70输出的时钟信号CNT_CLK来对比较结果信号的转换时间计数，且将数字信号或计数值输出至缓冲器1190。计数块1150可以输出多个数字图像信号。每个计数器1151可以是向上/向下计数器或逐位反转计数器。
[0096]缓冲器1190可以储存、感测、放大且输出从模数转换器(ADC) 1140输出的所述多个数字图像信号。缓冲器1190可以包括存储器块1191和感测放大器1192。存储器块1191可以包括储存从所述多个计数器1151输出的相应计数值的多个存储器1193。例如，计数值可以表示关于从所述多个像素输出的信号的计数值。
[0097]感测放大器1192可以感测且放大从存储器块1191输出的每个计数值。图像传感器1100可以将图像数据输出至数字信号处理器(DSP) 1200。
[0098]图9是说明根据本发明的一个实施例的包括图像传感器的图像处理系统的框图。
[0099]参见图9，图像处理系统2000可以是使用或支持移动工业处理器接口(MIPI)的数据处理装置，诸如移动通信装置、个人数字助理(PDA)、移动电话或智能电话等。图像处理系统2000可以是诸如平板计算机的便携装置。
[0100]图像处理系统2000可以包括应用处理器2010、图像传感器2040和显示器2050。
[0101]应用处理器2010中的相机串行接口(CSI)主机2012可以经由相机串行接口(CSI)来执行与图像传感器2040的CSI设备2041的串行通信。图像传感器2040可以包括根据本发明的一个实施例的图像传感器。显示器串行接口(DSI)主机2011可以经由显示器串行接口(DSI)来执行与显示器2050的DSI设备2051的串行通信。
[0102]图像处理系统2000还可以包括能够执行与应用处理器2010的通信的射频(RF)芯片2060。应用处理器2010的物理层(PHY) 2013和射频(RF)芯片2060的物理层(PHY) 2061可以根据移动工业处理器接口(MIPI)数字无线电频率(DigRF)来交换数据。
[0103]图像处理系统2000还可以包括地理定位系统(GPS) 2020、数据存储装置2070、诸如动态随机存取存储器(DRAM)的存储器2085、和扬声器2090。图像处理系统2000可以经由微波接入(Wimax)单元2030、无线局域网(WLAN)单元2100和超宽带(UWB)单元2110的全球互通来执行通信。
[0104]尽管已参照特定实施例描述了本发明，但对于本领域的技术人员将显然的是，在不脱离所附权利要求中限定的本发明的精神和范围的情况下，可以作出各种改变和修改。
[0105]通过以上实施例可以看出，本申请提供了以下的技术方案。
[0106]技术方案1.一种图像传感器，包括:
[0107]传输栅，形成在衬底的正面上；
[0108]光电转换区，形成在所述传输栅的一侧；
[0109]浮动扩散区，包括:形成在所述传输栅的另一侧的沟槽、覆盖所述沟槽的底部的阻挡层、以及间隙填充在所述沟槽中的导电层。
[0110]技术方案2.如技术方案I所述的图像传感器，其中，所述阻挡层覆盖所述沟槽的底部平面，以及所述沟槽的侧部平面的一部分或全部。
[0111]技术方案3.如技术方案I所述的图像传感器，其中，所述阻挡层包括吸收或反射光的绝缘层。
[0112]技术方案4.如技术方案3所述的图像传感器，其中，所述阻挡层包括单一绝缘层或具有带有不同折射率的多个绝缘层的叠层。
[0113]技术方案5.如技术方案3所述的图像传感器，其中，所述阻挡层包括具有交替地层叠了带有不同折射率的第一绝缘层和第二绝缘层的叠层。
[0114]技术方案6.如技术方案I所述的图像传感器，其中，所述导电层和所述衬底由相同的材料构成。
[0115]技术方案7.如技术方案I所述的图像传感器，其中，所述导电层包括垂直重叠的第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区，以及其中，所述第一导电类型和所述第二导电类型互补。
[0116]技术方案8.如技术方案7所述的图像传感器，其中，所述第一区和所述第二区与所述衬底电耦接。
[0117]技术方案9.如技术方案I所述的图像传感器，还包括:
[0118]滤色器，形成在所述衬底的背面上；以及
[0119]微透镜，形成在所述滤色器上。
[0120]技术方案10.—种图像传感器，包括:
[0121]传输栅，形成在衬底的正面上；
[0122]光电转换区，形成在所述传输栅的一侧；
