，载体复合件11是可穿透的并且优选还 有半导体层序列2以及保护层8是可穿透的。通过激光辐射L，优选不明显损害载体复合件 11的机械的整体性，使得载体复合件11在根据图ID的步骤之后也保持作为可作为整体操 作。
[0067] 在可选的方法步骤中，如在图IE中示出的，在后侧7上局部地施加镜层6。镜层6 的各个子区段一对一地与半导体层序列2的子区段相关联。分离区域S不具有镜层6。可 能的是，镜层6分别沿横向方向伸出半导体层序列2。与视图不同的，镜层6也能够连续地 施加在后侧7上。此外，可选地，在镜层6上能够存在另外的、未示出的保护层，以便防止在 镜层上例如在湿化学刻蚀期间的损坏。在所有其他实施例中，也能够存在这种镜层6和/ 或这种另外的保护层。
[0068] 如在图IF中图解说明的那样，分割为各个半导体芯片10。通过尤其借助氟氢酸进 行的湿化学刻蚀，在分离区域S中刻蚀掉通过激光辐射L改变的材料。刻蚀掉的区域具有 在根据图ID的方法步骤中借助激光辐射L的脉冲扫描的形状。
[0069] 通过这种刻蚀，在半导体芯片10的各个载体1的侧面3上能够有针对性地产生粗 糙部4。通过所述粗糙部4,出自半导体芯片10的光耦合输出效率能够升高。
[0070] 在图2中分别示出半导体芯片10在分割之前的示意俯视图。通过如结合图1图 解说明的方法，能够实现在俯视图中观察具有原则上任意基面的半导体芯片10。尤其，不需 要保持折断所需要的晶体定向。
[0071] 根据图2A，半导体芯片10具有三角形的基本形状。在图2B中示出六边形的基本 形状，并且在图2C中示出平行四边形的基本形状。
[0072] 与此不同的，参照图2D，不需要半导体芯片10在俯视图中观察具有直线伸展的棱 边和限界面。因此，根据图2D的半导体芯片10弧形地构成。这种半导体芯片10例如能够 用在汽车前照灯中。
[0073] 优选地，半导体芯片10的基本形状分别选择为，使得能够实现高的填充系数。这 在示出的基面中分别是这种情况。由此，能够降低制造成本。
[0074] 结合图3示出如借助根据图1的方法制造的半导体芯片10的横截面。根据图3A， 半导体芯片10分别具有梯形的横截面。分离区域S构成为V形并且朝向半导体层序列2。 通过这种造型，一方面能够实现半导体层序列2在蓝宝石生长衬底上的高的填充系数。另 一方面，由于相对于生长方向G的角度A辛0°，能够实现提高的耦合输出效率。
[0075] 根据图3B，半导体芯片10具有平行四边形状的横截面。如也在所有其他的实施例 中可能的是，载体1的仅一些侧面3b设有粗糙部4并且其他侧面3a不设有粗糙部4。但 是，与示出的不同地，侧面3a也能够设有粗糙部4。相应内容适用于所有其他的实施例。分 离区域S在横截面中观察是直线部段。
[0076] 在如在图3C中图解说明的半导体芯片1中，侧面3具有平行于生长方向G取向的 第一区域和倾斜于生长方向G定向的第二区域。所述区域中的一个或两个区域能够设有粗 糙部4。因此，分离区域S在横截面中观察以Y的形状构成，其中Y的开口朝向后侧7。
[0077] 在根据图3D的实施例中，分离区域S在横截面中观察以X的形状构成。换言之， 沿远离后侧7的方向，载体1的宽度首先增大并且随后再次减小。
[0078] 这种能多方面成形的侧面3能够通过根据图1的方法、尤其通过用激光辐射L扫 描和随后的刻蚀来实现。
[0079] 在图4中示出用于制造光电子半导体芯片10的方法的另一个实施例。根据图4A， 提供载体复合件11。此外，将具有至少一个有源层的半导体层序列2整面地连续地施加到 上侧72上。
[0080] 在图4B中示出，多个分离区域S在载体复合件11中成形。分离区域S远离上侧 72朝向后侧7的方向延伸。从上侧72开始，分离区域S分别例如以最少50 μπι或100 μπι 和/或最多200 μπι或150 μπι或100 μπι进入到载体复合件11中。载体复合件11的厚度 整体上例如为最少250 μ m或400 μ m和/或最多2mm或I. 3mm或Imm或750 μ m或500 μ m。 如结合图ID所描述的那样，产生分离区域S。在此，激光辐射优选从后侧7射入到载体复合 件11中。
[0081] 在根据图4C的方法步骤中，在半导体层序列2的背离载体复合件11的一侧上 安置保护层8和可选的镜层6。保护层8和/或镜层6也能够结构化成电端子、布线层 (Umverdrahtungsschichten)或电连接面，或者能够施加相应的、附加的元件。在用于相邻 的半导体芯片10的半导体层序列2的相邻的区域之间也能够设有电布线。
