发光装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种发光装置，特别是涉及一种发光叠层位于一导电基板上的发光装置。
【背景技术】
[0002]发光二极管(LED)的发光原理是因电子移动于η型半导体与P型半导体间而释放出能量。由于发光二极管的发光原理不同于加热灯丝的白炽灯，所以发光二极管又称作冷光源。再者，发光二极管具有较佳的环境耐受度、更长的使用寿命、更轻及便携性、以及较低的耗能让它被视为照明应用中光源的另一选择。发光二极管被应用于如交通号志、背光模块、街灯、以及医疗设备等不同领域，且已逐渐地取代传统的光源。
[0003]发光二极管具有的发光叠层是外延成长于一导电基板上或一绝缘基板上。具有导电基板的发光二极管可在发光叠层顶部形成一电极，一般称为垂直式发光二极管。具有绝缘基板的发光二极管则须通过蚀刻制作工艺暴露出两不同极性的半导体层，并分别在两半导体层上形成电极，一般称为水平式发光二极管。垂直式发光二极管的优点在于电极遮光面积少、散热效果好、且无额外的蚀刻外延制作工艺，但目前用来成长外延的导电基板却有容易吸收光线的问题，因而影响发光二极管的发光效率。水平式发光二极管的优点在于绝缘基板通常也是透明基板，光可从发光二极管的各方向射出，然而也有散热不佳、电极遮光面积多、外延蚀刻制作工艺损失发光面积等缺点。
[0004]上述发光二极管可更进一步地连接于其他元件以形成一发光装置。发光二极管可通过具有基板的那一侧连接于一次载体上，或以焊料或胶材形成于次载体与发光二极管间，以形成一发光装置。此外，次载体可还包含一电路其通过例如为一金属线的导电结构电连接于发光二极管的电极。
【发明内容】
[0005]为解决上述问题，本发明公开一种发光装置，包含:一发光叠层包含一第一表面；一图案化介电层形成于发光叠层的第一表面上，包含一第一部分及及一第二部分大致环绕第一部分且与第一部分的厚度相同；一第一反射电极覆盖图案化介电层的第一部分；以及一阻障层覆盖第一反射电极及图案化介电层的第二部分。
【附图说明】
[0006]图1是显示本发明发光装置的一第一实施例；
[0007]图2是显示本发明发光装置的一第二实施例；
[0008]图3Α及图3Β是显示本发明发光装置的一第三实施例。
[0009]符号说明
[0010]100、200、300 发光装置
[0011]102、202、302 发光叠层
[0012]202a、202a、302a 第一表面
[0013]102b、202b、302b 第二表面
[0014]104、204、304 第一半导体层
[0015]106、206、306 发光层
[0016]108、208、308 第二半导体层
[0017]110、210、310图案化介电层
[0018]110a、210a、310a 第一部分
[0019]110b、210b、310b 第二部分
[0020]112、212、312 第一反射电极
[0021]114、214、314 保护层
[0022]214a、314a 第一保护层
[0023]214b、314b 第二保护层
[0024]116、216、316 第二电极结构
[0025]316a 电极垫
[0026]316b延伸枝状电极
[0027]118、218、318 第一阻障层
[0028]120、220、320 第二阻障层
[0029]122、222、322 阻障层
[0030]124、224、324 连接层
[0031]126、226、326 永久基板
【具体实施方式】
[0032]请参阅图1，是显示本发明发光装置的一第一实施例。发光装置100是包含:一永久基板126 ;—发光叠层102形成于永久基板126上且包含一第一表面102a朝向永久基板126及一第二表面102b相对第一表面102a ; —图案化介电层110形成于第一表面102a上，包含一第一部分IlOa及一第二部分IlOb大致环绕第一部分110a，其中第一部分IlOa包含一第一厚度，第二部分IlOb包含一第二厚度相同于第一厚度；一具反射性的第一反射电极112覆盖图案化介电层110的第一部分IlOa,其中第一反射电极112的材料可包含银(Ag)、铝(Al)或其他具有高反射性的金属，或前述金属的叠层或合金；以及一阻障层122覆盖第一反射电极及图案化介电层110的第二部分110a。发光叠层102的第二表面102b上可包含一第二电极结构116具有对应图案化介电层110的第一部分IlOa的图案。第一反射电极112是欧姆接触发光叠层102的第一表面102a，第二电极结构116是欧姆接触发光叠层102的第二表面102b,且于一垂直方向第二电极结构116与第一反射电极112接触发光叠层102的区域是彼此不重叠。阻障层122的一断面宽度可略宽于发光叠层102，图案化介电层110的第二部分IlOb的外缘可大致对齐于阻障层122的侧壁而侧向突出于发光叠层102的侧壁。一保护层114可顺应发光叠层102的形状覆盖于发光叠层102的第二表面102b不具有第二电极结构116的区域，并覆盖发光叠层102的侧壁，保护层114的下端是与图案化介电层110的第二部分IlOb相接。图案化介电层110的材料可包含一绝缘氧化物、氮化物、硅氧化合物、氧化钛、氧化铝、氟化镁或氮化硅。保护层114的材料可包含氮化硅或氧化硅。图案化介电层I1的材料可不同于保护层114的材料。在本实施例中，图案化介电层110的材料可为二氧化钛(T12),保护层114的材料可为二氧化硅(S12)或氮化硅(SiNx或Si3N4)。若无图案化介电层110的第二部分110b，阻障层110是直接接着于保护层114的下端及部分的第一表面102a，然而阻障层110的材料通常为金属，与保护层114间的接着力不佳，因而可能使保护层114的下端与阻障层110间产生空隙，此时湿气或其他外界干扰可由保护层114与阻障层110之间的空隙进一步地影响阻障层110与第一表面102a的接着,一旦阻障层110脱落于第一表面102a,第一反射电极112便有可能自发光叠层102侧壁溢出，增加发光装置100电性异常或失效的风险。在本实施例中，第一反射电极112也覆盖图案化介电层110的第二部分IlOb的局部，而使阻障层122不接触于第一表面 102a。
[0033]发光叠层102是事先外延成长自一晶片级的成长基板(图未不)，接着于第一表面102a上依序形成图案化介电层110、第一反射电极112及阻障层122后，图案化介电层110的第一部分IlOa与第二部分IlOb是在相同制作工艺下同时被完成，因而具有相同的厚度及材料。接着可通过一连接层124将永久基板126接着于发光叠层102，阻障层122可介于连接层124与第一反射电极112之间，而连接层124可介于阻障层122与永久基板126之间。而在永久基板126接着于发光叠层102后，可将成长基板移除而暴露出第二表面102b，并进一步地利用例如干蚀刻方式使第二表面102b成为一粗化表面。接着可蚀刻发光叠层102形成沟槽以形成多个彼此绝缘的单元，再沿着沟槽切割晶片即可获得多个发光装置100。第二部分IlOb外侧在切割晶片的过程中也会因一同被切割而变薄，而第二部分IlOb与第一表面102a接触的区段可大致保持前述的第二厚度。
[0034]发光叠层102可包含一第一半导体层104、一第二半导体层108及形成于第一半导体层104与第二半导体层108间的发光层102，其中第一半导体层104可为P型且具有第一表面102a,第二半导体层108可为η型且具有第二表面102b。阻障层122可包含一第一阻障层118及一第二阻障层120的双层结构，而阻障层122的材料可包含例如钛(Ti)、钨(W)、钼(Pt)、钛钨合金(TiW)或其组合。发光叠层102的结构可包含单异质结构(single heterostructure ;SH)、双异质结构(double heterostructure ;DH)、双侧双异