]参考图5和图6所示为集成传感器封装结构的第二实施例，和图3所示的第一实施例的不同之处在于，第二实施例还包括第三个传感器单元，第三个传感器单元包括MEMS传感器芯片11和ASIC芯片10，两者之间同样通过引线电连接，ASIC芯片10通过引线与第一基板I电连接。在大封装腔体(第一封装腔体)内部设置侧壁将大封装腔体隔离为三个小封装腔体(第二封装腔体)，三个传感器单元分别设置于各自的第二封装腔体内。
[0038]参考图7和图8所示为集成传感器封装结构的第三实施例，包括三个传感器单元，其中包括一个敏感传感器和两个非敏感传感器，敏感传感器单元包括MEMS传感器芯片3和ASIC芯片5，一个非敏感传感器单元包括MEMS传感器芯片8和ASIC芯片7，另一个非敏感传感器单元包括MEMS传感器芯片11和ASIC芯片10。在大封装腔体内部设置侧壁将大封装腔体(第一封装腔体)隔离为两个小封装腔体(第二封装腔体)，将敏感传感器单独的设置于一个第二封装腔体内，将两个非敏感传感器共同设置在另一个第二封装腔体内，以实现敏感传感器和其它传感器的隔离，避免敏感传感器单元受到其它传感器单元的干扰。
[0039]参考图9和图10所示为集成传感器封装结构的第四实施例，和图3所示的第一实施例的不同之处在于，不是通过在大封装腔体内部设置侧壁隔离出小封装腔体的形式实现不同传感器单元之间的隔离，而是由两个彼此独立的外壳2-1和2-2分别与第一基板I围成的独立的第三封装腔体，两个传感器单元分别设置于各自的第三封装腔体内，在第三封装腔体的顶部分别开设有传感器单元传感所需的开口 6-1和6-2。
[0040]参考图11所示为集成传感器封装结构的第五实施例，和图9所示的第四实施例的不同之处在于，右边的传感器单元不是直接设置于第一基板I上而是通过第二基板15间接设置于所述第一基板I上，该传感器单元贴装于第二基板15上，通过第一基板I背面的焊盘9与外部电路电连接。在该传感器单元的装配、工作过程中，外部应力传递至第一基板I然后由第二基板15缓冲卸掉，保护了该传感器单元，使该传感器单元性能更稳定。特别对于压力传感器单元，第二基板15作为缓冲部的结构设计，避免了外部应力对压力传感器产生影响而导致压力传感器数据误差，提高了压力传感器单元的灵敏度。
[0041]其中，第一至第三实施例中的外壳是由基板组成，第四和第五实施例中的外壳是金属外壳。
[0042]上述实施例中，各个芯片需要单独贴装和电连接，工序多效率低，不良隐患剧增，并且各个芯片之间需要留出组装安全空间，浪费产品总体空间。为了能够更好的实现腔体的分立，本发明还可以将传感器单元进行集成设计，以减少空间浪费，优省加工工序，提升封装效率和产品良率。本发明提供了以下三种集成方式:
[0043]参考图12和图13所示为集成传感器封装结构的第六实施例，和图5所示的第二实施例一样包括三个传感器单元，不同之处在于，左边传感器单元21的MEMS传感器芯片和ASIC芯片集成在一起，中间传感器单元22的MEMS传感器芯片和ASIC芯片集成在一起。
[0044]参考图14和图15所示为集成传感器封装结构的第七实施例，和图7所示的第三实施例的不同之处在于，两个互不干扰的传感器单元共用一个ASIC芯片，具体来说MEMS传感器芯片8和MEMS传感器芯片11共用一个ASIC芯片10。
[0045]参考图16和图17所示为集成传感器封装结构的第八实施例，和图7所示的第三实施例的不同之处在于，两个互不干扰的传感器单元共用一个MEMS传感器芯片，具体来说ASIC芯片7和ASIC芯片10共用一个MEMS传感器芯片8。
[0046]参考图18和图19所示为集成传感器封装结构的第三实施例，和图7所示的第三实施例的不同之处在于，中间的非敏感传感器单元22的MEMS传感器芯片和ASIC芯片集成在一起，和右边的另一个非敏感传感器单元(包括MEMS传感器芯片11和ASIC芯片10)互不干扰共用一个腔体。
