层108包含第一半导体层102、发光层104、第二半导体层106介于成长基板101与导电基板118间。可利用一激光(图未示)分解缓冲层103以移除成长基板101，残余的缓冲层103则可用干蚀刻搭配湿蚀刻方式清除。
[0058]请参阅图1E，经图1D清除缓冲层103的制作工艺后，发光叠层108可暴露出一第二表面108b。第二表面108b作为一主出光面且也为第一半导体层102的一表面,第二表面108b可为一粗化表面以增加出光效率。一第二电极120可形成于第二表面108b且对应电流阻挡层110的位置。当一驱动电流通过第二电极120及导电基板118注入发光叠层108时，发光层104会因电子空穴的结合而发出光线L,而光线L可被第一电极112反射而由第二表面108b射出。本实施例中，当光线L的波长介于365纳米?550纳米时，第一电极112可具有大于95%的反射率，甚至可具有至98%至100%的反射率。本实施例通过热稳定性高的第一金属层112a与高反射率的第二金属层112b形成的第一电极112可改善现有技术中以高反射率金属(例如银)与半导体层高温退火后反射率明显降低的现象，而这样的现象是因为高反射率的金属例如银在高温退火后不稳定，且当现有技术的发光叠层接收大于350mA的高电流时,高反射率金属会更不稳定而进一步地降低反射率。本实施例中，第一金属层112a具有接近第二金属层112b的高反射率且与第二半导体层106间也有良好欧姆接触，且第一金属层112a相较第二金属层112b具有较高的热稳定性，因此在第一金属层112a可使第二金属层112b在与第二半导体层106高温退火中保持稳定而不至于在高温退火后产生反射率大幅衰减的现象。此外，在实际测试中，即使对发光叠层108输入略高于350mA的电流，第一电极112的反射率也无明显下降的现象。
[0059]请参阅图2，显示本发明第二实施例的一发光装置。发光装置200包含:一发光叠层210包含一第一表面210a及一第二表面210d相对第一表面210a,发光叠层210发出一光线L1具有相同于第一实施例中光线L的波长，且第一表面210a包含一第一部分210b具有一第一电性及一第二部分210c具有一第二电性；一第一电极217，包含一第一电极垫226以及由一第一金属层214a及一第二金属层214b反复交替形成的反射叠层电性导接第一表面210a的第一部分210b,且具有一相对光线L1的反射率大于95%,使光线L1由第二表面210d射出于发光叠层；一第二电极250，包含一第二电极垫224以及一欧姆接触层231形成于第一表面210a的第二部分210c上；以及一载体218包含一第一导接垫222电连接于第一电极217以及一第二导接垫220电连接于第二电极垫224。发光叠层210可包含一第一半导体层204两侧分别为第一表面210a的第二部分210c及第二表面210d、一发光层206以及一第二半导体层208具有第一表面210a的第一部分210b。第一表面210a的第二部分210c是移除部分的第二半导体层208及发光层206所形成。一绝缘层203形成于发光叠层210的第一表面210a上，并通过蚀刻制作工艺形成沟槽，在后续制作工艺中可填入金属形成导电通道。第一电极217可还包含一阻障层216覆盖第一金属层214a及第二金属层214b所形成的反射叠层以及一第一导电通道228穿透绝缘层203且两端分别连接于阻障层216与第一电极垫226。第一金属层214a及第二金属层214b的材料可与第一实施例相同。第一金属层214a可直接接触于第二半导体层208，且于本实施例中，第一金属层214a及第二金属层214b可反复交叠2?12次，可进一步地提升对于光线L1的反射率至95%以上,甚至98%至100%间。在其他实施例中，一金属氧化层(图未不)可形成于第一电极217与第二半导体层208之间以促进电流分布。第二电极250可另具有一第二导电通道230，其两端分别连接欧姆接触层231及第二电极垫224。一透明基板202可形成于发光叠层210的第二表面210d上，透明基板202可为外延成长发光叠层210的成长基板，例如为蓝宝石基板，但在其他实施例中，透明基板202也可被移除，而第二表面210d可如第一实施例一样经由蚀刻制作工艺形成为粗化表面。第一电极垫226、第二电极垫224、第一导电通道228及第二导电通道230可包含镍、金及/或钛等金属所组成的叠层。第一电极250的欧姆接触层231可包含铬、钼及/或金等金属所组成的叠层。第一电极垫226及第二电极垫224的面积可分别大于第一导电通道228及第二导电通道230的截面积且在绝缘层203的表面上延伸以利于自载体218接收高电流。
