输出电极DEl上。半导体层SCL的第三部分PP3设置在栅极绝缘层GIL上。第六部分PP3对应于第一薄膜晶体管TFTlO的有源部分ALlO。
[0118]半导体层SCL的线部分SLP设置在第j条数据线DLj上。半导体层SCL的电容部分CP设置在下电极LE上。保护图案部分PP设置在半导体层SCL的第三部分PP3上。保护图案部分PP交叠第三部分PP3的沟道区CR。在这样的实施方式中，第三部分PP3的沟道区CR被保护图案部分PP保护，因此沟道区CR在其制造工艺期间没有被还原处理。
[0119]第一绝缘层10设置在栅极绝缘层GIL上以覆盖半导体层SCL和保护图案部分PP。上电极UE设置在第一绝缘层10上以交叠下电极LE。
[0120]在这样的实施方式中，图10中显示的第一薄膜晶体管TFTlO具有与参考图3和图4描述的第一薄膜晶体管TFTlO的结构实质上相同的结构，因此接触孔可以被省略。因而，在这样的实施方式中，像素PX10(i，j)的电路布置简化，并且像素PXlO(i，j)的开口率提高，在第一薄膜晶体管TFTlO中不发生信号延迟例如RC延迟。
[0121]在显示面板的这样的实施方式中，图5中显示的第二薄膜晶体管TFT2可具有底栅结构。在示例性实施方式中，图9中显示的液晶显示面板的薄膜晶体管TFT可具有底栅结构。
[0122]虽然已经描述了本发明的示例性实施方式，但是应该理解，本发明不应限于这些示例性实施方式，而是本领域的普通技术人员可以在本发明的精神和范围内进行各种变化和修改。
[0123]本申请要求享有2014年I月13日提交的第10-2014-0004083号韩国专利申请的优先权以及由其产生的所有权益，其全部内容通过引用合并于此。
【主权项】
1.一种显不面板，包括: 基底基板，包括像素区域和外围区域； 半导体层，设置在一部分所述基底基板上； 显示元件，设置在所述像素区域中；以及 第一薄膜晶体管，控制所述显示元件并且包括输入电极、输出电极和控制电极， 其中所述半导体层包括: 第一部分，设置在所述第一薄膜晶体管的所述输入电极上； 第二部分，设置在所述第一薄膜晶体管的所述输出电极上；以及第三部分，所述第三部分连接所述第一部分和所述第二部分、交叠所述第一薄膜晶体管的所述控制电极、并且限定所述第一薄膜晶体管的沟道。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述半导体层包括金属氧化物半导体材料。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中所述第一薄膜晶体管还包括: 绝缘图案部分，设置在所述半导体层上以交叠一部分所述第三部分， 其中所述第一薄膜晶体管的所述控制电极设置在所述绝缘图案部分上。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中所述第三部分包括: 输入区，连接到所述第一部分并且包括自所述金属氧化物半导体材料还原的金属；输出区，连接到所述第二部分并且包括自所述金属氧化物半导体材料还原的所述金属；和 沟道区，设置在所述输入区和所述输出区之间以连接所述输入区和所述输出区，其中所述沟道区交叠所述绝缘图案部分。
5.根据权利要求2所述的显示面板，还包括: 绝缘层，设置在所述第一薄膜晶体管的所述控制电极与所述半导体层之间， 其中所述控制电极被设置为面对所述半导体层并且被设置在所述第三部分下面。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中所述第三部分包括: 输入区，连接到所述第一部分并且包括自所述金属氧化物半导体材料还原的金属；输出区，连接到所述第二部分并且包括自所述金属氧化物半导体材料还原的所述金属；和 沟道区，设置在所述输入区和所述输出区之间以连接所述输入区和所述输出区，其中所述沟道区交叠所述控制电极。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其中所述第一薄膜晶体管还包括: 保护图案部分，设置在所述第三部分的所述沟道区上。
8.根据权利要求2所述的显示面板，还包括: 数据线，所述数据线设置在所述外围区域中、连接到所述第一薄膜晶体管的所述输入电极、并且实质上在第一方向上延伸， 其中所述半导体层还包括连接到所述第一部分并且交叠所述数据线的线部分。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中所述线部分具有在第二方向上的与所述数据线在所述第二方向上的宽度实质上相同的宽度，所述第二方向实质上垂直于所述第一方向。
