[0035]步骤S150:在待校准机台的校温菜单内根据第二高温计和热电偶测得的温度曲线绘制校温曲线。
[0036]在待校准机台内在预定热处理菜单下对校准基片210进行热处理时，位于第二支撑装置230下方的第二高温计240将测量到一个温度曲线，而设置在校准基片210内的热电偶220也能测量到一个温度曲线。第二高温计240测量到的温度曲线更接近于第二支撑装置230的温度曲线，而热电偶220测量到的是校准基片210的实际温度曲线。由于第二支撑装置230的温度可能与校准基片210的温度存在差异，因此第二高温计240测量到的温度曲线可能与热电偶220测量到的温度曲线存在差异。
[0037]在通过第二高温计240采集到读出温度曲线以及通过热电偶220采集到实际温度曲线之后，在待校准机台的校温菜单内根据第二高温计和热电偶测得的温度曲线绘制校温曲线。具体地，在本发明的MASSON热处理机台中，可以运行L0WCAL.1校温菜单，通过LOffCAL.1菜单中的拟合程序生成校温曲线。
[0038]步骤S160:在待校准机台的调节菜单内调整校温曲线的偏移量，以使热电偶测量的校准基片的第二温度曲线与第一温度曲线在热处理的主工艺阶段匹配，得到校准后的热处理菜单。
[0039]将步骤S150中生成的校温曲线调入到待校准机台中的预定热处理菜单下运行，对校准基片210进行热处理。设置在校准基片210上的热电偶220将测量校准基片210的实际温度，为了区别于热电偶220在参考机台中测量到的第一温度曲线，将热电偶220在待校准机台上测量到的温度曲线定义为第二温度曲线。将第一温度曲线与第二温度曲线进行匹配，在待校准机台的调节菜单内调整校温曲线的偏移量，并再次将调整后的校准曲线调入到待校准机台中的预定热处理菜单下运行，如此循环，直至在此过程中热电偶220测量的校准基片210的第二温度曲线与第一温度曲线在热处理的主工艺阶段能够匹配，得到最终的校准后的热处理菜单。
[0040]由于在实际生产过程中，存在传片的过程，例如取片、装片。因此，为了使校准的结果能够更好地服务实际生产，可以在上述循环运行预定热处理菜单的过程中，在执行相邻的两次热处理之间还包括将待校准机台的腔体打开两次，以模拟实际生产过程中的传片过程。开启待校准机台的腔体之间的时间间隔可以根据实际情况进行确定。作为示例，在根据本发明的一个实施例中，两次开启待校准机台的腔体之间的时间间隔可以为5秒?15秒，例如10秒。
[0041]在MASSON快速热处理机台上通过调节菜单来调整校温曲线的偏移量时，偏移量与其对主工艺温度的改变量的大小将受到主工艺的温度、热电偶的初始温度、机台的性能等影响。因此，在根据本发明的一个优选实施例中，通过在待校准机台的调节菜单内调整校温曲线的偏移量来调整主工艺温度之前，还可以先确定偏移量与主工艺温度的改变量之间的对应关系。即确定偏移量每改变I度，对应的主工艺温度改变的量。偏移量与主工艺温度的改变之间的对应关系可以通过对多次实验结果进行拟合的方法获得。作为示例，在根据本发明的一个实施例中，在低温热处理工艺过程中，热处理温度小于900°C，例如750°C，偏移量每改变I度，主工艺温度改变I度。在根据本发明的另一个实施例中，在高温热处理工艺中，热处理温度大于900°C，例如，1035°C，偏移量每改变I度，主工艺温度改变1.2度-1.5度。
[0042]此外，还可以建立偏移量的改变与主工艺温度的改变之间的对应关系的数据库。该数据库可以包括在不同的主工艺温度和不同的热电偶的初始温度条件下的多个对应关系。这样，在确定偏移量时可以根据主工艺温度和热电偶的初始条件到数据库中查到到与当如进彳丁的热处理向对应的对应关系，以提闻效率。
[0043]在确定了偏移量和主工艺温度的改变量之间的关系后，可以根据调整前的第二温度曲线与第一温度曲线在主工艺阶段之间的差值来设置偏移量，以使第二温度曲线能够在主工艺阶段与第一温度曲线匹配。
[0044]优选地，还可以对通过上述方法匹配的第二温度曲线进行检验，以验证第二温度曲线在主工艺阶段是否与目标温度曲线匹配。该目标温度曲线是指主工艺阶段期望的温度曲线。进行检测的方法可以有多种，例如离子注入与快速热处理结合的方法、金属沉积与快速热处理结合的方法等。
[0045]作为示例，在根据本发明的一个实施例中，可以采用离子注入与快速热处理结合的方法来验证第二温度曲线在主工艺阶段是否与目标温度曲线匹配。具体地，首先如图3A所示，提供验证基片310，该验证基片310内形成有注入层320。该注入层320可以通过离子注入等方法形成。其次，如图3B所示，将验证基片310放置在待校准机台中的第二支撑装置230上，运行校准后的热处理菜单，以对验证基片310进行热处理。热处理工艺将对验证基片310上的注入层320产生影响，例如使其扩散等，进一步会影响验证基片310的电阻率。在对验证基片310进行热处理之后，检测验证基片310在不同的主工艺温度下的电阻率，并通过已知的电阻率与主工艺的实际温度之间的关系，计算主工艺的实际温度。