[0060]虽然已上公开了本发明，然而其并非用以限制本发明的范围、实施顺序、或使用的材料与制作工艺方法。对于本发明所作的各种修饰与变更，都不脱本发明的精神与范围。
【主权项】
1.一种发光装置，包含: 发光叠层，包含第一表面及第二表面相对该第一表面，该发光叠层发出一光线具有介于365纳米及550纳米之间的波长；以及 第一电极，形成于该第一表面上且包含第一金属层及第二金属层反复交叠，其中该第一电极具有一相对上述光线的反射率大于95%,且该第一金属层的热稳定性高于该第二金属层，而该第二金属层对于上述光线的反射率高于该第一金属层。2.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一金属层直接接触于该第一表面。3.如权利要求1所述的发光装置，还包括:阻障层于该第一表面上覆盖该第一电极；导电基板；导电接合层，形成于该导电基板与该阻障层间；第二电极，具有图形，形成于该第二表面上；以及电流阻挡层，对应该第二电极的位置形成于该第一表面，其中该发光叠层包含第一半导体层，具有该第二表面、第二半导体层具有该第一表面、发光层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间，且该第一电极形成于该第一表面的局部，且上述光线由该第二表面射出于该发光叠层。4.一种发光装置，包含: 发光叠层，包含第一表面及第二表面相对该第一表面，该发光叠层发出一光线具有介于365纳米及550纳米之间的波长，且该第一表面包含第一部分，具有第一电性及第二部分具有第二电性； 第一电极，包含第一电极垫以及反射叠层包含第一金属层及第二金属层反复交叠且电性导接该第一表面的该第一部分，该反射叠层具有一相对上述光线的反射率大于95%，其中该第一金属层的热稳定性高于该第二金属层，而该第二金属层对于上述光线的反射率高于该第一金属层； 第二电极，包含第二电极垫以及欧姆接触层形成于该第一表面的该第二部分上；以及 载体，包含第一导接垫，电连接于该第一电极以及一第二导接垫电连接于该第二电极垫。5.如权利要求1或4所述的发光装置，其中该第一金属层及该第二金属层反复交叠2?12次。6.如权利要求1或4所述的发光装置，其中该第一金属层包含铝，该第二金属层为银，或该第一金属层包含铝、钛、钨、钼、镍的合金或叠层。7.如权利要求1或4所述的发光装置，其中该第一金属层具有一厚度，介于I?1A之间，该第二金属层具有一厚度，介于100A至700A之间。8.如权利要求7所述的发光装置，其中该第一金属层的该厚度大约为3A。9.如权利要求4所述的发光装置，还包含绝缘层，覆盖该第一表面，该第一电极垫及该第二电极垫形成于该绝缘层的一表面与该载体之间，其中该第一电极还包含:阻障层，覆盖该第一表面的该第一部分与该绝缘层间；及第一导电通道，穿透该绝缘层以连接该第一电极垫及该阻障层，该第二电极还包含第二导电通道，穿透该绝缘层以连接该第二电极垫及该欧姆接触层，其中该发光叠层包含:第一半导体层，具有该第一表面的该第二部分及该第二表面；第二半导体层，具有该第一表面的该第一部分；以及发光层，形成于该第一半导体层与该第二半导体层之间，且上述光线由该第二表面射出于该发光叠层。10.如权利要求1或4所述的发光装置，其中该第一金属层及该第二金属层所形成的叠 层相对上述光线的反射率介于98%至100%之间。
【专利摘要】本发明公开一种发光装置，其包含:一发光叠层，包含一第一表面及一第二表面相对第一表面，发光叠层发出一光线具有介于365纳米及550纳米之间的波长；以及一第一电极形成于第一表面上且包含一第一金属层及一第二金属层反复交叠，其中第一电极具有一相对光线的反射率大于95%，且第一金属层的热稳定性高于第二金属层，而第二金属层对于光线的反射率高于第一金属层。
【IPC分类】H01L33/40
【公开号】CN105006506
【申请号】CN201410153276
【发明人】黄启豪, 刘秀凰, 余子强, 富振华
【申请人】晶元光电股份有限公司
【公开日】2015年10月28日
【申请日】2014年4月16日