的散热片底座的下表面通过第二导热胶6与第二芯片3的上表面相连，所述凹陷底面与第一芯片8的上表面通过第一导热胶5相连。
[0032]所述下层封装基板I的材料为陶瓷、印刷线路板或金属。
[0033]所述第二灌封胶4的材料为有机树脂。
[0034]所述第一导热胶5的材料为有机导热树脂，且第一导热胶5的厚度为20~60 μπι。
[0035]所述第二导热胶6的材料为有机导热树脂，且第二导热胶6的厚度为20~60 μπι。
[0036]所述上层封装基板7的材料为陶瓷、印刷线路板或金属。
[0037]所述第一灌封胶10的材料为有机树脂。
[0038]所述塑封体11的材料为有机材料。
[0039]一种具有凹陷型散热片底座的封装体堆叠散热结构的制作方法包括以下步骤:
a、选择上层封装基板7，在上层封装基板7的上表面倒装第一芯片8;
b、对第一芯片8进行底填胶水灌封，底填胶水灌封时温度控制在65~75°C，底填胶水灌封结束形成第一灌封胶10 ；
C、在对应第一芯片8位置的上层封装基板7的上表面进行塑封成型，塑封成型时温度控制在170~180°C，塑封成型结束形成塑封体11，塑封体11将第一芯片8封装，由塑封体11完成对第一芯片8的保护；
d、在上层封装基板7的下表面焊接第一锡球9，得到上层封装体；
e、选择下层封装基板1，在下层封装基板I的上表面中部外侧位置倒装第二芯片3;
f、对第二芯片3进行底填胶水灌封，底填胶水灌封时温度控制在65~75°C，底填胶水灌封结束形成第二灌封胶4，得到下层封装体；
g、将下层封装体设置在上层封装体的下方，下层封装体与上层封装体通过第一锡球9实现互联，形成堆叠封装体；
h、在堆叠封装体中的下层封装基板I的下表面焊接第二锡球2，为堆叠封装体与外界电路板的连接做好准备； 1、将具有凹陷结构散热片底座的散热片12倒扣在堆叠封装体上面，通过第二导热胶6实现凹陷外侧位置的散热片底座的下表面与第二芯片3上表面的固定，通过第二导热胶5实现凹陷底面与第一芯片8上表面的固定。
【主权项】
1.一种具有凹陷型散热片底座的封装体堆叠散热结构，包括下层封装基板(1)、第二锡球(2)、第二芯片(3)、第二灌封胶(4)、第一导热胶(5)、第二导热胶(6)、上层封装基板(7)、第一芯片(8)、第一锡球(9)、第一灌封胶(10)、塑封体(11)与散热片(12)，所述散热片(12)具有一体式散热片底座，在散热片底座的下表面中部位置设有凹陷；其特征是:在下层封装基板(I)的下表面焊接有第二锡球(2 )，在下层封装基板(I)的中部上方位置设有上层封装基板(7 )，在上层封装基板(7 )的下表面焊接有第一锡球(9 )，第一锡球(9 )与下层封装基板(I)的上表面接触，在第一锡球(9)外侧位置的下层封装基板(I)的上表面通过第二灌封胶(4)倒装有第二芯片(3)，在上层封装基板(7)的上表面设有塑封体(11)，在对应塑封体(11)内部位置的上层封装基板(7)的上表面通过第一灌封胶(10)倒装有第一芯片(8)，在对应所述凹陷外侧位置的散热片底座的下表面通过第二导热胶(6)与第二芯片(3)的上表面相连，所述凹陷底面与第一芯片(8)的上表面通过第一导热胶(5)相连。2.根据权利要求1所述的具有凹陷型散热片底座的封装体堆叠散热结构，其特征是:所述下层封装基板(I)的材料为陶瓷、印刷线路板或金属。3.根据权利要求1所述的具有凹陷型散热片底座的封装体堆叠散热结构，其特征是:所述第二灌封胶(4)的材料为有机树脂。4.根据权利要求1所述的具有凹陷型散热片底座的封装体堆叠散热结构，其特征是:所述第一导热胶(5)的材料为有机导热树脂，且第一导热胶(5)的厚度为20~60μπι。5.根据权利要求1所述的具有凹陷型散热片底座的封装体堆叠散热结构，其特征是:所述第二导热胶(6)的材料为有机导热树脂，且第二导热胶(6)的厚度为20~60μπι。6.根据权利要求1所述的具有凹陷型散热片底座的封装体堆叠散热结构，其特征是:所述上层封装基板(7)的材料为陶瓷、印刷线路板或金属。7.根据权利要求1所述的具有凹陷型散热片底座的封装体堆叠散热结构，其特征是:所述第一灌封胶(10)的材料为有机树脂。8.根据权利要求1所述的具有凹陷型散热片底座的封装体堆叠散热结构，其特征是:所述塑封体(11)的材料为有机材料。9.一种具有凹陷型散热片底座的封装体堆叠散热结构的制作方法，其特征是该方法包括以下步骤: a、选择上层封装基板(7)，在上层封装基板(7)的上表面倒装第一芯片(8); b、对第一芯片(8)进行底填胶水灌封，底填胶水灌封时温度控制在65~75°C，底填胶水灌封结束形成第一灌封胶(10)； C、在对应第一芯片(8)位置的上层封装基板(7)的上表面进行塑封成型，塑封成型时温度控制在170~180°C，塑封成型结束形成塑封体(11)，塑封体(11)将第一芯片(8)封装，由塑封体(11)完成对第一芯片(8)的保护； d、在上层封装基板(7)的下表面焊接第一锡球(9)，得到上层封装体； e、选择下层封装基板(1)，在下层封装基板(I)的上表面中部外侧位置倒装第二芯片(3)； f、对第二芯片(3)进行底填胶水灌封，底填胶水灌封时温度控制在65~75°C，底填胶水灌封结束形成第二灌封胶(4)，得到下层封装体； g、将下层封装体设置在上层封装体的下方，下层封装体与上层封装体通过第一锡球(9)实现互联，形成堆叠封装体； h、在堆叠封装体中的下层封装基板(I)的下表面焊接第二锡球(2)，为堆叠封装体与外界电路板的连接做好准备；I、将具有凹陷结构散热片底座的散热片(12)倒扣在堆叠封装体上面，通过第二导热胶(6)实现凹陷外侧位置的散热片底座的下表面与第二芯片(3)上表面的固定，通过第二导热胶(5)实现凹陷底面与第一芯片(8)上表面的固定。
【专利摘要】本发明公开了一种具有凹陷型散热片底座的封装体堆叠散热结构及其制作方法，在下层封装基板的下表面焊接有第二锡球，在下层封装基板的中部上方位置设有上层封装基板，在上层封装基板的下表面焊接有第一锡球，第一锡球与下层封装基板的上表面接触，在第一锡球外侧位置的下层封装基板的上表面通过第二灌封胶倒装有第二芯片，在上层封装基板的上表面设有塑封体，在对应塑封体内部位置的上层封装基板的上表面通过第一灌封胶倒装有第一芯片，在对应所述凹陷外侧位置的散热片底座的下表面通过第二导热胶与第二芯片的上表面相连，所述凹陷底面与第一芯片的上表面通过第一导热胶相连。本发明热阻明显减小，可以有效地避免PoP封装具备过热的问题。
【IPC分类】H01L23/367
【公开号】CN104900612
【申请号】CN201510313831
【发明人】徐健, 孙鹏, 周鸣昊
【申请人】华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年6月9日