显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本公开涉及显示面板。更具体地，本公开涉及具有改善的显示品质的显示面板。
【背景技术】
[0002]显示面板包括设置在基底基板上的多个像素。基底基板可以包括多个像素区域以及邻近像素区域设置的外围区域。像素可以分别布置在所述像素区域中。
[0003]每个像素可以包括显示元件和控制显示元件的电路部分。像素中包括的显示元件和电路部分设置在多个像素区域中的相应像素区域中。当在平面图中看时，每个像素区域的开口率根据显示元件的面积与相应像素区域的面积的比值确定。随着电路部分变复杂，由电路部分占据的面积会增加，使得开口率会降低。
【发明内容】
[0004]本发明的示例性实施方式提供一种显示面板，该显示面板包括具有改善的开口率的像素和具有减小的接触电阻的薄膜晶体管。
[0005]本发明的示例性实施方式提供一种显示面板，该显示面板包括:基底基板，包括像素区域和外围区域；半导体层，设置在一部分基底基板上；显示元件，设置在像素区域中；和第一薄膜晶体管，控制显示元件并且包括输入电极、输出电极和控制电极，其中半导体层包括:第一部分，设置在第一薄膜晶体管的输入电极上；第二部分，设置在第一薄膜晶体管的输出电极上；和第三部分，连接第一部分和第二部分、交叠第一薄膜晶体管的控制电极、并且限定第一薄膜晶体管的沟道。
[0006]在示例性实施方式中，半导体层可以包括金属氧化物半导体材料。
[0007]在示例性实施方式中，第一薄膜晶体管还可以包括绝缘图案部分，该绝缘图案部分设置在半导体层上以交叠一部分第三部分，第一薄膜晶体管的控制电极可以设置在绝缘图案部分上。
[0008]在示例性实施方式中，第三部分可以包括:输入区，连接到第一部分并且包括自金属氧化物半导体材料还原的金属；输出区，连接到第二部分并且包括自金属氧化物半导体材料还原的金属；和沟道区，设置在输入区和输出区之间以连接输入区和输出区，其中沟道区可以交叠绝缘图案部分。
[0009]在示例性实施方式中，显示面板还可以包括:绝缘层，设置在第一薄膜晶体管的控制电极与半导体层之间，其中控制电极可以被设置为面对半导体层并且被设置在第三部分下面。
[0010]在示例性实施方式中，第一薄膜晶体管还可以包括设置在第三部分的沟道区上的保护图案部分。
[0011 ] 在示例性实施方式中，显示面板还可以包括数据线，该数据线设置在外围区域中、连接到第一薄膜晶体管的输入电极、并且实质上在第一方向上延伸，半导体层还可以包括连接到第一部分并且交叠数据线的线部分。
[0012]在示例性实施方式中，线部分可以包括自金属氧化物半导体材料还原的金属。
[0013]在示例性实施方式中，线部分具有在第二方向上的与数据线在第二方向上的宽度实质上相同的宽度，该第二方向实质上垂直于第一方向。
[0014]在示例性实施方式中，显示面板还可以包括栅极线，该栅极线设置在外围区域中、连接到控制电极、并且实质上在第二方向上延伸。
[0015]在示例性实施方式中，显示元件包括有机发光二极管。
[0016]在示例性实施方式中，显示面板还可以包括:第二薄膜晶体管，其控制流过显示元件的驱动电流；以及电容器，其包括连接到输出电极的下电极以及连接到控制电极的上电极，其中显示元件可以包括有机发光二极管。
[0017]在示例性实施方式中，有机发光二极管可以包括:第一电极，连接到第二薄膜晶体管的输出电极；有机发光层，设置在第一电极上；以及第二电极，设置在有机发光层上。
[0018]在示例性实施方式中，半导体层还可以包括连接到第二部分并且设置在下电极上的电容部分。
[0019]在示例性实施方式中，显示面板还可以包括:相对基板，与基底基板相对地设置；以及液晶层，插置在基底基板和相对基板之间，其中显示元件可以包括液晶电容器。
[0020]本发明的示例性实施方式提供一种显示面板，该显示面板包括:基底基板，包括像素区域和外围区域；导电层，设置在基底基板上；金属氧化物半导体层，设置在部分的导电层上；显示元件，设置在像素区域中；和薄膜晶体管，其控制显示元件，其中薄膜晶体管包括:输入电极，包括导电层的第一部分以及设置在导电层的第一部分上的金属氧化物半导体层的第一部分；输出电极，包括导电层的第二部分以及设置在导电层的第二部分上的金属氧化物半导体层的第二部分；沟道，由金属氧化物半导体层的第三部分限定，该第三部分连接金属氧化物半导体层的第一部分和金属氧化物半导体层的第二部分；以及控制电极，设置为交叠金属氧化物半导体层的第三部分并且与金属氧化物半导体层的第三部分绝缘。