[0082] 根据图4D，在区域5中例如借助于刻蚀移除半导体层序列2以及保护层8和镜层 6。所述步骤能够类似于图IC进行。区域5沿横向方向优选延伸超过分离区域S。在附加 的、未示出的步骤中，也能够在区域5上或在半导体层序列2的露出的侧面上产生其他层， 例如封装层和/或电绝缘层。
[0083] 在图4E中进行分离区域S的刻蚀。所述步骤优选类似于图IF中的方法步骤实施。 如在图4E中示出的，将载体复合件11在所述刻蚀步骤中不完全地分开。优选地，在分离区 域S上保留载体复合件11的足够的厚度，使得载体复合件11在从分离区域S中移除材料 之后也是机械稳定且自承的并且能够不借助辅助载体来操作。
[0084] 与在图4E中所示出的不同地，不需要将刻蚀剂从上侧72引入。因此，在该情况下， 分离区域S优选不到达上侧72。因此，刻蚀剂的引入能够通过后侧7的孔进行。分离区域 S的刻蚀不一定需要直接在分离区域S的成型之后进行，参见图4B，如所示出的，能够插入 其他的工艺步骤。
[0085] 在如在图4F中示出的方法步骤中，在分离区域S中将另外的镜层6施加到随后的 载体1的侧面3上。另外的镜层6能够在通过材料移除在分离区域S中露出的所有面上施 加。与所示出的不同地，也可能的是，另外的镜层6在半导体层序列2的侧面上和/或在保 护层8的露出的区域上延伸。另外的镜层6能够是金属镜。同样可能的是，将由具有低折 射率的材料的层与金属层组合的复合件作为另外的镜层6施加。为了实现另外的镜层6的 高的反射率，根据图4F的侧面3优选平滑地构成。
[0086] 与图4F中的视图不同地，也能够将另外的层施加在分离区域S中，例如抵御机械 损坏、抵御工艺化学制品或抵御有害的环境影响的保护层。相应的附加的、未示出的保护层 也能够在半导体层序列2上或在半导体层序列2上的镜6上延伸。这种层能够借助缝隙常 用的覆层方法、如气相沉积或原子层沉积、简称Atomic Layer Deposition或ALD产生。替 选地，能够使用物理气相沉积。如果存在导电的、尤其薄的基本层，那么也能够经由电化学 沉积施加附加的金属层。
[0087] 在图4G中示出，在半导体层序列2的背离载体复合件11的一侧上安置辅助载体 12。辅助载体12例如是膜或板。辅助载体12能够是机械柔性的或也能够是机械刚性的。
[0088] 根据如在图4H中图解示出的方法步骤，将载体复合件11从后侧7移除，例如通过 磨削或通过研磨。将载体复合件11整面地去除，直至分割半导体芯片10。换言之，至少打 薄至分离区域S中。与根据图4H的视图不同地，也可能的是，半导体层序列2的多个子区 域组合成在共同的载体1上的组。
[0089] 由于在载体1的侧面3上的另外的镜层6,所得到的半导体芯片10经由载体1发 射在运行中产生的辐射。可能的是，仅在通过载体1形成的辐射主侧9上发射在运行中产 生的辐射。因为在制造期间，分离区域S仅共计占载体复合件11的厚度的相对小的份额， 所以在分割步骤之前能够放弃辅助载体构造，伴随着成本降低。
[0090] 半导体芯片10如也在所有其他实施例中那样尤其是倒装芯片，所述倒装芯片仅 能够经由与辐射主侧9相对置的一侧电接触并且能够机械地安置。尤其通过倒装芯片构 造，也能够实现从半导体芯片10良好地导出损耗热量。
[0091] 可选地，在图4H中称作为辐射主侧的一侧也还能够附加地设有镜层6。因此，辐射 主侧是半导体层序列2的背离载体1的一侧，这一侧因此优选不具有反射层。此外，可能的 是，半导体芯片10构成为侧向发射器，也称作为side looker。在该情况下，优选地，半导体 芯片10的两个主侧是镜反射的，并且所有的、一个、两个或三个侧面3不具有镜层并且构建 成用于发射辐射。
[0092] 如果半导体芯片10构成为倒装芯片，那么半导体芯片10例如在施加辅助载体12 之前还能够设有焊接的接触电极，尤其因为例如在如在图5A中示出的用材料浇注时的喷 塑温度能够保持在焊料的固相温度之下。
[0093] 下面，优选移除辅助载体12。在此可选地，如在图5A中示出的那样可能的是，在 移除辅助载体12之前，将半导体芯片10借助浇注料13压力注塑包封，和/或在辐射主侧 9上施加未示出的用于将在半导体层序列12中产生的辐射完全地或部分地转换为其他波 长的辐射的转换机构。如果将各个半导体芯片10借助浇注料13喷注或挤压，那么分离区 域S能够具有相对大的宽度，以便在浇注半导体芯片10之后，将分离成各个能表面安装的 半导体构件30简化。
[0094] 例如通过在相邻的半导体芯片10之间锯割成锯割道T来分割成半导体构件30,参 见图5B。尤其，由于分离区域S借助结合图1所描述的激光刻蚀法的精细的结构化可能性， 能够将这种锯割道T保持得相对窄，由此提高每载体复合件11的半导体构件30的收益，随 之降低半导体芯片的制造成本。
[0095] 如也在所有其他的实施例中可