有机导电体、有机导电体的制造方法、电子设备、及固体电解电容器的制造方法

文档序号:8269946阅读:181来源:国知局
有机导电体、有机导电体的制造方法、电子设备、及固体电解电容器的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机导电体、所述有机导电体的制造方法、具备所述有机导电体的电 子设备、及具备所述有机导电体的固体电解电容器。
【背景技术】
[0002] 包含导电性高分子和掺杂剂的有机导电体被应用于固体电解电容器等各种电子 设备中。有机导电体的导电率 0通常用0 = e · η · μ式表示。在该式中,e表示元电荷 量(電荷素量),η表示载流子密度,μ表示迀移率。因此,通过提高载流子密度η和迀移 率μ,能够提高有机导电体的导电率σ。为了提高载流子密度η,重要的是增加有机导电 体中掺杂剂的量,为了提高迀移率μ,重要的是提高导电性高分子的取向性。因此,一直以 来,为了提高有机导电体的导电率σ,进行着各种尝试。
[0003] 例如专利文献1中提出如下内容,通过使用包含甲氧基苯磺酸铁盐或乙氧基苯磺 酸铁盐的导电性高分子合成用氧化剂兼掺杂剂,来得到导电性高的导电性高分子。
[0004] 现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1 :日本特开2008 - 121025号公报

【发明内容】

[0007] 发明所要解决的课题
[0008] 但是,一直以来,难以充分提高有机导电体的导电率。例如,在专利文献1所记载 的技术中,导电性高分子的取向性未充分提高,因此导电性高分子的导电率没有充分地提 尚。
[0009] 本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的在于,提供导电性和耐热性高的有机导 电体、所述有机导电体的制造方法、具备所述有机导电体的电子设备、及具备所述有机导电 体的固体电解电容器。
[0010] 用于解决课题的手段
[0011] 本申请的第一发明是含有导电性高分子、醌化合物和氧钒化合物的有机导电体。 [0012] 本申请的第二发明是含有导电性高分子、磺酸化合物和氧钒化合物的有机导电 体。
[0013] 在所述第一发明中,可以使所述醌化合物为具有醌骨架的磺酸化合物。
[0014] 在所述第一发明中,可以使所述具有醌骨架的磺酸化合物含有由下述式(1)表示 的化合物和由下述式(2)表示的化合物中的至少一种。
[0015] [化学式1]
[0016]
【主权项】
1. 一种有机导电体,其含有导电性高分子、醌化合物和氧钒化合物。
2. -种有机导电体,其含有导电性高分子、磺酸化合物和氧钒化合物。
3. 根据权利要求1所述的有机导电体,其中, 所述醌化合物为具有醌骨架的磺酸化合物。
4. 根据权利要求3所述的有机导电体,其中, 所述具有醌骨架的磺酸化合物含有由下述式(1)表示的化合物和由下述式(2)表示的 化合物中的至少一种,
在式⑴中,X+表示阳离子,m表示1?6的整数, 在式⑵中,X+表示阳离子,n表示1?6的整数。
5. -种有机导电体的制造方法,其中, 在醌化合物及氧钒化合物的存在下,使单体聚合而生成导电性高分子,由此得到含有 导电性高分子、醌化合物和氧钒化合物的有机导电体。
6. 根据权利要求5所述的有机导电体的制造方法,其中, 所述醌化合物为具有醌骨架的磺酸化合物。
7. -种电子设备,其具备权利要求1?4中任一项所述的有机导电体。
8. -种固体电解电容器,其具备: 第一电极、 层叠在所述第一电极上的电介质层、 第二电极、和 介于所述电介质层与所述第二电极之间的固体电解质层, 所述固体电解质层包含由权利要求1?4中任一项所述的有机导电体形成的第一电解 质区域。
9. 根据权利要求8所述的固体电解电容器,其中, 所述第一电解质区域层叠在所述电介质层上, 所述固体电解质层还包含介于所述第一电解质区域与所述第二电极之间的第二电解 质区域。
【专利摘要】本发明的目的在于提供导电性和耐热性高的有机导电体。本发明的有机导电体(10)含有导电性高分子、醌化合物和氧钒化合物。
【IPC分类】H01G9-028
【公开号】CN104584161
【申请号】CN201380044317
【发明人】田中泰央
【申请人】松下知识产权经营株式会社
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2013年8月19日
【公告号】US20150138695, WO2014030333A1
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