要求，否则在说明书和权利要求中，词语“包括”、“正包括”、“包含”、“正包含”等将被解释为包含的意义，而不是排他性或详尽的意义；也就是说，以“包括，但不限于”的意义。如通常在此使用的，词语“耦合”或“连接到”指的是可以直接连接，或通过一个或更多个元件连接的两个或多个中间元件。另外，当在本申请中使用时，单词“本文中”、“以上”、“以下”和类似含义的词应指本申请的整体而不是此申请的任何特定部分。只要情况允许，在使用单数或复数数量的详细说明中的词语也可以分别包括复数或单数。在提到的两个或更多个项目的列表时，词语“或”意在覆盖所有的单词的以下解释:该列表中的任何项目、在列表中的所有项目和列表中的项目的任何组合。本文所提供的所有数值或距离也意图包括测量误差内的相似值。
[0043]本文所提供的本发明的教导可以应用于其它系统，而不一定上述系统。上述的各种实施例的元件和操作可以被组合以提供进一步的实施例。可以以任何顺序酌情进行本文所讨论的方法的操作。此外，当合适时，本文中所讨论的方法的操作可以被串联或并行地执行。
[0044]虽然已描述本发明的某些实施例，这些实施例仅通过举例的方式提出，而不是为了限制本公开的范围。的确，这里所描述的新颖的方法和系统可以体现在其他各种形式。例如，应当理解，这里所讨论的原理和优点可以用在需要比例电平电路元件的任何合适的集成电路。此外，可以对本文中所描述的方法和系统的形式做出各种省略、替代和改变，而不脱离本公开的精神。所附权利要求及其等同物旨在覆盖这些形式或修改为落入本公开的范围和精神内。因此，本发明的范围通过参考权利要求书限定。
【主权项】
1.一种装置，包括: 在围绕中心点布置的集成电路上的第一组电路元件，所述第一组电路元件经配置以用作具有第一区域的第一复合电路元件，所述第一组电路元件被排列在二维栅格上；和 在围绕同一中心点布置的同一集成电路上的第二组电路元件，所述第二组电路元件经配置以用作具有第二区域的第二复合电路元件，所述第二组电路元件包括与中心点间隔大约相同距离的四个电路元件，并且第二组电路元件的四个电路元件的每个在至少一个维度离开栅格； 其中包括所述第一组电路元件和所述第二组电路元件的上的相同集成电路上的电路经配置以基于所述第一区域到所述第二区域的比率操作，以及其中所述第一区域比第二区域大至少2倍。
2.如权利要求1所述的装置，其中，所述集成电路被封装在塑料中。
3.如权利要求1所述的装置，其中，所述电路是带隙电路。
4.如权利要求1所述的装置，其中，所述电路是与绝对温度成正比的电路。
5.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一组电路元件包括第一组晶体管，以及其中第二组电路元件包括第二组晶体管。
6.如权利要求5所述的装置，其中，第一组和第二组晶体管的每一个包括双极晶体管，以及其中所述第一区域对应于第一组晶体管的总发射极区域，以及所述第二区域对应于第二组晶体管的总发射极区域。
7.如权利要求5所述的装置，其中，所述第二组晶体管包括: 置于沿着通过中心点的第一轴线并在中心点的相对两侧的两个晶体管；和 沿着通过中心点的第二轴线并在中心点的相对两侧的两个晶体管，其中，所述第一轴线基本上垂直于所述第二轴线。
8.如权利要求7所述的装置，进一步包括布置在沿所述第一轴线和所述第二轴线的交叉图案的虚设晶体管，其中，每个所述虚设晶体管比第二组晶体管的每个晶体管更接近中心点。
9.如权利要求5所述的装置，进一步包括:设置在所述中心点上的虚拟晶体管。
10.如权利要求9所述的装置，进一步包括:附加的虚设晶体管，每个邻接在相对两侧上的第一组晶体管的晶体管。
11.如权利要求1所述的装置，其中，第二组电路元件包括: 在第一维度离开栅格并在第二维度在栅格上的两个电路元件；和 在第二维度离开栅格并在第一维度在栅格上的两个电路元件； 且其中所述第一维度基本垂直于第二维度。