[0021]在示例性实施方式中，薄膜晶体管还可以包括绝缘图案部分，该绝缘图案部分设置在金属氧化物半导体层上以交叠金属氧化物半导体层的第三部分的一部分，其中控制电极设置在绝缘图案部分上。
[0022]在示例性实施方式中，金属氧化物半导体层的第三部分可以包括:输入区，连接到金属氧化物半导体层的第一部分并且包括自金属氧化物半导体层还原的金属；输出区，连接到金属氧化物半导体层的第二部分并且包括自金属氧化物半导体层还原的金属；以及沟道区，设置在输入区和输出区之间以连接输入区和输出区。
[0023]在示例性实施方式中，显示面板还可以包括设置在控制电极和半导体层之间的绝缘层，其中控制电极被设置为面对金属氧化物半导体层并且被设置在第三部分下面。
[0024]在示例性实施方式中，显示面板还可以包括:数据线，其设置在外围区域中、连接到薄膜晶体管的输入电极、并且实质上在第一方向上延伸；和栅极线，其设置在外围区域中、连接到薄膜晶体管的控制电极、并且实质上在垂直于第一方向的第二方向上延伸，其中金属氧化物半导体层还可以包括交叠数据线的线部分。
[0025]根据此处描述的示例性实施方式，部分半导体层分别直接设置在薄膜晶体管的输入电极和输出电极上。半导体层的设置在输入电极上的第一部分以及半导体层的设置在输出电极上的第二部分连接到半导体层的限定薄膜晶体管的沟道的第三部分。输入电极和输出电极连接到半导体层的第三部分而不用形成接触孔，使得像素的开口率提高。
[0026]在示例性实施方式中，输出电极通过半导体层的第一部分电连接到像素电极。薄膜晶体管的电流路径通过输入电极、半导体层的第三部分、输出电极和像素电极形成。因此，当与具有通过半导体层形成的电流路径的传统薄膜晶体管相比时，薄膜晶体管具有在输出电极与像素电极之间的相对低的接触电阻。在这样的实施方式中，即使在输出电极和像素电极彼此电连接而半导体层的设置在输出电极上的第二部分设置在输出电极和像素电极之间时，薄膜晶体管中的信号延迟，例如电阻-电容(RC)延迟可以被有效地防止。
【附图说明】
[0027]当结合附图考虑时，通过参考以下详细说明，本发明的以上和其它特征将容易变得明显，在图中:
[0028]图1是显示根据本发明的显示面板的示例性实施方式的平面图；
[0029]图2是显示根据本发明的像素的示例性实施方式的等效电路图；
[0030]图3是显示根据本发明的像素的示例性实施方式的平面图；
[0031]图4是沿图3中显示的显示面板的线1-1’截取的截面图；
[0032]图5是沿图3中显示的显示面板的线11-11’截取的截面图；
[0033]图6是显示根据本发明的显示面板的示例性实施方式的一部分的透视图；
[0034]图7是显示根据本发明的像素的示例性实施方式的等效电路图；
[0035]图8是显示根据本发明的像素的示例性实施方式的平面图；
[0036]图9是沿图8中显示的显示面板的线II1-1II’截取的截面图；和
[0037]图10是显示根据本发明的显示面板的替代示例性实施方式的截面图。
【具体实施方式】
[0038]现在，将在下文中参考附图更全面地描述本发明，在附图中显示了不同的实施方式。然而，本发明可以以许多不同的形式实施且不应被理解为限于在此阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并且将向本领域的技术人员全面传达本发明的范围。相同的附图标记始终指代相同的元件。
[0039]将理解，当元件被称为在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上或者其间也可以存在居间元件。相反，当一元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。
[0040]将理解，虽然术语第一、第二等可以用于此来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一区域、层或部分。因而，以下