0摄氏度之间I到900分钟。特别是，对于一些实例，混合物200可以被加热到150至180摄氏度之间，然后冷却至室温(例如20到30摄氏度之间)。随着混合物200被加热，三聚氰胺化合物与滑石结合，并随着它冷却而形成晶体结构，从而形成MCSF填料160。换言之，随着混合物200被加热，三聚氰胺化合物软化和/或熔化。当混合物冷却时，三聚氰胺化拾物和滑石形成类似晶体的结构。MCSF填料160，如上所述，提供了改进的电弧淬熄性能，并提供包含电弧的刚性结构，使得在高电流情况下熔断器100不会破裂和/或爆炸，否则高电流情况会导致常规熔断器破裂。
[0029]图4示出了形成熔断器的方法400。参考图1-3讨论方法400。然而，应当理解，这样做的目的只是为了说明，并且不旨在进行限制。更具体地，可以实施方法400以形成与参考图1-3描述和描绘的不同的熔断器。
[0030]方法400可开始于方框410。在方框410中，“将熔断器元件插入中空熔断器本体的腔体中”熔断器元件120可以被插入到熔断器本体110的腔体150中。
[0031]继续到方框420，“将第一端帽连到该中空熔断器本体和熔断器元件。”在方框420中，端帽130可被连到所述熔断器本体110和熔断器元件120的第一端。例如，当端帽130被压在熔断器本体110上时，可以加热焊锡155，使得熔断器元件因而被焊接到端帽130。
[0032]继续到方框430，“将滑石和三聚氰胺化合物的混合物添加到该腔体中。”在方框430中，混合物200被添加到腔体150中，以使混合物200围绕熔断器元件120。在一些实例中，腔体150基本上用混合物200填充。在一些实例中，腔体150被部分地填充混合物200。如上所示，混合物200可以具有滑石和三聚氰胺化合物的不同的比率。在一些实例中，该比率为按重量计的3: I (滑石比三聚氰胺化合物)。
[0033]继续到方框440，“加热包括熔断器元件与滑石和三聚氰胺化合物的混合物的熔断器本体。”在方框440中，熔断器本体110、熔断器元件120、混合物200和端帽130被加热。在一些实例中，这些组件被加热到50至250摄氐度之间的温度I至900分钟。如所讨论的，加热混合物200 (例如，在方框440中)形成MCSF填料160。在一些实例中，混合物200在将其加热时膨胀。在进一步的实例中，该混合物膨胀的量取决于温度、加热的持续时间和/或滑石与三聚氰胺化合物的比率。在一些实例中，方框440可包括加热混合物200和冷却该混合物200，以形成所述结晶MCSF填料160。
[0034]在一些实例中，可以调节腔体150被填充的量、滑石与三聚氰胺化合物的比率、温度和/或加热的持续时间，使得MCSF填料160基本上围绕熔断器元件120形成，但在加热过程中基本上不从腔体150中溢出或胀出。此外，应该选择加热过程(例如，在方框440中)使得在加热过程后有足够的放出甲醛的三聚氰胺化合物残留以提供上面所讨论的电弧淬熄和压力抑制性能。
[0035]继续到方框450，“将第二端帽连到中空熔断器本体和熔断器元件。”在方框450中，端帽140被连到熔断器本体110和熔断器元件120的第二端(例如，与第一端相对)。例如，当端帽140被压在熔断器本体110上时，焊锡155可被加热，使得熔断器元件因而被焊接到端帽130。
[0036]在一些实例中，方框430和450可以被同时执行。在其他实例中，混合物200可先于连接一个和/或两个端帽(例如，130或140)而被加热，使得从加热过程中产生的气体可在MCSF填料160被密封在腔体和熔断器100被完全组装之前从腔体150排出。
[0037]图5是示出了根据本公开内容形成的两个熔断器的断开时间对电流的曲线图500。具体地，曲线图500示出了包含MCSF填料的熔断器(例如，熔断器100)的断开时间vs.电流。如上所述，一些常规的熔断器包括二氧化硅作为填料。本公开内容提供了许多优于常规填料的优点。例如，包覆有三聚氰胺化合物的滑石具有比二氧化硅低的导热率，因此基于本公开内容的熔断器(例如，熔断器100)具有相比于常规的熔断器减小的对过载情况的反应时间。换言之，本发明所提供的熔断器在常规填充的熔断器将无法断开的低电流下仍会断开(例如，熔断器元件公熔化，并引起开路)。
[0038]示出的第一曲线510，对应于包括由三聚氰胺化合物和滑石的混合物形成的MCSF填料的熔断器的断开时间vs.电流。另外，示出的第二曲线520，对应于具有由三聚氰胺化合物和二氧化硅的混合物形成的填料的熔断器的断开时间vs.电流。可以看到，具有MCSF填料的熔断器(例如，熔断器100)比使用三聚氰胺包覆二氧化硅填料的熔断器断开地更快。将理解的是，断开时间是熔断器的重要特性，因为断开时间直接对应于淬熄电弧所需的时间和还对应于要保护的电路暴露于高电流的时间量。
