[0095] 基材Ia的厚度可以适当地确定，通常为5 μπι以上且200 μπι以下左右，优选为 35μπι以上且120μπι以下。
[0096] 需要说明的是，基材Ia中也可以含有各种添加剂（例如，着色剂、填充剂、增塑剂、 抗老化剂、抗氧化剂、表面活性剂、阻燃剂等）。
[0097] 用于粘合剂层Ib形成的粘合剂，只要是在半导体晶片的背面研削时可以保持半 导体晶片，并且在背面研削后可以从半导体晶片上剥离的材料，就没有特别限制。例如，可 以使用丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂等一般的压敏性粘接剂。作为上述感压性胶粘剂，从 半导体晶片、玻璃等忌避污染的电子部件的利用超纯水或醇等有机溶剂进行清洗的洁净清 洗性等方面出发，优选以丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂。
[0098] 作为上述丙烯酸系聚合物，可以列举将丙烯酸酯用作主单体成分的聚合物。作为 上述丙烯酸酯，例如可以列举使用（甲基）丙烯酸烷基酯（例如甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、 丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、 癸酯、异癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、十八烷酯、二十烷酯等 烷基的碳原子数为1~30、尤其是碳原子数为4~18的直链状或支链状的烷基酯等）及 (甲基）丙烯酸环烷基酯（例如环戊酯、环己酯等）中的一种或两种以上作为单体成分的丙 烯酸系聚合物等。需要说明的是，（甲基）丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本 发明的（甲基）均为相同的含义。
[0099] 以凝聚力、耐热性等的改性为目的，上述丙烯酸系聚合物根据需要可以包含能够 与上述（甲基）丙烯酸烷基酯或环烷基酯共聚的其他单体成分所对应的单元。作为这样的 单体成分，例如可以列举：丙烯酸、甲基丙烯酸、（甲基）丙烯酸羧基乙酯、（甲基）丙烯酸 羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体； (甲基）丙烯酸2-羟基乙酯、（甲基）丙烯酸2-羟基丙酯、（甲基）丙烯酸4-羟基丁酯、 (甲基）丙烯酸6-羟基己酯、（甲基）丙烯酸8-羟基辛酯、（甲基）丙烯酸10-羟基癸酯、 (甲基）丙烯酸12-羟基月桂酯、（甲基）丙烯酸（4-羟基甲基环己基）甲酯等含羟基单 体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基）丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、（甲基）丙烯酰胺丙磺 酸、（甲基）丙烯酸磺丙酯、（甲基）丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；2-羟基乙基丙烯 酰基磷酸酯等含磷酸基单体；丙烯酰胺、丙烯腈等。这些能够共聚的单体成分可以使用1种 或2种以上。这些能够共聚的单体的使用量优选为全部单体成分的40重量％以下。
[0100] 此外，上述丙烯酸系聚合物为了交联，也可以视需要包含多官能性单体等作为共 聚用单体成分。作为这样的多官能性单体，例如可以列举：己二醇二（甲基）丙烯酸酯、 (聚）乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基） 丙烯酸酯、季戊四醇二（甲基）丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇三 (甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸环氧酯、聚酯（甲基） 丙烯酸酯、氨基甲酸酯（甲基）丙烯酸酯等。这些多官能性单体也可以使用一种或两种以 上。从粘合特性等方面出发，多官能性单体的使用量优选为全部单体成分的30重量％以 下。
[0101] 上述丙烯酸系聚合物可通过将单一单体或2种以上单体混合物供于聚合而获得。 聚合可以通过溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等任一种方式进行。从防止对洁净 的被粘接体的污染等方面出发，优选为低分子量物质的含量小。从这方面出发，丙烯酸系聚 合物的数均分子量优选为30万以上，进一步优选为40万~300万左右。