12.如权利要求1所述的装置，其中，第一组电路元件的多个电路元件比第二组电路元件的任何电路元件更接近中心点。
13.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一区域与所述第二区域的比例是偶整数比。
14.一种装置，包括: 在单个集成电路上的晶体管的排列，所述晶体管的布置包括: 第一组晶体管，布置成围绕中心点并且被配置为作为具有第一区域的第一复合晶体管操作； 第二组晶体管，布置成围绕同一中心点并且被配置为作为具有第二区域的第二复合晶体管操作；和 一个或多个虚设晶体管； 其中，所述第一组和第二组晶体管被布置成围绕所述一个或多个虚设晶体管的整个周边，和 其中，第一区域是第二区域的至少两倍。
15.如权利要求14所述的装置，其中，所述一个或多个虚设晶体管包括排列成交叉图案的虚设晶体管。
16.如权利要求15所述的装置，其中，交叉图案的外虚设晶体管邻接相对侧面上的第一组的晶体管以及基本上垂直于相对两侧的另一侧上的第二组的晶体管。
17.如权利要求14所述的装置，其中，所述一个或多个虚设晶体管的一个晶体管设置在中心点上。
18.如权利要求14所述的装置，其中，所述第二组晶体管包括从中心点间隔大约相同距离的四个晶体管。
19.如权利要求14所述的装置，其中，第一组晶体管被布置在栅格上，以及其中所述第二组的各晶体管在一个维度离开栅格。
20.如权利要求14所述的装置，其中，所述第一组的每个晶体管和所述第二组的每个晶体管具有大致相同的总区域。
21.如权利要求14所述的装置，其中，所述单个集成电路被封装在塑料中。
22.如权利要求14所述的装置，其中，所述第一区域是第二区域的至少4倍。
23.如权利要求14所述的装置，其中，所述第一区域是第二区域的至少8倍。
24.如权利要求14所述的装置，其中，所述装置包括被配置为产生基本恒定的参考电压的电压参考电路，以及其中所述参考电压电路包括第一复合晶体管和第二复合晶体管。
25.—种形成集成电路的方法，该方法包括: 在围绕中心点布置的集成电路上形成第一组晶体管，所述第一组晶体管被配置为用作具有第一区域的第一复合晶体管； 在围绕同一中心点电路布置的相同集成电路上形成第二组晶体管，其中第二组的四个晶体管与中心点近似距离相同，第二组晶体管被配置为用作具有第二区域的第二复合晶体管，其中，第一区域比第二区域大至少近似2倍；和 在相同的集成电路商的交叉图案中形成虚设晶体管，其中第一和第二组晶体管围绕所述虚设晶体管的周边形成，以及其中所述虚设晶体管中的一个被布置在所述第一组和第二组晶体管的布置的中心点上。
【专利摘要】本发明涉及复合电路元件的布局。公开了比例电平电路元件(诸如，晶体管)的物理布局。这些布局可以在存在施加到集成电路(诸如，封装在塑料中的集成电路)的机械应力的情况下保持比例电平电路元件相对于彼此的电气特性。比例电平电路元件可以包括由第一组和第二组电路元件形成的第一和第二复合电路元件，所述第一组和第二组电路元件分别围绕中心点设置。第一组电路元件可以布置在栅格上，以及第二组电路元件可以包括与中心点间隔距离近似相等的四个电路元件。第二组中的每个电路元件可在至少一个维度上是离开栅格的。在一些实施例中，第一和第二组电路元件可以被布置成围绕虚拟电路元件的周边。
【IPC分类】H01L27-02
【公开号】CN104835815
【申请号】CN201510062364
【发明人】F·普切尔, C·G·莱登
【申请人】亚德诺半导体集团
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2015年2月6日
【公告号】US20150228636