具有受控的密封间隙的基板支撑件的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明的实施方式大致关于半导体处理设备。
【背景技术】
[0002] 原子层沉积（ALD)及化学气相沉积（CVD)是半导体制造中使用的用以在处理腔室 中的基板上沉积薄膜的两种范例方法。典型的处理腔室包括例如基板支撑板这样的基板支 撑件，以在处理期间支撑基板。基板支撑板可包括：例如形成在基板支撑板的支撑表面中的 通道或其它凹槽，以促进在基板的背侧与支撑表面之间形成真空，从而将基板夹持至基板 支撑件。基板支撑件以基板的背侧提供密封，以允许在基板的背侧与支撑板之间形成真空。
[0003] 发明人已观察到基板与某些基板支撑件材料接触可造成不希望有的基板污染。消 除或减少基板与那些导致基板污染的基板支撑件材料的接触能够消除基板污染，或者减少 基板污染。
[0004] 因此，本发明提供改良的基板支撑件的实施方式。
【发明内容】
[0005] 此处提供基板支撑件的实施方式。在某些实施方式中，基板支撑件可包括支撑板， 所述支撑板具有支撑表面以支撑基板；支撑环，所述支撑环用以于支撑表面的周边处支撑 基板；及多个第一支撑元件，所述多个第一支撑元件布置于支撑环中，其中各个第一支撑元 件的端部分被抬升高于支撑环的上部表面，以在支撑环的上部表面与布置于多个第一支撑 元件的端部分上的虚构平面（imaginaryplane)之间界定间隙。
[0006] 在某些实施方式中，基板支撑件包括支撑板，所述支撑板具有支撑表面以支撑基 板；支撑环，所述支撑环用以于支撑表面的周边处支撑基板；多个第一支撑元件，所述多个 第一支撑元件布置于支撑环中，其中多个第一支撑元件为圆球形且以非金属材料制造形 成，且其中各个第一支撑元件的端部分被抬升高于支撑环的上部表面，以在支撑环的上部 表面与布置于多个第一支撑元件的端部分上的虚构平面之间界定间隙；及多个第二支撑元 件，所述多个第二支撑元件布置于支撑表面中，其中多个第二支撑元件为圆球形且以非金 属材料制造形成，且其中各个第二支撑元件的端部分被抬升高于支撑表面，使得端部分接 触虚构平面且在支撑表面与虚构平面之间界定间隙。
[0007] 以下说明本发明的其它及进一步的实施方式。
【附图说明】
[0008] 以上简短概述及以下更加详细讨论的本发明的实施方式，可通过参考附图中所描 绘的本发明的说明性实施方式而理解。然而应了解，附图仅说明本发明的典型实施方式，且 因此不应考虑为限制本发明的范围，因为本发明可认知有其它等同效果的实施方式。
[0009] 图1描绘根据本发明的某些实施方式的基板支撑件的侧面剖面视图，有基板布置 在基板支撑件上。
[0010]图2描绘图1的基板支撑件的顶部视图，其中基板被移除。
[0011]图3描绘根据本发明的某些实施方式的基板支撑件的侧面剖面视图，且有基板布 置在基板支撑件上。
[0012] 为了帮助理解，已尽可能地使用相同的元件符号以标示各图都有的相同元件。附 图并非依比例绘制且为了清楚而可能简化。应考虑一个实施方式的元件及特征可有益地并 入其它实施方式中而无须进一步说明。
【具体实施方式】
[0013] 在半导体制造处理期间的基板支撑件可由根据此处批露的实施方式的基板支撑 件来提供。实施方式可有益地对基板提供受控密封间隙（sealinggap)、减少的金属污染及 减少的热传导之一或种。
[0014]图1描绘包含支撑板102的基板支撑件100,所述支撑板102具有支撑表面104 以支撑基板。在某些实施方式中，因为一些原因，支撑板102以处理兼容的（process compatible)金属材料形成，例如错、不锈钢、钼或钼合金、镍、或基于镍的合金（例如 Hastelloy?:)，这些原因包括易于制造及热的考虑等等。在某些实施方式中，因为一些 原因，支撑板以处理兼容的非金属材料形成，例如氧化铝（A1203)或陶瓷材料（例如氮化铝 (A1N))，这些原因包括减少基板污染的可能性等等。
[0015] 支撑板102至少可与基板114 一样大，以将基板114支撑在支撑板102上。基板 的直径可为例如200mm、300mm或450mm(7. 87英寸、11. 81英寸或17. 72英寸），而更大和更 小直径的基板也能从本发明的特征得到益处。
