发光装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种发光装置，特别是涉及一种具有反射层的发光装置。
【背景技术】
[0002]发光二极管(LED)的发光原理是因电子移动于η型半导体与P型半导体间释放出能量。由于发光二极管的发光原理不同于加热灯丝的白炽灯，所以发光二极管又称作冷光源。再者，发光二极管较佳的环境耐受度、更长的使用寿命、更轻及便携性、以及较低的耗能让它被视为照明市场中光源的另一选择。发光二极管被应用于如交通号志、背光模块、街灯、以及医疗设备等不同领域，且已逐渐地取代传统光源。
[0003]发光二极管具有的发光叠层外延成长于一导电基板上或一绝缘基板上。具有导电基板的发光二极管可在发光叠层顶部形成一电极，一般称为垂直式发光二极管。具有绝缘基板的发光二极管则需通过蚀刻制作工艺暴露出两不同极性的半导体层，并分别在两半导体层上形成电极，一般称为水平式发光二极管。垂直式发光二极管的优点在于电极遮光面积少、散热效果好、且无额外的蚀刻外延制作工艺，但目前用来成长外延的导电基板却有容易吸收光线的问题，因而影响发光二极管的发光效率。水平式发光二极管的优点在于绝缘基板通常也是透明基板，光可从发光二极管的各方向射出，然而有散热不佳、电极遮光面积多、外延蚀刻制作工艺损失发光面积等缺点。
[0004]上述发光二极管可更进一步的连接于其他元件以形成一发光装置。发光二极管可通过具有基板的那一侧连接于一次载体上，或以焊料或胶材形成于次载体与发光二极管间，以形成一发光装置。此外，次载体可还包含一电路，其通过例如为一金属线的导电结构电连接于发光二极管的电极。
【发明内容】
[0005]为解决上述问题，本发明公开一种发光装置，包含:一发光叠层包含一第一表面及一第二表面相对第一表面，发光叠层发出一光线具有介于365纳米及550纳米之间的波长；以及一第一电极形成于第一表面上且包含一第一金属层及一第二金属层反复交叠，其中第一电极具有一相对光线的反射率大于95%且第一金属层的热稳定性高于第二金属层，而第二金属层对于光线的反射率高于第一金属层。
[0006]本发明还公开一种发光装置，包含:一发光叠层包含一第一表面及一第二表面相对第一表面，发光叠层发出一光线具有介于365纳米及550纳米之间的波长，且第一表面包含一第一部分具有一第一电性及一第二部分具有一第二电性；一第一电极，包含一第一电极垫以及一反射叠层包含一第一金属层及一第二金属层反复交叠且电性导接第一表面的第一部分，反射叠层具有一相对光线的反射率大于95%，其中第一金属层的热稳定性高于第二金属层，而第二金属层对于光线的反射率高于第一金属层；一第二电极，包含一第二电极垫以及一欧姆接触层形成于第一表面的第二部分上；以及一载体包含一第一导接垫电连接于第一电极以及一第二导接垫电连接于第二电极垫。
【附图说明】
[0007]图1A至图1E是本发明发光装置根据一第一实施例的制造方法的示意图；
[0008]图1F是本发明第一实施例中的反射叠层的示意图；
[0009]图2是本发明第二实施例的一发光装置的示意图。
[0010]符号说明
[0011]100发光装置
[0012]101成长基板
[0013]102第一半导体层
[0014]104发光层
[0015]106第二半导体层
[0016]108发光叠层
[0017]108a 第一表面
[0018]108b 第二表面
[0019]110电流阻挡层
[0020]112 第一电极
[0021]112a第一金属层
[0022]112b第二金属层
[0023]114阻障层
[0024]114a第一阻障层
[0025]114b第二阻障层
[0026]116导电接合层
[0027]118导电基板
[0028]L 光线
[0029]120 第二电极
[0030]200发光装置
[0031]202透明基板
[0032]203绝缘层
[0033]204第一半导体层
[0034]206发光层
[0035]208第二半导体层
[0036]210发光叠层