[0102] 另外，为了提高作为基础聚合物的丙烯酸系聚合物等的数均分子量，在上述粘合 剂中还可以适当地采用外部交联剂。作为外部交联方法的具体的方法，可列举添加聚异氰 酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交联剂等所谓的交联剂而使其反应的 方法。在使用外部交联剂的情况下，其使用量根据与应交联的基础聚合物的平衡、以及作为 粘合剂的使用用途来适当地确定。一般而言，相对于上述基础聚合物100重量份，优选配合 5重量份左右以下，进一步优选配合0. 1~5重量份。此外，在粘合剂中，视需要，除了上述 成分以外，还可以使用以往公知的各种增粘剂、抗老化剂等添加剂。
[0103] 粘合剂层Ib可以利用放射线固化型粘合剂来形成。放射线固化型粘合剂通过紫 外线等放射线的照射而使交联度增大，能够容易地降低其粘合力，并且能够容易地进行拾 取。作为放射线，可列举X射线、紫外线、电子束、α射线、β射线、中子射线等。
[0104] 放射线固化型粘合剂可以无特别限制地使用具有碳-碳双键等放射线固化性的 官能团且显示粘合性的粘合剂。作为放射线固化型粘合剂，例如，可例示出在上述丙烯酸系 粘合剂、橡胶系粘合剂等一般的压敏性粘合剂中配合了放射线固化性的单体成分、低聚物 成分的添加型的放射线固化性粘合剂。
[0105] 作为所配合的放射线固化性的单体成分，例如可列举：氨基甲酸酯低聚物、氨基甲 酸酯（甲基）丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四（甲基）丙烯 酸酯、季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五 (甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、1，4-丁二醇二（甲基）丙烯酸酯等。 另外，放射线固化性的低聚物成分可以列举氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚 丁二烯系等各种低聚物，适宜为重均分子量为100~30000左右的范围的物质。放射线固 化性的单体成分、低聚物成分的配合量可以根据上述粘合剂层的种类而适当地确定能够降 低粘合剂层的粘合力的量。一般而言，相对于构成粘合剂的丙烯酸系聚合物等基础聚合物 100重量份，例如为5~500重量份，优选为40~150重量份左右。
[0106] 另外，作为放射线固化型粘合剂，除了上述说明的添加型的放射线固化性粘合剂 以外，可以列举使用了在聚合物侧链、或者主链中或主链末端具有碳-碳双键的聚合物作 为基础聚合物的内在型的放射线固化性粘合剂。内在型的放射线固化性粘合剂无需含有或 无需大量含有作为低分子量成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不会经时地在粘合剂 中移动，能够形成稳定的层结构的粘合剂层，因此优选。
[0107] 上述具有碳-碳双键的基础聚合物可以无特别限制地使用具有碳-碳双键且具有 粘合性的聚合物。作为这样的基础聚合物，优选以丙烯酸系聚合物作为基本骨架的聚合物。 作为丙烯酸系聚合物的基本骨架，可以列举上述例示的丙烯酸系聚合物。
[0108] 向上述丙烯酸系聚合物中导入碳-碳双键的方法没有特别的限制，可以采用各种 方法，在分子设计中容易将碳-碳双键导入到聚合物侧链中。例如可以列举如下方法，即， 预先将丙烯酸系聚合物与具有官能团的单体共聚后，使具有能够与该官能团反应的官能团 及碳-碳双键的化合物，在维持碳-碳双键的放射线固化性的状态下进行缩聚或加成反应。 [0109] 作为这些官能团的组合的示例，可列举羧酸基与环氧基、羧酸基与氮丙啶基、羟基 与异氰酸酯基等。在这些官能团的组合中，从追踪反应的容易性出发，优选羟基与异氰酸酯 基的组合。另外，若是通过这些官能团的组合而生成上述具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合 物的组合，则官能团可位于丙烯酸系聚合物和上述化合物的任一侧，在上述优选的组合中， 优选丙烯酸系聚合物具有羟基、上述化合物具有异氰酸酯基的情形。在该情况下，作为具有 碳-碳双键的异氰酸酯化合物，例如，可以列举甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基 乙基异氰酸酯、间异丙烯基_α，α-二甲基苄基异氰酸酯等。另外，作为丙烯酸系聚合物， 使用将上述例示的含羟基单体、2-羟基乙基乙烯基醚、4-羟基丁基乙烯基醚、二乙二醇单 乙烯基醚的醚系化合物等共聚而得到的聚合物。