[0016] 在某些实施方式中，支撑表面104与基板114具有相同大小，以将基板114支撑在 支撑表面104上。在其它实施方式中，支撑表面104可比基板114更大或更小。
[0017] 在图1的实施方式中，支撑表面104图示为平坦表面。在其它实施方式中，支撑表 面104并非平坦。在某些实施方式中，支撑表面104可具有变化的轮廓。如此处所使用， 变化的轮廓代表在支撑表面104与虚构平面之间所量测的变化的距离，所述虚构平面相对 应至当布置在基板支撑件100上时基板的背侧（例如，在布置于基板支撑件100上的基板 与支撑表面104之间的变化的间隙或凹陷）。举例而言，如图3所示，支撑板102可具有中 央部分302、居间部分304、及周边部分306。在某些实施方式中，中央部分302及周边部分 306以相同方向从居间部分304偏移（例如，在各个部分中的顶部表面与基板的背侧之间 界定变化的间隙）。具有变化的轮廓的支撑表面104可促进由基板支撑件100所支撑的基 板114的更均匀温度轮廓。亦可使用其它构造，包括比三个部分更多或更少的构造。在某 些实施方式中，该轮廓是如图3中的介于各部分之间的台阶状。在其它实施方式中，该轮廓 在各部分之间具有平缓或倾斜的转变（gradualorslopingtransition)。
[0018] 支撑板102可具有布置在支撑表面104中的一个或更多个真空口 122 (某些时候 称为真空夹持孔）。真空口 122可流体耦接至真空源126 (如以下所讨论）。
[0019] 支撑环106可布置在支撑板102上，位于或靠近周边103,亦即，在图1中表示的周 边区域处，所述基板114支撑在支撑环106上。有益地，支撑环106经尺寸设计以支撑将要 在支撑环106上支撑的基板。支撑环106包括中央开口，所述中央开口暴露支撑板102的 支撑表面104的一部分，使得于支撑表面104、支撑环106与虚构平面之间界定间隙109,所 述虚构平面相对应至当布置在基板支撑件100上时基板114背侧的位置。
[0020] 支撑环106可与支撑板102 -体形成，或可分开形成。在支撑环106分开形成的 实施方式中，支撑环106可由足够坚固以在处理条件下维持其形状的延展性材料（例如铝） 形成。分开形成的支撑环106可永久或可移除地耦接至支撑表面104的周边。
[0021] 支撑杆110可布置于支撑板102的下方以支撑支撑板102。在某些实施方式中， 支撑杆110可固定至支撑板102的底部表面108。一个或更多个导管可形成或者布置在支 撑杆110之中。举例而言，真空导管124可布置在支撑杆110之中，且与一个或更多个真空 口 122于第一端处流体耦接。真空导管124的第二端可与真空源126流体耦接，以于支撑 表面104处或靠近支撑表面104提供减少的压力。在某些应用（例如，真空夹盘）中，真空 源126及一个或更多个真空口 122合作，以建立真空条件来限制基板114用于处理。
[0022] 多个第一支撑元件112布置在支撑环106之中或之上，以支撑基板114与支撑环 106的上部表面107分隔开来。第一支撑元件112的端部分支撑基板114与支撑环106分 隔开来，形成受控边缘间隙或间隙120。间隙120因而形成于支撑环的上部表面107与布置 于多个第一支撑元件112的端部分上的虚构平面之间。在某些实施方式中，支撑环106包 括形成于上部表面107中的多个凹槽，适于稳固多个第一支撑元件112的一部分。
[0023] 额外的第二支撑元件116可布置在支撑环106的周围之中，以支撑基板114的内 部部分。第二支撑元件116可布置在支撑板102之中或之上，且具有实质上与第一支撑元 件112的端部分对齐的端部分（例如，在同一虚构平面终止（ending))。第一及第二支撑元 件112、116合作，以支撑基板114与支撑表面104分隔开来，形成间隙109。
[0024] 发明人已观察到在某些应用中，当在基板处理（例如，沉积处理）中使用具有金属 支撑板的基板支撑件时，由于金属对基板的接触的结果，可发生基板的污染。因此，在某些 实施方式中，多个第一及第二支撑元件112、116以非金属材料做成。举例而言