[0047]相对于现有的集成传感器共用一个大腔体的封装方式，本发明通过腔体分立，将集成传感器的每个传感器单元都进行隔离封装，或者将容易受到干扰的敏感传感器单元进行隔离封装，以屏蔽掉集成传感器的各个传感器单元之间的彼此干扰，有效提升了集成传感器的广品性能。
[0048]虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
【主权项】
1.一种集成传感器的封装结构，其特征在于，包括: 第一基板以及设置在所述第一基板上的多个传感器，每个所述传感器均包括MEMS传感器芯片和与所述MEMS传感器芯片电连接的ASIC芯片； 其中，每个所述传感器均与其它传感器隔离地封装在所述第一基板上。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，包括至少一个由外壳和所述第一基板围成的第一封装腔体，所述第一封装腔体内通过侧壁隔离为至少两个第二封装腔体，每个所述第二封装腔体内设置有一个所述传感器。
3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，包括至少一个由独立外壳和所述第一基板围成的第三封装腔体，每个所述第三封装腔体内部设置有一个所述传感器。
4.一种集成传感器的封装结构，其特征在于，包括: 第一基板以及设置在所述第一基板上的多个传感器，每个所述传感器均包括MEMS传感器芯片和与所述MEMS传感器芯片电连接的ASIC芯片； 其中，所述传感器包括敏感传感器和非敏感传感器，每个所述敏感传感器均与其它传感器隔离地封装在所述第一基板上。
5.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，包括至少一个由外壳和所述第一基板围成的第一封装腔体，所述第一封装腔体内通过侧壁隔离为至少两个第二封装腔体，其中至少一个第二封装腔体内设置有一个所述敏感传感器。
6.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，包括至少一个由独立外壳和所述第一基板围成的第三封装腔体，其中至少一个第三封装腔体内部设置有一个所述敏感传感器。
7.根据权利要求4-6任一项所述的结构，其特征在于，多个所述传感器包括压力传感器、麦克风、以及湿度传感器，所述麦克风和所述湿度传感为敏感传感器，所述压力传感器为非敏感传感器。
8.根据权利要求1或4所述的结构，其特征在于，所述传感器直接设置于所述第一基板上或者通过第二基板设置于所述第一基板上。
9.根据权利要求1或4所述的结构，其特征在于，至少一个所述传感器的MEMS传感器芯片和ASIC芯片集成在一起。
10.根据权利要求1或4所述的结构，其特征在于，互不干扰的传感器的ASIC芯片集成在一起或者MEMS传感器芯片集成在一起。
【专利摘要】本发明提出了一种集成传感器的封装结构，包括：第一基板以及设置在第一基板上的多个传感器，每个传感器均包括MEMS传感器芯片和与MEMS传感器芯片电连接的ASIC芯片；其中，每个传感器均与其它传感器隔离地封装在第一基板上。本发明还提出了一种集成传感器的封装结构，所述传感器包括敏感传感器和非敏感传感器，每个敏感传感器均与其它传感器隔离地封装在第一基板上。本发明通过腔体分立，将集成传感器的每个传感器单元都进行隔离封装，或者将容易受到干扰的敏感传感器单元进行隔离封装，以屏蔽掉集成传感器的各个传感器单元之间的彼此干扰，有效提升了集成传感器的产品性能。
【IPC分类】B81B7-02, H01L23-552, H01L23-10
【公开号】CN104779214
【申请号】CN201510182343
【发明人】端木鲁玉, 张俊德, 宋青林
【申请人】歌尔声学股份有限公司
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2015年4月16日