[0110] 上述内在型的放射线固化性粘合剂可以单独使用上述具有碳-碳双键的基础聚 合物（特别是丙烯酸系聚合物），但也可以以不会使特性变差的程度配合上述放射线固化 性的单体成分、低聚物成分。放射线固化性的低聚物成分等通常相对于基础聚合物100重 量份为30重量份的范围内，优选为0~10重量份的范围。
[0111] 在上述放射线固化型粘合剂中，在利用紫外线等使其固化的情况下，优选含有光 聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如可以列举：4-(2-羟基乙氧基）苯基（2-羟基-2-丙 基）酮、α-羟基-α，α 二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯酮等 α -酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2, 2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2, 2-二乙氧基苯乙酮、 2-甲基-1-[4-(甲基硫代）_苯基]-2-吗啉代丙烷-1等苯乙酮系化合物；苯偶姻乙基醚、 苯偶姻异丙基醚、茴香偶姻（7二V O )甲基醚等苯偶姻醚系化合物；苄基二甲基缩酮等 缩酮系化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物；1-苯酮-1，2-丙二酮-2-( 〇-乙氧基 羰基）肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3, 3' -二甲基-4-甲氧基二苯 甲酮等苯酮系化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2, 4-二甲基噻吨酮、异丙基噻 吨酮、2, 4-二氯噻吨酮、2, 4-二乙基噻吨酮、2, 4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮系化合物；樟脑 醌；卤化酮；酰基氧化膦；酰基磷酸酯等。光聚合引发剂的配合量相对于构成粘合剂的丙烯 酸系聚合物等基础聚合物100重量份例如为0. 05~20重量份左右。
[0112] 需要说明的是，在放射线照射时发生氧所致的固化阻碍的情况下，理想的是利用 某些方法从放射线固化型的粘合剂层Ib的表面阻断氧（空气）。例如可列举：以隔离件被 覆粘合剂层Ib的表面的方法；在氮气气氛中进行紫外线等放射线的照射的方法等。
[0113] 需要说明的是，在粘合剂层Ib中还可以含有各种添加剂（例如着色剂、增稠剂、增 量剂、填充剂、增粘剂、增塑剂、抗老化剂、抗氧化剂、表面活性剂、交联剂等）。
[0114] 粘合剂层Ib的厚度没有特别限定，而从防止芯片切断面的残缺、底部填充用粘接 膜2的固定保持的兼顾性等观点考虑，优选为1~50 μ m左右。优选为2~30 μ m，进一步 优选为5~25 μ m。
[0115] (背面研削用胶带一体型底部填充用粘接膜的制造方法）
[0116] 背面研削用胶带一体型底部填充用粘接膜10,例如可以通过分别制作背面研削用 胶带1和底部填充用粘接膜2,最后将它们贴合而制作。
[0117] (使用背面研削用胶带一体型底部填充用粘接膜的半导体装置的制造方法）
[0118] 接着，对使用背面研削用胶带一体型底部填充用粘接膜10的半导体装置的制造 方法进行说明。图2是表示使用背面研削用胶带一体型底部填充用粘接膜10的半导体装 置的制造方法的各工序的图。
[0119] 具体而言，该半导体装置的制造方法，包括：贴合工序，将半导体晶片3的形成有 连接部件4的电路面3a和背面研削用胶带一体型底部填充用粘接膜10的底部填充用粘接 膜2贴合；研削工序，研削半导体晶片3的背面3b ;晶片固定工序，将切割胶带11粘贴在半 导体晶片3的背面3b上；剥离工序，剥离背面研削用胶带1 ;切割工序，切割半导体晶片3， 形成带有底部填充用粘接膜2的半导体芯片5 ;以及拾取工序，从切割胶带11上剥离带有 底部填充用粘接膜2的半导体芯片5 ;连接工序，用底部填充用粘接膜2填充被粘物6和半 导体芯片5之间的空间，并通过连接部件4将半导体芯片5和被粘物6电连接；以及固化工 序，使底部填充用粘接膜2固化。
[0120] <贴合工序>
[0121] 在贴合工序中，将半导体晶片3的形成有连接部件4的电路面3a和背面研削用胶 带一体型底部填充用粘接膜10的底部填充用粘接膜2贴合（参照图2A)。
[0122] 在半导体晶片3的电路面3a上形成多个连接部件4 (参照图2