[0039]此外，本公开内容的熔断器提供了比只具有二氧化硅基填料的熔断器显著更高的断流容量。例如，完成了对三聚氰胺包覆二氧化硅填料的熔断器的实验。本公开内容的熔断器具有两倍于三聚氰胺包覆二氧化硅填料的熔断器的断流容量。在一个实例中，三聚氰胺包覆二氧化硅填充的熔断器具有100安培的断流容量，而类似等级但具有如本文所公开的MCSF填料的熔断器具有200安培的断流容量。将理解的是，这是一个显著区别并显示了本发明的诸多优点的一个。
【主权项】
1.用在熔断器中的三聚氰胺包覆滑石泡沫填料，包括: 三聚氰胺化合物；和 以重量计的所述三聚氰胺化合物的至少2倍的滑石，其中，所述滑石包覆在所述三聚氰胺化合物中。
2.如权利要求1所述的三聚氰胺包覆滑石泡沫填料，包括以重量计的所述三聚氰胺化合物的基本上3倍的所述滑石。
3.如权利要求1所述的三聚氰胺包覆滑石泡沫填料，其中，所述三聚氰胺化合物和所述滑石被加热以形成用在熔断器中的泡沫填料。
4.如权利要求3所述的三聚氰胺包覆滑石泡沫填料，其中，所述三聚氰胺化合物和所述滑石被加热到50至250摄氏度之间I到900分钟以形成所述泡沫填料。
5.如权利要求1所述的三聚氰胺包覆滑石泡沫填料，其中，所述的三聚氰胺化合物和所述滑石被加热到150至180摄氏度之间，并冷却至室温以形成用在熔断器中的泡沫填料。
6.一种熔断器，包括: 中空本体，其中具有腔体； 布置在所述腔体中的熔断器元件； 与所述熔断器元件电连接的第一和第二端帽；和 三聚氰胺包覆滑石泡沫填料、即MCSF填料，其布置在所述腔体中围绕所述熔断器元件，该MCSF填料包括: 三聚氰胺化合物；和 以重量计的所述三聚氰胺化合物的至少2倍的滑石，其中，所述滑石包覆在所述三聚氰胺化合物中。
7.如权利要求6所述的熔断器，包括以重量计的所述三聚氰胺化合物的基本上3倍的所述滑石。
8.如权利要求6所述的熔断器，其中，所述三聚氰胺化合物和所述滑石被加热以形成所述MCSF填料。
9.如权利要求8所述的熔断器，其中，所述三聚氰胺化合物和所述滑石被加热到50至250摄氏度之间I到900分钟以形成MCSF填料。
10.如权利要求6所述的熔断器，其中，所述三聚氰胺化合物和所述滑石被加热到150至180摄氏度之间，并冷却至室温以形成所述MCSF填料。
11.一种制造熔断器的方法，包括: 将熔断器元件插入中空熔断器本体的腔体中； 将第一端帽连到该中空熔断器本体并将该熔断器元件的第一端电连接到所述第一端帽； 将滑石和三聚氰胺化合物的混合物添加到所述腔体，使得所述滑石和三聚氰胺化合物的混合物围绕所述熔断器元件布置，所述滑石和三聚氰胺化合物的混合物包括: 三聚氰胺化合物，和 以重量计的所述三聚氰胺化合物的至少2倍的滑石，其中，所述滑石包覆在所述三聚氰胺化合物中；和 将第二端帽连到该中空熔断器本体并将熔断器元件的第二端电连接到所述第二端帽。
12.如权利要求10所述的方法，其中，所述混合物包括以重量计的所述三聚氰胺化合物的基本上3倍的所述滑石。
13.如权利要求10所述的方法，进一步包括加热所述滑石和所述三聚氰胺化合物以形成泡沫填料。
14.如权利要求13所述的方法，其中，所述三聚氰胺化合物和所述滑石被加热到50至250摄氏度之间I到900分钟以形成所述泡沫填料。
15.如权利要求13所述的方法，其中，所述三聚氰胺化合物和所述滑石被加热到150至180摄氏度之间，并冷却至室温以形成所述泡沫填料。
16.如权利要求13所述的方法，其中，所述三聚氰胺化合物和所述滑石被加热，然后冷却以使所述三聚氰胺化合物和所述滑石结晶以形成所述熔断器填料。
【专利摘要】本发明描述了具有三聚氰胺包覆滑石泡沫填料的熔断器。特别是，描述了用在熔断器中的三聚氰胺包覆滑石泡沫填料，其包括包覆在三聚氰胺化合物(例如，增塑的三聚氰胺树脂)中的滑石，然后被加热以形成结晶泡沫填料。该泡沫填料可包括以重量计的所述三聚氰胺化合物的基本上3倍的滑石，并且可以被加热，然后冷却以形成所述泡沫填料。
【IPC分类】H01H85-38, H01H85-18
【公开号】CN104715982
【申请号】CN201410667624
【发明人】R·雷塔多, A·恩里克斯
【申请人】保险丝公司
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2014年10月17日
【公告号】EP2865709A1