[0123]浮动扩散区，包括:形成在所述传输栅的另一侧的沟槽、覆盖所述沟槽的底部的阻挡层、以及间隙填充在所述沟槽中的导电层；以及
[0124]陷阱区，形成在所述沟槽之下。
[0125]技术方案11.如技术方案10所述的图像传感器，其中，所述陷阱区通过所述阻挡层与所述导电层电分离。
[0126]技术方案12.如技术方案10所述的图像传感器，其中，接地电压提供至所述陷阱区。
[0127]技术方案13.如技术方案10所述的图像传感器，其中，所述阻挡层大体覆盖所述沟槽的底部平面，以及所述沟槽的侧面的一部分。
[0128]技术方案14.如技术方案10所述的图像传感器，其中，所述阻挡层包括适于吸收或反射光的绝缘层。
[0129]技术方案15.如技术方案10所述的图像传感器，其中，所述导电层和所述衬底由相同的材料构成。
[0130]技术方案16.如技术方案10所述的图像传感器，其中，所述导电层包括彼此垂直重叠的第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区，以及其中所述第一导电类型和所述第二导电类型互补。
[0131]技术方案17.如技术方案16所述的图像传感器，其中，所述第一区和所述第二区与所述衬底电耦接。
[0132]技术方案18.如技术方案10所述的图像传感器，还包括:
[0133]滤色器，形成在所述衬底的背面上；以及
[0134]微透镜，形成在所述滤色器上。
[0135]技术方案19.一种图像传感器，包括:
[0136]浮动扩散区，其具有阻挡层，所述阻挡层适于防止不需要的电荷在所述浮动扩散层中的产生。
[0137]技术方案20.如技术方案19所述的图像传感器，其中，所述阻挡层覆盖形成在传输栅的一侧的沟槽的底部平面，以及所述沟槽的侧部平面的一部分或全部。
【主权项】
1.一种图像传感器，包括: 传输栅，形成在衬底的正面上； 光电转换区，形成在所述传输栅的一侧； 浮动扩散区，包括:形成在所述传输栅的另一侧的沟槽、覆盖所述沟槽的底部的阻挡层、以及间隙填充在所述沟槽中的导电层。
2.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述阻挡层覆盖所述沟槽的底部平面，以及所述沟槽的侧部平面的一部分或全部。
3.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述阻挡层包括吸收或反射光的绝缘层。
4.如权利要求3所述的图像传感器，其中，所述阻挡层包括单一绝缘层或具有带有不同折射率的多个绝缘层的叠层。
5.如权利要求3所述的图像传感器，其中，所述阻挡层包括具有交替地层叠了带有不同折射率的第一绝缘层和第二绝缘层的叠层。
6.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述导电层和所述衬底由相同的材料构成。
7.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述导电层包括垂直重叠的第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区，以及其中，所述第一导电类型和所述第二导电类型互补。
8.如权利要求7所述的图像传感器，其中，所述第一区和所述第二区与所述衬底电耦接。
9.一种图像传感器，包括: 传输栅，形成在衬底的正面上； 光电转换区，形成在所述传输栅的一侧； 浮动扩散区，包括:形成在所述传输栅的另一侧的沟槽、覆盖所述沟槽的底部的阻挡层、以及间隙填充在所述沟槽中的导电层；以及陷阱区，形成在所述沟槽之下。
10.一种图像传感器，包括: 浮动扩散区，其具有阻挡层，所述阻挡层适于防止不需要的电荷在所述浮动扩散层中的产生。
【专利摘要】一种图像传感器，包括：传输栅，形成在衬底上；光电转换区，形成在所述传输栅的一侧；浮动扩散区，具有形成在所述传输栅的另一侧的沟槽、覆盖所述沟槽的底部的阻挡层、以及间隙填充在所述沟槽中的导电层。
【IPC分类】H01L27-146
【公开号】CN104733485
【申请号】CN201410775820
【发明人】金都焕, 杨允熙, 金大宇, 金锺采, 林秀焕
【申请人】爱思开海力士有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2014年12月15日
【公告号】US20150171133