10.根据权利要求9所述的显示面板，还包括: 栅极线，所述栅极线设置在所述外围区域中，连接到所述控制电极，并且实质上在所述第二方向上延伸。
11.根据权利要求9所述的显示面板，其中所述线部分包括自所述金属氧化物半导体材料还原的金属。
12.根据权利要求1所述的显示面板，还包括: 第二薄膜晶体管，控制流过所述显示元件的驱动电流；以及 电容器，包括: 下电极，连接到所述输出电极；以及 上电极，连接到所述控制电极， 其中所述显示元件包括有机发光二极管。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其中所述有机发光二极管包括: 第一电极，连接到所述第二薄膜晶体管的输出电极； 有机发光层，设置在所述第一电极上；以及 第二电极，设置在所述有机发光层上。
14.根据权利要求12所述的显示面板，其中所述半导体层还包括: 电容部分，连接到所述第二部分并且设置在所述电容器的所述下电极上。
15.根据权利要求1所述的显示面板，还包括: 相对基板，与所述基底基板相对地设置；以及 液晶层，插置在所述基底基板和所述相对基板之间， 其中所述显示元件包括液晶电容器。
16.—种显不面板，包括: 基底基板，包括像素区域和外围区域； 导电层，设置在所述基底基板上； 金属氧化物半导体层，设置在部分的所述导电层上； 显示元件，设置在所述像素区域中；和 薄膜晶体管，控制所述显示元件， 其中所述薄膜晶体管包括: 输入电极，包括所述导电层的第一部分以及设置在所述导电层的所述第一部分上的所述金属氧化物半导体层的第一部分； 输出电极，包括所述导电层的第二部分以及设置在所述导电层的所述第二部分上的所述金属氧化物半导体层的第二部分； 沟道，由所述金属氧化物半导体层的第三部分限定，该第三部分连接所述金属氧化物半导体层的所述第一部分和所述金属氧化物半导体层的所述第二部分；以及 控制电极，设置为交叠所述金属氧化物半导体层的所述第三部分并且与所述金属氧化物半导体层的所述第三部分绝缘。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其中所述薄膜晶体管还包括: 绝缘图案部分，设置在所述金属氧化物半导体层上以交叠所述金属氧化物半导体层的所述第三部分的一部分， 其中所述控制电极设置在所述绝缘图案部分上。
18.根据权利要求16所述的显示面板，其中所述金属氧化物半导体层的所述第三部分包括: 输入区，连接到所述金属氧化物半导体层的所述第一部分并且包括自所述金属氧化物半导体层还原的金属； 输出区，连接到所述金属氧化物半导体层的所述第二部分并且包括自所述金属氧化物半导体层还原的金属；以及 沟道区，设置在所述输入区和所述输出区之间以连接所述输入区和所述输出区。
19.根据权利要求16所述的显示面板，还包括: 绝缘层，设置在所述控制电极和所述半导体层之间， 其中所述控制电极被设置为面对所述金属氧化物半导体层并且被设置在所述第三部分下面。
20.根据权利要求16所述的显示面板，还包括: 数据线，所述数据线设置在所述外围区域中、连接到所述薄膜晶体管的所述输入电极、并且实质上在第一方向上延伸；和 栅极线，所述栅极线设置在所述外围区域中、连接到所述薄膜晶体管的所述控制电极、并且实质上在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸， 其中所述金属氧化物半导体层还包括交叠所述数据线的线部分。
【专利摘要】一种显示面板包括：基底基板，包括像素区域和外围区域；半导体层，设置在一部分基底基板上；显示元件，设置在像素区域中；和第一薄膜晶体管，控制显示元件并且包括输入电极、输出电极和控制电极，其中半导体层包括：第一部分，设置在第一薄膜晶体管的输入电极上；第二部分，设置在第一薄膜晶体管的输出电极上；和第三部分，第三部分连接第一部分和第二部分、交叠第一薄膜晶体管的控制电极、并且限定第一薄膜晶体管的沟道。
【IPC分类】H01L29-786, H01L27-12, G02F1-136, H01L27-32
【公开号】CN104779255
【申请号】CN201510017501
【发明人】赵承奂, 姜闰浩, 罗玄宰, 申永基, 沈栋*
【申请人】三星显示有限公司
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2015年1月12日
【公告号】US20150200240