[0046]综上所述，根据本发明的用于MASSON快速热处理机台的温度校准的方法通过调整校温曲线的偏移量，以使热电偶测量的待校准机台上的校准基片的第二温度曲线与在参考机台上的校准基片的第一温度曲线在热处理的主工艺阶段匹配，得到校准后的热处理菜单。该校准方法适用于高温热处理工艺和第二热处理工艺，校准效率高。此外，校准基片可重复利用，成本低。
[0047]本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【主权项】
1.一种用于MASSON快速热处理机台的温度校准的方法，其特征在于，所述方法包括: a)提供参考机台、待校准机台和校准基片，其中，所述参考机台和所述待校准机台内分别设置有第一高温计和第二高温计，所述校准基片上设置有用于测量所述校准基片的温度的热电偶； b)将所述校准基片放置在所述参考机台内； c)在预定热处理菜单下对所述校准基片进行热处理，并通过所述热电偶测量所述校准基片的第一温度曲线； d)将所述校准基片放置在所述待校准机台内，并将所述预定热处理菜单复制到所述待校准机台，以在所述待校准机台内在所述预定热处理菜单下对所述校准基片进行热处理； e)在所述待校准机台的校温菜单内根据所述第二高温计和所述热电偶测得的温度曲线绘制校温曲线；以及 f)在所述待校准机台的调节菜单内调整所述校温曲线的偏移量，以使所述热电偶测量的所述校准基片的第二温度曲线与所述第一温度曲线在热处理的主工艺阶段匹配，得到校准后的热处理菜单。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述校准基片在所述参考机台内进行的热处理工艺和在所述待校准机台内进行的具有相同的初始条件。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在所述f)步骤之前还包括: 确定所述偏移量与主工艺温度的改变之间的对应关系；以及 根据调整前的第二温度曲线与所述第一温度曲线在所述主工艺阶段之间的差值来设置所述偏移量。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括: 建立所述偏移量与所述主工艺温度的改变之间的对应关系的数据库，所述数据库包括在不同的所述主工艺温度和不同的所述热电偶的初始温度条件下的多个对应关系。5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在低温热处理工艺中，所述偏移量每改变I度，所述主工艺温度改变I度。6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在高温热处理工艺中，所述偏移量每改变I度，所述主工艺温度改变1.2-1.5度。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在所述f)步骤之后，还包括验证所述第二温度曲线在所述主工艺阶段是否与目标温度曲线匹配。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述验证的方法包括: 提供验证基片，所述验证基片内形成有注入层； 将所述验证基片放置在所述待校准机台中，运行所述校准后的热处理菜单对所述验证基片进彳丁热处理；以及 检测所述验证基片在不同的主工艺温度下的电阻率，并通过所述电阻率计算所述主工艺的实际温度。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述f)步骤中在执行相邻的两次热处理之间还包括将所述待校准机台的腔体打开两次。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，两次开启所述待校准机台的所述腔体之间的时间间隔为5s?15s。
【专利摘要】公开一种用于MASSON快速热处理机台的温度校准的方法。其包括：提供具有第一高温计的参考机台、具有第二高温计的待校准机台和具有热电偶的校准基片；将校准基片置于参考机台内；在预定热处理菜单下对校准基片进行热处理，通过热电偶测量校准基片的第一温度曲线；将校准基片置于待校准机台内，并将预定热处理菜单复制到待校准机台，在待校准机台内在预定热处理菜单下对校准基片进行热处理；在待校准机台的校温菜单内根据第二高温计和热电偶测得的温度曲线绘制校温曲线；在待校准机台的调节菜单内调整校温曲线的偏移量，使热电偶测量的校准基片的第二温度曲线与第一温度曲线在主工艺阶段匹配，得到校准后的热处理菜单。该方法效率高成本低。
【IPC分类】H01L21/00, H01L21/66
【公开号】CN105097420
【申请号】CN201410187232
【发明人】谭秀文, 雷声宏
【申请人】无锡华润上华科技有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年5月5日