0的发光效率可藉由控制第一宽度Wl与第二宽度W2的比值(W1/W2)来达到优化的效果。应注意的是，上述的数值范围仅是用来作为示例，而不用于限制本发明。以下将搭配图1至图10，来进行进一步的解说。
[0047]图10是图6的发光二极管芯片中的电流路径的示意图。如图10所示，在发光二极管芯片30发光时，从P型电极201流入的电流CF不会流经电流阻挡层303，而是沿着透明导电层202流动，最后传递到N型电极207，如此可减少位于P型电极201正下方的部分发光层205的发光几率并增加发光层205其余部分的发光几率。如此，发光二极管芯片30的发光效率亦可被提升。
[0048]图11是本发明一实施例的再一种发光二极管芯片的剖面示意图。如图11所示，本实施例的发光二极管芯片30’与图6的发光二极管芯片30类似，差异如下所述。在图11所示的实施例中，电流阻挡层303’更包括高折射率顶层303ht，位于第二低折射率层30312与透明导电层202之间。并且，在本实施例中，高折射率层303hl、303h2与高折射率顶层303ht的厚度为0.15 λ /nh,第一低折射率层30311与第二低折射率层30312的厚度为0.45 λ Zn1,低折射率底层3031b的厚度为0.6 λ /H1O
[0049]如此，发光二极管芯片30’的光提取效率与发光效率亦可藉由电流阻挡层303’的结构而被提升。此外，在本实施例中，各个高折射率层303hl、303h2与303ht以及低折射率层3031b、30311与30312的厚度是依非整数模堆的方式来形成。在此，非整数模堆的意义是指电流阻挡层303’中的相邻折射率层的光程差不等于发光层205所发出光的波长的整数倍。如此一来，以较小入射角朝P型电极201入射的光的反射率，以及朝P型电极201邻近区域传递的光的穿透率可被进一步优化。以下将搭配图12至图13，来进行进一步的解说。
[0050]图12是图6与图11的发光二极管芯片的入射角对反射率的曲线图。与发光二极管芯片30类似，在图11的实施例中，当部分的光从发光层205朝P型电极201传递时，未被电流阻挡层303’反射的入射光亦能被透明导电层202与P型电极201所反射。此外，如图12所示，所述朝P型电极201传递的光的入射角的范围在6至30度之间时，发光二极管芯片30’的反射率与发光二极管芯片30的反射率相较，要来得更高且更均一。
[0051]图13是图6与图11的发光二极管芯片的入射角对穿透率的曲线图。与发光二极管芯片30类似，在图11的实施例中，当部分的光从发光层205朝P型电极201的邻近区域传递，而未被电流阻挡层303’反射时，其将会被折射，且穿透电流阻挡层303’与透明导电层202。此外，如图13所示，所述朝P型电极201的邻近区域传递的光的入射角的范围在O至22度之间时，发光二极管芯片30’的穿透率与发光二极管芯片30的穿透率相较，要来得更尚。
[0052]综上所述，本发明的实施例的发光二极管芯片可藉由控制个别的高折射率层与低折射率层的厚度及配置，当发光层所发出的光束以较小入射角入射电极时，其反射率与穿透率将能被提升，进而提升发光二极管的提取效率以及发光效率。此外，发光二极管芯片亦可藉由电流阻挡层和透明导电层的配置，来避免电流直接通过发光层，而可提升发光二极管的发光效率以及可靠性。
[0053]应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
[0054]上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于包括: 第一型半导体层； 发光层，位于该第一型半导体层上； 第二型半导体层，位于该发光层上； 电流阻挡层，位于该第二型半导体层上； 透明导电层，位于该第二型半导体层上，且覆盖该电流阻挡层；以及 电极，位于与该电流阻挡层相对应的该透明导电层上； 其中，该电流阻挡层与该电极分别在截面上具有第一宽度与第二宽度，且该电流阻挡层的该第一宽度大于该电极的该第二宽度。
2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，该第一宽度与该第二宽度的比值落在1.4至2.6之间。
3.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，该电流阻挡层包括多个高折射率层以及多个低折射率层，且该些高折射率层与该些低折射率层交互堆栈。
4.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，该些高折射率层包括第一高折射率层与第二高折射率层，且该些低折射率层包括: 低折射率底层，位于该第二型半导体层与该第一高折射率层之间； 第一低折射率层，位于该第一高折射率层与该第二高折射率层之间；以及 第二低折射率层，位于该第二高折射率层与该透明导电层之间。
5.如权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，该低折射率底层的厚度大于其他该些低折射率层与该些高折射率层的厚度。
6.如权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，该些高折射率层的厚度为0.25 λ /nh,该第一低折射率层与该第二低折射率层的厚度为0.25 λ Zn1,该低折射率底层的厚度为1.75λ/ηι，其中，λ为该发光层所发出光的波长，nh为该些高折射率层的折射率，且巧为该些低折射率层的折射率。
7.如权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，该些高折射率层还包括高折射率顶层，位于该第二低折射率层与该透明导电层之间。
8.如权利要求7所述的发光二极管芯片，其特征在于，该些高折射率层的厚度为0.15 λ /nh,该第一低折射率层与该第二低折射率层的厚度为0.45 λ Zn1,该低折射率底层的厚度为0.6λ/ηι，其中，λ为该发光层所发出光的波长，nh为该些高折射率层的折射率，且巧为该些低折射率层的折射率。
9.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，该些高折射率层的材料包括二氧化钛。
10.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，该些低折射率层的材料包括二氧化硅。
11.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，该透明导电层的材料包括选自由氧化铟锡、氧化锌、氧化铟镓、掺铝氧化锌、氧化镍、二氧化钌与石墨烯组成的群组的至少其中之一。
12.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，该电流阻挡层中的相邻折射率层的光程差不等于该发光层所发出光的波长的整数倍。
13.如权利要求1至12中任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，从该发光层朝该电极传递的光的入射角的范围在6至30度之间时，反射率在80%以上。
14.如权利要求1至12中任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，从该发光层朝该电极的邻近区域传递的光的入射角的范围在O至22度之间时，穿透率在40%以上。
15.如权利要求13所述的发光二极管芯片，其特征在于，从该发光层朝该电极的邻近区域传递的光的入射角的范围在O至22度之间时，穿透率在40%以上。
【专利摘要】本发明揭示了一种发光二极管芯片，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、电流阻挡层、透明导电层以及电极；发光层位于第一型半导体层上；第二型半导体层位于发光层上；电流阻挡层位于第二型半导体层上；透明导电层位于第二型半导体层上，且覆盖电流阻挡层；电极位于与电流阻挡层相对应的透明导电层上；电流阻挡层与电极分别在截面上具有第一宽度与第二宽度，且电流阻挡层的第一宽度大于电极的第二宽度。本发明的发光二极管芯片具有良好的发光效率。
【IPC分类】H01L33-14, H01L33-38
【公开号】CN104868028
【申请号】CN201510023123
【发明人】吕志轩, 陈誉云, 林永鑫, 李芳仪, 潘锡明
【申请人】璨圆光电股份有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年1月16日