输入电极SE2从电源线KL分支。第二控制电极GE2连接到上电极UE。第二输出电极DE2与第二输入电极SE2间隔开。第二输出电极DE2交叠接触孔CH。
[0066]如图4所不，第j条数据线DLj、第一输入电极SEl和第一输出电极DEl设置在缓冲层BL上。连接到第一输出电极DEl的下电极LE设置在缓冲层BL上。
[0067]部分半导体层SCL设置在缓冲层BL上。半导体层SCL的第一部分PPl设置在第一输入电极SEl上，半导体层SCL的第二部分PP2设置在第一输出电极DEl上。半导体层SCL的第三部分PP3设置在缓冲层BL上。第三部分PP3连接第一部分PPl和第二部分PP2。
[0068]半导体层SCL的线部分SLP设置在第j条数据线DLj上。线部分SLP连接到第一部分PP1。半导体层SCL的电容部分CP设置在下电极LE上。电容部分CP连接到第二部分PP2。
[0069]交叠至少一部分第三部分PP3的绝缘图案部分IPl设置在第三部分PP3上。第一控制电极GEl设置在绝缘图案部分IPl上。第一绝缘层10设置在缓冲层BL上以覆盖半导体层SCL。上电极UE设置在第一绝缘层10上以交叠下电极LE。
[0070]第一绝缘层10包括无机材料或有机材料。第一绝缘层10可以是有机层或无机层。第一绝缘层10可具有多层结构。第一绝缘层10可具有多个有机层、多个无机层、或包括有机层和无机层的多个层。
[0071]包括第j条数据线DLj、第一输入电极SE1、第一输出电极DEl和下电极LE的导电层可以包括金属材料，诸如铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)或其合金。第i条栅极线GL1、第一控制电极GEl和上电极UE可以包括金属材料，诸如铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)或其合金。
[0072]半导体层SCL可以包括金属氧化物半导体材料。在示例性实施方式中，例如，金属氧化物半导体材料可以包括包含锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)Ji (Ti)或其组合的金属氧化物，例如其混合物或混合物的氧化物。在示例性实施方式中，例如，半导体层SCL可以包括铟锡氧化物(ITO)、铟镓锌氧化物(IGZO)或铟锌氧化物(IZO)。
[0073]在示例性实施方式中，第三部分PP3限定第一薄膜晶体管TFTl的第一有源部分AL1。第一有源部分ALl限定第一薄膜晶体管TFTl的沟道。第三部分PP3可以被分成三个区域。在这样的实施方式中，第三部分PP3被分成邻近第一部分PPl设置的输入区IR、邻近第二部分PP2设置的输出区0R、以及设置在输入区IR和输出区OR之间的沟道区CR。沟道区CR是设置绝缘图案部分IPl的区域。沟道区CR可以在用于在其上提供绝缘图案部分IP的工艺期间被提供或形成。
[0074]在制造显示面板DP的方法的示例性实施方式中，第一绝缘层10可以使用等离子体工艺形成，第三部分PP3的输入区IR和输出区OR可以被还原处理。在这样的实施方式中，第一部分PP1、第二部分PP2、线部分SLP和电容部分CP可以被还原处理。在这样的实施方式中，第三部分PP3的沟道区CR被绝缘图案部分IPl保护，使得第三部分PP3的沟道区CR没有被还原处理。根据本发明的示例性实施方式，部分半导体层SCL可以通过预定的还原处理工艺被还原处理。
[0075]第三部分PP3的输入区IR和输出区OR包括自半导体层SCL的金属氧化物半导体材料还原的金属。第一部分PPl、第二部分PP2、线部分SLP和电容部分CP包括自半导体层SCL的金属氧化物半导体材料还原的金属。自金属氧化物半导体材料还原的金属具有从所述部分的上表面起的预定厚度并且限定金属层。所述金属层的厚度由半导体层SCL的还原程度确定。
[0076]第三部分PP3的没有被还原处理的沟道区CR限定第一薄膜晶体管TFTl的沟道。在不例性实施方式中，第一输入电极SEl和第一输出电极DEl与第一有源部分ALl接触。在这样的实施方式中，省略可以被提供用于第一有源部分和输入/输出电极之间的连接的接触孔，使得像素ρχα，j)的结构简化并且像素ρχα，j)的开口率增加。
