，对于上述8)可选方案与9)可选方案，在测试项与工艺参数的相 关系数的3sigma区间（99. 73%)内，若该测试项的良率损失小于0. 5%，则该测试项与该工艺 参数不相关；换言之，该相关系数落入【〇, 1】内的概率为100%，若在99. 73%情况下，该良率 损失都小于〇. 5%，则认为提高工艺参数对该低良率改善没有帮助，即该低良率不属于特殊 的、系统性的问题。
[0032] 11)可选方案中，寻找每组中良率损失最严重的测试项后，若该组中最严重良率损 失(最高良率损失)小于〇. 5%，放弃对该组的测试项与制作芯片所用工艺参数进行相关性分 析，换言之，若该组测试项中的每个测试项的良率损失都低于〇. 5%，则认为该组中的测试项 对工艺参数不敏感，因而改进工艺参数对该低良率改善没有帮助，即该低良率不属于特殊 的、系统性的问题。
[0033] 12)可选方案中，获取测试结果后，还包括：对制作芯片所用各工艺参数之间进行 相关性分析；根据各工艺参数是否相关将上述所有工艺参数进行分组；其中，测试项与制 作芯片所用工艺参数进行相关性分析中，所用工艺参数是每组中的一个工艺参数，换言之， 为减小相关性分析中的运算量，不但对测试项进行了精简，还对工艺参数进行了精简。
[0034] 13)可选方案中，电性测试的各测试项包括：缓存功能测试、显存速度测试。
[0035] 14)可选方案中，制作芯片所用各工艺参数包括：显影后关键尺寸（After Develop Critical Dimension，ADCD)、刻蚀后关键尺寸（After Etch Critical Dimension，AECD)、 源漏区离子注入浓度、牺牲氧化层厚度。
【附图说明】
[0036] 图1是本发明一个实施例中对具有与工艺水平不相称良率的芯片的分类方法的 流程图；
[0037] 图2是本发明另一个实施例中对具有与工艺水平不相称良率的芯片的分类方法 的流程图；
[0038] 图3是本发明再一个实施例中对具有与工艺水平不相称良率的芯片的分类方法 的流程图。
【具体实施方式】
[0039] 如【背景技术】所述，现有技术中，对具有与工艺水平不相称良率的芯片进行分类时， 很可能出现误判断，将由例如产品本身存在缺陷、设计不够完善等等造成的良率过低归为 特殊的、系统性的问题，这会造成生产商花大量人力物力对该产品的良率进行提高时效果 不大。针对上述问题，本发明提出基于个性化的产品本身，根据该芯片电性测试中各测试项 的测试结果，对测试项与制作芯片所用工艺参数进行相关性分析，若测试项与所用工艺参 数均不相关，则判断芯片的良率较低不属于特殊的、系统性的问题；此外，为避免测试项与 工艺参数进行相关性分析中的大运算量，提高效率，并非对每个测试项进行相关性分析，而 是对相关的每组中良率损失最高的测试项与工艺参数进行相关性分析，若该良率损失最高 的测试项与制作芯片所用工艺参数均不相关，则同组中其它良率损失稍低的测试项当然也 与该些工艺参数不相关。
[0040] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明 的具体实施例做详细的说明。
[0041] 图1是本发明一个实施例提供的对具有与工艺水平不相称良率的芯片的分类方 法的流程图。以下结合图1具体介绍该分类方法。
[0042] 首先执行步骤S10,获取至少一晶元上若干芯片的电性测试中各测试项的测试结 果。
[0043] 在具体实施过程中，收集的芯片电性测试结果不仅是测试结果常规的芯片，还包 括测试结果极端的芯片，例如晶体管饱和电流特别大的芯片，以扩大样本容量，覆盖更多情 况，使得最终分类更准确。
[0044] 半导体行业中，各测试项的测试结果可以从"stdf"格式的文件中查阅（stdf格式 是半导体芯片测试领域通用的数据格式，与测试设备的型号，品牌，厂商等均无关)。此外， 某些测试项具有输出结果，例如输出"〇"代表该芯片该测试项不合格，" 1"代表合格，例如 表1中的测试项1至3,有些直接输出具体数值，例如表1中的测试项4。有些则没有输出 结果。
