间，厚度为
0.1至0.5um之间；所述二氧化石圭层的生长温度为600至800°C之间，厚度为0.1至0.5um之间。
[0047]进一步的，本发明的上述实施例中，所述源漏区注入的离子为磷离子，剂量为
1.0E15 至 1.0E16 个 /cm2,能量为 100KEV 至 200KEV。
[0048]进一步的，本发明的上述实施例中，所述轻掺杂漏区注入离子是磷离子，剂量为
1.0E13 至 5.0E14 个 /cm,能量为 50KEV 至 150KEV。
[0049]优选的，本发明的上述实施例中，腐蚀所述氮化硅层使用浓磷酸，腐蚀所述二氧化石圭层使用氣氟酸。
[0050]需要说明的是，上述实施例仅为本发明的较佳实施例，不用于限制本发明的范围。
[0051]本发明的另一实施例中，形成所述轻掺杂漏区后还包括:
[0052]将所述MOS晶体管进行去除光刻胶处理，并清洗。
[0053]本发明的又一实施例中，如图2所示，形成多晶硅栅极的步骤具体包括:
[0054]步骤101，在MOS晶体管的场区形成场氧化层；
[0055]步骤102，在MOS晶体管的有源区形成栅氧化层；
[0056]步骤103，在所述栅氧化层上形成多晶硅层；
[0057]步骤104，在所述多晶硅层上涂光刻胶，并对所述多晶硅层进行曝光和显影，以显影后的光刻胶图形为掩膜，刻蚀多晶硅，形成多晶硅栅极；
[0058]步骤105，对所述MOS晶体管进行去除光刻胶处理，并清洗。
[0059]其中，本发明的上述实施例中，所述栅氧化层的生长温度为900°C至1100°C之间，所述栅氧化层的厚度为0.0lum至0.20um之间。
[0060]进一步的，本发明的上述实施例中，所述多晶硅层的生长温度为500°C至700°C之间，所述多晶娃层的厚度为0.1um至0.8um之间。
[0061]本发明实施例中，多晶硅栅极的形成过程仅为较佳的实施例的，其他能够形成多晶硅栅极的方法在本发明实施例中均适用，且均能达到相同或相似的有益效果。
[0062]下面结合图3至图9具体描述本发明实施例的MOS晶体管轻掺杂漏区的形成过程(假设为N型衬底):
[0063]如图3所示，在N型衬底的场区场氧化层；
[0064]如图4所示，在N型衬底的有源区制作栅氧化层，其中，栅氧化层的生长温度约900°C至1100°C，且栅氧化层的厚度约为0.0lum至0.20um ；
[0065]如图5所不,多晶娃层的生长、光刻及刻蚀,其中，多晶娃层生长温度500?700°C,厚度为0.1?0.8um ；
[0066]如图6所示，采用低压化学气相淀积的方式淀积氮化硅层或者二氧化硅层，其中，氮化硅层的生长温度为700至900°C，厚度为0.1至0.5um, 二氧化硅层的生长温度为600至800°C，厚度为0.1至0.5um ；
[0067]如图7所示，进行源漏区的光刻及离子注入，其中，N+注入离子为磷离子。剂量1.0E15 ?1.0E16 个 /cm2。能量为 100KEV ?200KEV ；
[0068]如图8所示，氮化硅层(或者二氧化硅层)的腐蚀，其中，采用浓磷酸腐蚀掉氮化硅，如果膜层是二氧化硅层，就采用氢氟酸腐蚀；
[0069]如图9所示，进行轻掺杂漏区的离子注入，其中N-注入离子是磷离子，剂量1.0E13 ?5.0E14 个 /cm,能量为 50KEV ?150KEV。
[0070]本发明上述实施例中，通过对工艺流程的优化，先生长氮化硅层(或二氧化硅层)形成侧墙，然后进行源漏极的光刻、离子注入，形成源漏极；再去除氮化硅(或二氧化硅层)，进行轻掺杂漏极的制作，省去了一层光刻，提高了工作效率，节约了成本。
[0071]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，包括: 在形成多晶硅栅极的MOS晶体管表面淀积氮化硅层或二氧化硅层； 在所述氮化硅层或二氧化硅层上涂光刻胶，经过曝光和显影后形成光刻胶图形； 以所述光刻胶图形为掩膜对MOS晶体管进行源漏区的离子注入，形成源漏区； 腐蚀所述氮化硅层或二氧化硅层，并以所述光刻胶图形为掩膜进行轻掺杂漏区的离子注入，形成轻掺杂漏区。2.根据权利要求1所述的MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，所述氮化硅层的生长温度为700至900°C之间，厚度为0.1至0.5um之间；所述二氧化硅层的生长温度为600至800°C之间，厚度为0.1至0.5um之间。3.根据权利要求1所述的MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，所述源漏区注入的离子为磷离子，剂量为1.0E15至1.0E16个/cm2，能量为100KEV至200KEV。4.根据权利要求1所述的MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，所述轻掺杂漏区注入离子是磷离子，剂量为1.0E13至5.0E14个/cm，能量为50KEV至150KEV。5.根据权利要求1所述的MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，腐蚀所述氮化硅层使用浓磷酸，腐蚀所述二氧化硅层使用氢氟酸。6.根据权利要求1所述的MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，形成所述轻掺杂漏区后还包括: 将所述MOS晶体管进行去除光刻胶处理，并清洗。7.根据权利要求1所述的MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，形成多晶硅栅极的步骤具体包括: 在MOS晶体管的场区形成场氧化层； 在MOS晶体管的有源区形成栅氧化层； 在所述栅氧化层上形成多晶硅层； 在所述多晶硅层上涂光刻胶，并对所述多晶硅层进行曝光和显影，以显影后的光刻胶图形为掩膜，刻蚀多晶硅，形成多晶硅栅极； 对所述MOS晶体管进行去除光刻胶处理，并清洗。8.根据权利要求7所述的MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，所述栅氧化层的生长温度为900°C至1100°C之间，所述栅氧化层的厚度为0.0lum至0.20um之间。9.根据权利要求7所述的MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，所述多晶硅层的生长温度为500°C至700°C之间，所述多晶硅层的厚度为0.1um至0.8um之间。
【专利摘要】本发明提供一种MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，包括：在形成多晶硅栅极的MOS晶体管表面淀积氮化硅层或二氧化硅层；在所述氮化硅层或二氧化硅层上涂光刻胶，经过曝光和显影后形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜对MOS晶体管进行源漏区的离子注入，形成源漏区；腐蚀所述氮化硅层或二氧化硅层，并以所述光刻胶图形为掩膜进行轻掺杂漏区的离子注入，形成轻掺杂漏区。该方法通过对工艺流程的优化，先生长氮化硅层(或二氧化硅层)形成侧墙，然后进行源漏极的光刻、离子注入，形成源漏极；再去除氮化硅(或二氧化硅层)，进行轻掺杂漏极的制作，省去了一层光刻，提高了工作效率，节约了成本。
【IPC分类】H01L21/28, H01L21/336
【公开号】CN105185710
【申请号】CN201410247195
【发明人】马万里
【申请人】北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2014年6月5日