[0037]210a 第一表面
[0038]210b 第一部分
[0039]210c 第二部分
[0040]210d 第二表面
[0041]214a第一金属层
[0042]214b第二金属层
[0043]216阻障层
[0044]218载体
[0045]220第二导接垫
[0046]222第一导接垫
[0047]224第二电极垫
[0048]226第一电极垫
[0049]228第一导电通道
[0050]230第二导电通道
[0051]231欧姆接触层
[0052]L1 光线
【具体实施方式】
[0053]请参阅图1A至图1E，显示根据本发明第一实施例的发光装置制造方法。
[0054]如图1A所不，在一成长基板101上依序外延成长一缓冲层103及一发光叠层108。成长基板101可为透明基板例如为蓝宝石，或导电基板例如为碳化娃。缓冲层103可包含一非故意掺杂的氮化铝、氮化镓铝或氮化镓，发光叠层108可包含氮化镓，缓冲层103可降低成长基板101与发光叠层108间因晶格不匹配而产生的缺陷。发光叠层108可包含一第一半导体层102、一发光层104及一第二半导体层106。第一半导体层102及第二半导体层106可例如为包覆层(cladding layer)或限制层(confinement layer),可分别提供电子、空穴，使电子、空穴于发光层104中结合以发光。第一半导体层102、发光层104、第二半导体层106的材料可包含II1- V族半导体材料，例如AlxInyGau x y)N，其中O兰x，y兰I ;(x+y) ^ I。依据发光层104的材料，发光主体可发出波长介于530纳米及570纳米之间的绿光、波长介于450纳米及490纳米之间的蓝光或是波长介于365纳米至405纳米的紫外光。所述第一半导体层102可为一 η型半导体层，第二半导体层106可为一 P型半导体层。
[0055]如图1B所示，在发光叠层108的一第一表面108a，即第二半导体层106上形成一图案化的电流阻挡层110。电流阻挡层110可为绝缘氧化物例如氧化硅或氧化钛；也可为氮化硅。
[0056]如图1C所不,形成一第一电极112于发光叠层108的第一表面108a上并覆盖电流阻挡层110,接着可于第一表面108a未被覆盖的表面及第一电极112上覆盖一阻障层114其可包含一第一阻障层114a及一第二阻障层114b。电流阻挡层110整体被第一电极112所覆盖，第一电极112在第一表面108a上内缩于阻障层114。第一电极112可为一反射叠层其包含反复交叠的一第一金属层112a及一第二金属层112b,其中第一金属层112a的热稳定性较第二金属层112b高,而第二金属层112b的反射率较第一金属层112a高,例如第一金属层112a可为招,第二金属层112b可为银，同时可配合参阅图1F,第一金属层112a及一第二金属层112b可反复交叠2?12次。在本实施例中，第一电极112具有一第一金属层112a直接接触于第一表面108a。阻障层114的材料可包含钛、鹤、钼、镍的合金或叠层。第一金属层112a的厚度可为I?1A之间,第二金属层112b的厚度可为100?700A之间，特别地，第一金属层112a的厚度可大约为3A,而第一电极112的总厚度可约为1400A至1500A之间或1500A以上。为使第一电极112欧姆接触于发光叠层108的第二半导体层106，在第一电极112形成后可在一温度500度(°C)及持续40分钟的条件下进行主要为第二金属层112b与第二半导体层106之一高温退火，例如第一金属层112b为银，第二半导体层106为P型GaN时,进行一银与p型GaN的高温退火,而第一金属层112a可使第二金属层112b在高温退火过程中保持稳定。第一金属层112a除了可为纯铝以外，也可包含铝、钛、钨、钼、镍的合金或叠层，以增进第一电极112的稳定性。
[0057]请参阅图1D,将一导电基板118通过一导电接合层116接合于发光叠层108,导电接合层116介于导电基板118与阻障层114之间，可包含金、铟、镍等金属或其合金。此时发光叠