基板检查装置和基板温度调节方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及对载置于载置台上的基板进行检查的基板检查装置和基板温度调节方法。
【背景技术】
[0002]对形成于作为基板的半导体晶片(以下称为“晶片”)的半导体器件例如功率器件和存储器的电特性进行检查的装置，已知探针台。探针台具备:具有多个探针的探针卡；和载置晶片向上下左右移动自如的台，通过使探针卡的各探针与半导体器件所具有的电极垫、焊料突起(Solder bump)接触，从各探针向电极垫(electrode pad)、焊料突起流动检查电流来检查半导体期间的电特性。此外，探针台具有根据由探针卡进行的半导体器件的电特性的检查结果，判定半导体器件的良好/不良好的测试头(例如，参照专利文献I)。
[0003]另外，由于车载用的半导体器件在恶劣环境下使用，所以需要在这样恶劣的环境下保证半导体器件的工作。于是，在探针台上，有时在将晶片加热后的高温环境下对半导体器件的电特性进行检查。与此相对，在功率器件的检查中流动检查电流的情况下以及在形成于晶片的多个存储器的各个检查电路中一并流动检查电流的情况下，来自晶片的发热量变大，因此也有一边将晶片冷却一边检查半导体器件的电特性的情况。
[0004]于是，在现有的探针台中，如图9所示，载置台70内置加热器71，介质流路72通过载置台70，从冷机73向介质流路72供给低温介质，通过控制加热器71的开关和/或向介质流路72供给低温介质的供给量，对载置于载置台70的晶片W进行加热或冷却。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本特开平7-297242号公报
【发明内容】
[0008]发明想要解决的技术问题
[0009]但是，图9的探针台中存在如下问题，即，在冷机73供给例如-30°C的低温介质的情况下，在功率器件的检查电路中流通检查电流，由此，当为了将温度上升到高温例如95°C的晶片W冷却到期望的温度例如85°C而向介质流路72供给低温介质时，期望的温度与低温介质的温度之差大，因此载置台70的温度摇摆，难以将晶片W维持在期望的温度。
[0010]为了抑制这样的载置台70的温度的摇摆，也尝试向介质流路供给比较高温例如75°C的介质，但冷机73通常不使供给的介质的温度变化，因此有如下问题，S卩，由于晶片W与载置台70之间的传热条件，即使能够使晶片W的温度接近期望的温度，也不能使其达到期望的温度。
[0011 ] S卩，探针台在检查晶片W的功率器件和存储器的电特性时，难以将晶片W调节到期望的温度。
[0012]本发明的目的在于提供能够将基板调节到期望的温度的基板检查装置和基板温度调节方法。
[0013]解决技术问题的技术方案
[0014]为了解决上述技术问题，根据本发明，提供一种基板检查装置，其包括:载置形成有半导体器件的基板的载置台；对上述被载置的基板的上述半导体器件的电特性进行检查的检查部；调节上述载置台的温度的温度调节部；和通过上述载置台的介质流路，上述温度调节部包括:向上述介质流路供给高温介质的高温介质供给部；向上述介质流路供给低温介质的低温介质供给部；和将向上述介质流路供给的上述高温介质和上述低温介质混合的介质混合部。
[0015]本发明中优选:上述介质混合部包:控制上述高温介质的流量的第一控制阀；和控制上述低温介质的流量的第二控制阀，在将上述高温介质和上述低温介质混合之前，上述第一控制阀控制上述高温介质的流量，并且上述第二控制阀控制上述低温介质的流量。
[0016]本发明中优选:上述介质流路具有在上述载置台的下游分支到循环路径的分支点，上述循环路径在上述介质混合部与上述载置台之间的合流点连接到上述介质流路，还包括从上述分支点向上述合流点压送混合后的上述高温介质和上述低温介质的栗。
[0017]本发明中优选:上述基板为圆板状的半导体晶片，上述基板的直径为300mm以上。
[0018]本发明中优选:上述高温介质的温度为20°C?180°C，上述低温介质的温度为-100。。?60。。。
[0019]本发明中优选:还包括在上述介质混合部和上述载置台之间配置于上述介质流路的温度传感器。
[0020]本发明中优选:还包括配置于上述载置台的温度传感器。
[0021]本发明中优选:还包括配置于上述载置台的加热器和珀耳帖元件中的一者或两者。
[0022]为了解决上述技术问题，根据本发明，提供一种用于基板检查装置的基板温度调节方法，该基板检查装置包括:载置形成有半导体器件的基板的载置台；对上述被载置的基板的上述半导体器件的电特性进行检查的检查部；调节上述载置台的温度的温度调节部；和通过上述载置台的介质流路，在上述基板温度调节方法中，上述温度调节部包括:向上述介质流路供给高温介质的高温介质供给部；和向上述介质流路供给低温介质的低温介质供给部，将上述高温介质和上述低温介质混合而供给至上述介质流路。
[0023]本发明中优选:在将上述高温介质和上述低温介质混合之前，控制上述高温介质的流量，并且控制上述低温介质的流量。
[0024]本发明中优选:上述介质流路在上述载置台的下游的分支点之间分支到循环路径，上述循环路径在上述载置台的上游的合流点连接到上述介质流路，在上述合流点和上述分支点之间的上述介质流路以及上述循环路径中使混合后的上述高温介质和上述低温介质循环。
[0025]本发明中优选:上述温度调节部包括配置于上述载置台的加热器，通过使上述加热器工作，来提高上述载置台的温度调节范围的上限值。
[0026]本发明中优选:上述温度调节部还包括配置于上述载置台的珀耳帖元件，通过使上述珀耳帖元件作为加热元件工作，来提高上述载置台的温度调节范围的上限值，通过使上述?自耳帖元件作为冷却元件工作，来降低上述载置台的上述温度调节范围的下限值。
[0027]发明效果
[0028]根据本发明，由于将向通过载置台的介质流路供给的高温介质和低温介质混合，因此能够调节介质流路中流动的介质的温度，能够利用调节了温度的介质来调节载置于载置台的基板的温度。其结果，能够将基板调节为期望的温度。
【附图说明】
[0029]图1是表示作为本发明的第一实施方式的基板检查装置的探针台的概略结构的立体图。
[0030]图2是表示图1的探针台所具有的载置台的移动机构的概略结构的立体图。
[0031]图3是表示图1的探针台所具有的温度调节系统的概略结构的框图。
[0032]图4是表示图3的温度调节系统中的各阀的配置的配管图。
[0033]图5是表示作为本发明的第二实施方式的基板检查装置的探针台所具有的温度调节系统的概略结构的框图。
[0034]图6是表示图5的温度调节系统中的各阀的配置的配管图。
[0035]图7A是表示图1的探针台所具有的载置台的第一例的概略构造的剖面图。
[0036]图7B是表示图1的探针台所具有的载置台的第二例的概略构造的剖面图。
[0037]图8是将图7A和图7B的2个载置台的温度调节范围进行比较地示意性示出的图。
[0038]图9是表示现有的探针台中的温度调节系统的概略结构的框图。
【具体实施方式】
[0039]以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
[0040]首先，