[0045] 对于具有输出结果的测试，其可以采用两种方式进行测试。一种方式如表1所示， 以三个能实现远程实时监控系统中的图像编码的软硬件的芯片（ASDP)I，2, 3 (每个ASDP芯 片包括三个缓存)、一个显示芯片4,共四个芯片，第一个缓存（cache)的功能测试(对应测试 项1)、第二个缓存的功能测试(对应测试项2)、第三个缓存的功能测试(对应测试项3)、一 个显存的速度测试(对应测试项4)，共四个测试项为例，每个芯片的各测试项的测试结果采 用若某个测试项不合格，仍继续测试其余测试项的方法，上述方案也称COF (Continue On Fail)测试模式。该模式不因某个芯片的某个测试项不合格，而不去继续测其余的测试项， 因而能够测试每个芯片的所有测试项，测试结果能够全面反映芯片的性能。
[0046] 表 1
[0047]
【主权项】
1. 一种对具有与工艺水平不相称良率的芯片的分类方法，其特征在于，包括： 获取至少一晶元上若干芯片的电性测试中各测试项的测试结果； 根据上述测试结果获取该晶元对应的每个测试项的良率损失； 根据该晶元对应的每个测试项的良率损失对各测试项进行相关性分析； 根据各测试项是否相关将上述所有测试项进行分组； 寻找每组中良率损失最严重的测试项； 对良率损失最严重的测试项与制作芯片所用工艺参数进行相关性分析，若该测试项与 所用工艺参数均不相关，则芯片所具有的与工艺水平不相称良率不属于特殊的、系统性的 问题。
2. 根据权利要求1所述的分类方法，其特征在于，所述若干芯片包括电性测试中至少 一测试项测试结果极端的芯片。
3. 根据权利要求1所述的分类方法，其特征在于，若测试项与工艺参数的相关系数小 于0. 3,则该测试项与该工艺参数不相关。
4. 根据权利要求1所述的分类方法，其特征在于，良率损失通过计算获取，且每个芯片 的各测试项的测试结果采用若某个测试项不合格，仍继续测试其余测试项的方法。
5. 根据权利要求4所述的分类方法，其特征在于，各测试项的测试结果为"0"或" 1"。
6. 根据权利要求4所述的分类方法，其特征在于，各测试项的测试结果为具体数值。
7. 根据权利要求4至6中任一项所述的分类方法，其特征在于，在测试项与工艺参数的 相关系数的3sigma区间内，若该测试项的良率损失小于1%，则该测试项与该工艺参数不相 关。
8. 根据权利要求4所述的分类方法，其特征在于，寻找每组中良率损失最严重的测试 项后，若该组中最严重良率损失小于1%，放弃对该组的测试项与制作芯片所用工艺参数进 行相关性分析。
9. 根据权利要求1所述的分类方法，其特征在于，获取良率损失中，每个芯片的各测试 项的测试结果采用若某个测试项不合格，停止继续测试其余测试项的方法。
10. 根据权利要求9所述的分类方法，其特征在于，各测试项的测试结果为该测试项对 应的该晶元的良率损失。
11. 根据权利要求9或10所述的分类方法，其特征在于，在测试项与工艺参数的相关系 数的3sigma区间内，若该测试项的良率损失小于0. 5%，则该测试项与该工艺参数不相关。
12. 根据权利要求9所述的分类方法，其特征在于，寻找每组中良率损失最严重的测试 项后，若该组中最严重良率损失小于0.5%，放弃对该组的测试项与制作芯片所用工艺参数 进行相关性分析。
13. 根据权利要求1所述的分类方法，其特征在于，获取测试结果后，还包括： 对制作芯片所用各工艺参数之间进行相关性分析； 根据各工艺参数是否相关将上述所有工艺参数进行分组； 其中，测试项与制作芯片所用工艺参数进行相关性分析中，所用工艺参数是每组中的 一个工艺参数。
14. 根据权利要求1所述的分类方法，其特征在于，所述电性测试的各测试项包括：缓 存功能测试、显存速度测试。
15.根据权利要求1所述的分类方法，其特征在于，所述制作芯片所用工艺参数包括： 显影后关键尺寸、刻蚀后关键尺寸、源漏区离子注入浓度、牺牲氧化层厚度。
【专利摘要】一种对具有与工艺水平不相称良率的芯片的分类方法，本发明基于个性化的产品本身，根据该芯片电性测试中各测试项的测试结果，对测试项与制作芯片所用工艺参数进行相关性分析，若测试项与所述工艺参数均不相关，则判断芯片所具有的与工艺水平不相称良率不属于特殊的、系统性的问题；此外，为避免大量运算，提高效率，并非对每个测试项进行相关性分析，而是对相关的每组中良率最低的测试项与工艺参数进行相关性分析。上述分类法可以准确判断与工艺水平不相称芯片良率的产生原因是特殊的、系统性问题，可以避免人力物力浪费。
【IPC分类】H01L21-67
【公开号】CN104752259
【申请号】CN201310745806
【发明人】赵永林
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年12月30日