阀42，通过低温介质控制阀42关闭，防止在第二回流路34中流动的调温后混合介质向混合阀单元29流入。
[0062]在混合阀单元29与载置台11之间的调温流路28配置有温度传感器43，温度传感器43测定混合介质的温度。此外，温度传感器43与控制器44连接，控制器44根据测定到的混合介质的温度控制高温介质分流阀37、低温介质分流阀38的工作，控制高温介质的分流量和低温介质的分流量，调节混合介质的温度。另外，控制器44还控制高温介质分流阀37、低温介质分流阀38以外的阀，例如第一混合介质控制阀39、第二混合介质控制阀40的工作。
[0063]控制器44与设置于载置台11的温度传感器45连接。可以为:根据由温度传感器45测定的载置台11的温度，由控制器44调节混合介质的温度。或者，也可以为:将控制器44与形成于晶片W的半导体器件所具有的未图示的温度传感器连接，根据由该温度传感器测定的半导体器件的温度，由控制器44调节混合介质的温度。
[0064]根据作为本实施方式的基板检查装置的探针台10，将向通过载置台11的调温流路28供给的高温介质和低温介质混合，因此能够调节在调温流路28中流动的混合介质的温度，能够利用调节了温度的混合介质经载置台11对载置于载置台11的晶片W的温度进行调节。其结果是能够将晶片W调节为期望的温度。
[0065]此外，探针台10中，在将高温介质和低温介质混合之前，由高温介质分流阀37控制高温介质的流量，并且由低温介质分流阀38控制低温介质的流量，然后，将高温介质和低温介质混合而调节混合介质的温度，因此仅控制高温介质和低温介质的流量就能够容易地控制混合介质的温度。
[0066]接着，对本发明的第二方式的基板检查装置和基板温度调节方法进行说明。本实施方式的结构和作用与上述的第一实施方式基本相同，在本实施方式中，不使混合介质向高温冷机26和低温冷机27回流，而构成为能够在包含调温流路28的循环路径中循环，这一点与上述的第一实施方式不同。因此，省略对重复的结构和作用的说明，以下说明不同的结构和作用。
[0067]图5是表示作为本实施方式的基板检查装置的探针台10所具有的温度调节系统46的概略结构的框图，图6是表示图5的温度调节系统46中各阀的配置的配管图。
[0068]如图5所示，在温度调节系统46中，调温流路28在位于载置台11的下游的第二分支点47分支到循环路径48。并且，循环路径48在位于混合阀单元29与载置台11之间的合流点49与调温流路28连接。在循环路径48配置有压送栗50，压送栗50将混合介质从第二分支点47向合流点49压送。压送栗50的工作由控制器44控制。
[0069]此外，如图6所示，循环路径48在合流点49与压送栗50之间配置有逆止阀51，由此防止循环路径48的混合介质的逆流。进一步，循环路径48在逆止阀51与压送栗50之间分支，并且，具有在第二分支点47的下游与第二回流路34合流的分支路52。分支路52例如在循环路径48内的混合介质的压力急剧上升时，使混合介质的一部分向第二回流路34回流，以调节循环路径48内的压力。另外，在分支路52设置有控制阀53。
[0070]在温度调节系统46中，由合流点49与第二分支点47之间的调温流路28以及循环路径48形成循环流路，通过压送栗50压送混合介质，使混合介质在循环流路中循环。因此，能够使通过载置台11的调温流路28中流动的混合介质的流量增加，能够防止混合介质经载置台11与晶片W之间进行热交换时，混合介质的温度急剧变化。其结果，能够保证载置台11的温度的均匀性。
[0071 ] 此外，在温度调节系统46中，通过混合介质的循环流路的循环，能够从晶片W吸收大量的热，因此温度调节系统46能够适用于发热量大的功率器件的电特性的检查和多个存储器的电特性的批量检查。
[0072]并且，在温度调节系统46中，循环路径48配置于与高温冷机26和低温冷机27相比靠载置台11的附近的位置，利用压送栗50使调温流路28中流动的混合介质的流量增加时的循环路径48中的压损少于利用高温冷机26和低温冷机27使混合介质的流量增加时的压损，因此能够有效地使混合介质的流量增加。
[0073]在上述的温度调节系统46中，也可以为:在晶片W的温度与调温流路28中流动的混合介质的温度接近，并且晶片W的温度稳定的情况下，将第一混合介质控制阀39和第二混合介质控制阀40关闭，并控制高温介质分流阀37和低温介质分流阀38的工作，使新的高温介质和低温介质向调温流路28的流入停止。在此情况下，混合介质仅在循环流路中流动循环，晶片W的温度即使稍微发生变动，循环的混合介质也吸收晶片W的热或者向晶片W供给热，因而能够消除晶片W的温度的变动。此外，混合介质不会经第一回流路33和第二回流路34向高温冷机26和低温冷机27回流，因此，能够容易地维持高温冷机26中的高温介质和低温冷机27中的低温介质的温度。
[0074]另外，压送栗50和循环路径48可以内置于载置台11，或者可以不内置于载置台11而配置在主体12的外部。此外，第二分支点47可以如图5所示位于第一分支点32的上游，或者可以如图6所示位于第一分支点32的下游。
[0075]接着，对具有作为上述各实施方式的基板检查装置的探针台10的、适用温度调节系统25、46的载置台11的构造进行说明。以下，参照图7A、图7B和图8，作为载置台11的例子，具体举出2个载置台IlAUlB加以说明。
[0076]图7A是表示作为载置台11的第一例的载置台IlA的概略构造的剖面图，图7B是表示作为载置台11的第二例的载置台IlB的概略构造的剖面图。
[0077]如已经说明的那样，载置台11的温度调节是由温度调节系统25、46利用通过载置台11的调温流路28中流动的混合介质进行的。因此，原则上载置台11自身不需要用于进行载置台11的温度调节的加热机构和冷却机构。因此，图7A的载置台IlA在内部形成有调温流路28，为不具备其它加热机构和冷却机构的简单构造。
[0078]另一方面，在探针台10具备载置台IlA的情况下，载置台IlA的温度调节范围依赖于作为高温介质和低温介质使用的介质的物性。因此，在想要变更或扩大温度调节范围的情况下，需要改变介质等的对应。于是，为了能够以简易的构造扩大由温度调节系统25、46可调节温度的温度范围，将构成温度调节系统25、46的冷却机构和加热机构设置于载置台IlA的载置台，为图7B的载置台11B。
[0079]载置台IlB如图7B所示具备作为加热机构的加热器61和作为加热机构和冷却机构的珀耳帖元件(热电元件)62。通过使加热器61工作能够将载置台IlB的温度调节范围向高温侧扩展。同样地，在将珀耳帖元件62用作加热元件的情况下，能够使载置台IlB的温度调节范围向高温侧扩展。另一方面，通过将珀耳帖元件62中流动的电流的极性反转而用作冷却元件，能够使载置台IlB的温度调节范围向低温侧扩展。另外，加热器61和珀耳帖元件62的工作控制由控制器44进行。
[0080]图8是将载置台IlA和载置台IlB的温度调节范围进行比较地示意性示出的图。其中，载置台IlA和载置台IlB的构造以外的条件相同。在载置台IlA的情况下，使用规定的介质，能够在温度Tl?T2(例如Tl = IlO0C,Τ2 = -30°C )的温度范围中进行温度调节。与此相对，在载置台IlB的情况下，使用相同介质时，通过使加热器61工作和/或使珀耳帖元件62作为加热元件工作，能够使