隔结构2、出线间隔结构6和测量保护间隔结构3,所述进线间隔结构2和出线间隔结构6相连接形成间隔结构,所述测量保护间隔结构3与间隔结构通过气体母线4相连接。
[0012]另外,所述气体母线4为六氟化硫气体母线。
[0013]另外,所述电容式复合绝缘出线母线I与出线间隔结构6相连接,所述电容式复合绝缘进线母线5与进线间隔结构2相连接。
[0014]本发明一种GIS用电容式复合绝缘母线,结构简单,可以取代GIS很贵的分支母线和充气套管,以节省大量的电站投资和运行维护工作量。
[0015]以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其它相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种GIS用电容式复合绝缘母线,其特征在于,包括:电容式复合绝缘出线母线、电容式复合绝缘进线母线和测量结构,所述测量结构包括进线间隔结构、出线间隔结构和测量保护间隔结构,所述进线间隔结构和出线间隔结构相连接形成间隔结构,所述测量保护间隔结构与间隔结构通过气体母线相连接。
2.根据权利要求1所述的GIS用电容式复合绝缘母线,其特征在于,所述气体母线为六氟化硫气体母线。
3.根据权利要求1所述的GIS用电容式复合绝缘母线,其特征在于,所述电容式复合绝缘出线母线与出线间隔结构相连接。
4.根据权利要求1所述的GIS用电容式复合绝缘母线,其特征在于,所述电容式复合绝缘进线母线与进线间隔结构相连接。
【专利摘要】本发明公开了一种GIS用电容式复合绝缘母线,包括:电容式复合绝缘出线母线、电容式复合绝缘进线母线和测量结构,所述测量结构包括进线间隔结构、出线间隔结构和测量保护间隔结构,所述进线间隔结构和出线间隔结构相连接形成间隔结构,所述测量保护间隔结构与间隔结构通过气体母线相连接。通过上述方式,本发明一种GIS用电容式复合绝缘母线,结构简单,可以取代GIS很贵的分支母线和充气套管,以节省大量的电站投资和运行维护工作量。
【IPC分类】H01B17-56, H01B7-00, H01B7-17
【公开号】CN104575716
【申请号】CN201410718148
【发明人】杜杰
【申请人】常州市拓源电缆成套有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年12月3日
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