[0077]参考图3和图4，第三部分PP3设置在第一输入电极SEl和第一输出电极DEl之间。第一部分PPl和第二部分PP2在第二方向DR2上的宽度实质上分别与第一输入电极SEl和第一输出电极DEl在第二方向DR2上的宽度相同。线部分SLP在第一方向DRl上的宽度实质上与第j条数据线DLj在第一方向DRl上的宽度相同。当在平面图中看时，电容部分CP的形状可以与下电极LE的形状实质上相同。
[0078]在本发明的另一示例性实施方式中，部分半导体层可以被定义为部分薄膜晶体管、部分信号线或部分电容器。在这样的实施方式中，第一输入电极SEl和第一输出电极DEl可以配置为包括部分导电层和设置在导电层上的部分半导体层。
[0079]在一个不例性实施方式中，例如，第一输入电极SEl和设置在第一输入电极SEl上的第一部分PPl用作第一薄膜晶体管TFTl的输入电极。第一输出电极DEl和设置在第一输出电极DEl上的第二部分PP2用作第一薄膜晶体管TFTl的输出电极。第j条数据线DLj和设置在第j条数据线DLj上的线部分SLP用作数据线。
[0080]如图5所示，第二薄膜晶体管TFT2的第二输入电极SE2和第二输出电极DE2设置在缓冲层BL上。部分半导体层SCL设置在缓冲层BL上。半导体层SCL的第四部分PP4设置在第二输入电极SE2上。半导体层SCL的第五部分PP5设置在第二输出电极DE2上。
[0081]半导体层SCL的第六部分PP6设置在缓冲层BL上。第六部分PP6连接第四部分PP4和第五部分PP5。第六部分PP6相应于第二薄膜晶体管TFT2的第二有源部分AL2。第六部分PP6被分成三个区域，例如输入区IR10、输出区ORlO和沟道区CR10。
[0082]第一绝缘层10覆盖第四部分PP4、第五部分PP5和第六部分PP6。第二薄膜晶体管TFT2的第二控制电极GE2设置在第一绝缘层10上。第二控制电极GE2交叠沟道区CRlO。在显示面板DP的制造工艺的示例性实施方式期间，第六部分PP6的输入区IRlO和输出区ORlO可以被还原处理。在这样的实施方式中，第四部分PP4和第五部分PP5被还原处理。在这样的实施方式中，第六部分PP6的沟道区CRlO被第二控制电极GE2覆盖或保护，使得第六部分PP6的沟道区CRlO没有被还原处理。
[0083]如图4和图5所示，第二绝缘层20设置在第一绝缘层10上。第二绝缘层20可以包括无机材料和有机材料中的至少一种。在示例性实施方式中，第二绝缘层20可以是有机层，第二绝缘层20可以提供平坦化的表面。
[0084]有机发光二极管OLED (i，j)设置在第二绝缘层20上。有机发光二极管OLED (i，j)包括第一电极OEl、第二电极0E2以及插置在第一电极OEl和第二电极0E2之间的有机发光层EML。在示例性实施方式中，第一电极OEI可以是阳极，第二电极0E2可以是阴极。第一电极OEl可以包括透明导电材料或金属材料，第一电极OEl的材料可以根据其光发射方向确定。
[0085]第一电极OEl设置在第二绝缘层20上。第一电极OEl通过贯穿第一绝缘层10和第二绝缘层20限定的接触孔CH连接到第五部分PP5。接触孔CH可以由依次贯穿第一绝缘层10和第二绝缘层20形成的两个穿透孔限定。
[0086]第二输出电极DE2通过第五部分PP5电连接到第一电极OEl。当第二薄膜晶体管TFT2导通时，第二薄膜晶体管TFT2的电流路径经由第二输入电极SE2、第六部分PP6、第二输出电极DE2和第一电极OEl形成。
[0087]在这样的实施方式中，在电流路径通过第二输出电极DE2形成的情形下，即使连接到第六部分PP6的第五部分PP5设置在第二输出电极DE2上，在第二薄膜晶体管TFT2和第一电极OEl之间的接触电阻也不增加。因而，在这样的实施方式中，信号延迟例如电阻-电容(RC)延迟可以不发生在第二薄膜晶体管TFT2中。
[0088]像素限定层PDL设置在第二绝缘层20上。像素限定层PDL可以交叠像素区域PXA(i，j)和外围区域PA。开口 roL-OP贯穿像素限定层PDL被限定或形成。第一电极OEl通过开口 I3DL-OP暴露。
[0089]有机发光层EML设置在第一电极OEl上以交叠开口 TOL-OP。有机发光层EML可以设置在开口 I3DL-OP中。第二电极0E2设置在有机发光层EML上。第一公共层CHL设置在第一电极OEl和有机发光层EML之间。第二公共层CEL设置在有机发光层EML和第二电极0E2之间。第一和第