薄膜式电容器元件及其制造方法
【专利说明】薄膜式电容器元件及其制造方法
[0001]本申请要求于2014年6月25日提交的题为“Thin Film Type Capacitor Elementand Method of Manufacturing the Same (薄膜式电容器元件及其制造方法)”的第10-2014-0078367号韩国专利申请的权益，所述申请通过引用被全部包含于本申请中。
技术领域
[0002]本公开涉及一种电子组件，更具体地讲，涉及一种薄膜式电容器元件及其制造方法。
【背景技术】
[0003]通常，使用陶瓷材料的电子组件(例如，电容器元件、电感元件、压电元件、变阻器、热敏电阻等)包括:主体，由陶瓷材料形成；内部电极，形成在主体中；外部端子，安装在陶瓷主体的表面上，以连接到内部电极。
[0004]在这些电子组件中，电容器元件具有这样的结构:具有正(+)极的内部电极和具有负(_)极的内部电极被设置为彼此相对，同时具有正(+)极的内部电极与具有负(_)极的内部电极之间具有至少一个介电层，内部电极的端部暴露于主体的外部，以连接到外部端子。
[0005]电容器元件被广泛地用作移动通信装置(例如，计算机、PDA、蜂窝电话等)的组件。随着电子产品最近实现高性能，需要电容器元件小型化并具有大容量。
[0006]为此，提出了一种通过使用半导体的薄膜工艺来沉积介电层和内部电极的制造方法。这里，在沉积用于形成内部电极的金属材料之后，通过光刻工艺和蚀刻工艺执行图案化工艺。在这种情况下，随着堆叠的金属层的数量增多，图案化工艺的次数也增多，这导致制造工艺复杂。
【发明内容】
[0007]本公开的目的在于提供一种薄膜式电容器元件及其制造方法，所述薄膜式电容器元件通过不进行图案化工艺而形成内部电极，即使在堆叠的内部电极的数量增大的情况下，也不会使进程延迟，并且所述薄膜式电容器元件通过允许在形成内部电极时不对内部电极的一些区域进行镀覆而形成非镀覆区并在所述非镀覆区中形成过孔而将各个层上的内部电极彼此连接。
[0008]根据本公开的示例性实施例，提供一种薄膜式电容器元件，所述薄膜式电容器元件包括分别具有非镀覆区的第一内部电极和第二内部电极。
[0009]第一内部电极和第二内部电极可交替地堆叠，同时第一内部电极与第二内部电极之间具有至少一个介电层，以使第一内部电极和第二内部电极与介电层一起形成主体部，其中，第一内部电极可通过形成在第二内部电极的非镀覆区中并沿竖直方向贯穿主体部的过孔彼此电连接。第二内部电极可通过形成在第一内部电极的非镀覆区中并沿竖直方向贯穿主体部的过孔彼此电连接。
[0010]根据本公开的另一示例性实施例，提供一种制造薄膜式电容器元件的方法，其中，通过薄膜工艺交替地堆叠介电材料和金属材料形成介电层和内部电极，在形成内部电极的情况下，在介电层上设置具有预定图案的掩膜，然后执行沉积工艺。如果通过上述过程形成主体部，则在将要形成过孔的位置加工通孔，并对通孔的内部进行镀覆和填充，从而可提供最终完成的薄膜式电容器元件。
【附图说明】
[0011]图1是根据本公开的薄膜式电容器元件的俯视图；
[0012]图2是沿图1的1-1’线截取的截面图；
[0013]图3A和图3B是示出仅包括在本公开中的第一内部电极和第二内部电极的视图，图3A是第一内部电极的俯视图，图3B是第二内部电极的俯视图；
[0014]图4至图7是用于描述根据包括在本公开中的第一非镀覆区和第二非镀覆区的位置和形状的示例的视图；
[0015]图8是按顺序示出制造根据本公开的薄膜式电容器元件的方法的流程图；
[0016]图9至图11是示出各个过程的截面图；
[0017]图12A和图12B是用于描述在制造本公开的薄膜式电容器元件时使用的掩膜的视图，图12A是第一掩膜的俯视图，图12B是第二掩膜的俯视图。
【具体实施方式】
[0018]通过下面参照附图进行的示例性实施例的描述，本公开的各种优点和特征以及实现本公开的方法将变得明显。然而，本公开可以以许多不同的形式实施，并且其不限于阐述于此的示例性实施例。可提供这些示例性实施例，以使本公开将是彻底的和完整的，并且将本公开的范围完全传达给本领域技术人员。在整个描述中相同的标号用于指示相同的元件。
[0019]本说明书中使用的术语用于解释示例性实施例，而非限制本公开。除非明确地描述为相反，否则在本说明书中单数形式包括复数形式。本说明书中使用的词语“包括”将被理解为表示包括陈述的组件、步骤、操作和元件，而不排除包括任何其他组件、步骤、操作和元件。
[0020]在下文中，将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例的构造和作用效果。
[0021]图1是根据本公开的薄膜式电容器元件的俯视图；图2是沿图1的1-1’线截取的截面图；图3A和图3B是仅不出包括在本公开中的第一内部电极和第二内部电极的视图，其中，图3A是第一内部电极的俯视图，图3B是第二内部电极的俯视图。
[0022]作为参考，附图中示出的组件不一定按照比例示出。例如，为了有助于理解本公开的示例性实施例，与其他组件相比，可能会夸大附图中示出的一些组件的尺寸。
[0023]参照图1至图3A和图3B，根据本公开的薄膜式电容器100包括:主体部110 ;第一内部电极111和第二内部电极112，设置在主体部110中；第一过孔120和第二过孔130，贯穿主体部110。
[0024]主体部110通过堆叠多个介电层然后在预定条件下对多个堆叠的介电层执行压制和烧结工艺而形成，其中，相邻的介电层113—体化，从而区别不出相邻的介电层113之间的界限。
[0025]介电层113的材料的示例可包括具有高介电常数的钙钛矿结构或具有Bi基层状结构的氧化材料(例如，钛酸钡(BaTi03)基材料或钛酸锶(SrTi03)基材料)。
[0026]第一内部电极111和第二内部电极112交替地设置，同时第一内部电极111与第二内部电极112之间具有至少一个介电层113，其中，第一内部电极111包括第一非镀覆区111a，第二内部电极112包括第二非镀覆区112a。
[0027]通过在介电层113的上部上沉积金属材料(例如，镍(Ni)、铝(A1)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)等)而形成第一内部电极111和第二内部电极112，其中，第一内部电极111和第二内部电极112是具有近似于矩形形状的截面的金属薄膜。在这种情况下，在一些区域上不沉积金属，从而形成第一非镀覆区111a和第二非镀覆区112a。
[0028]第一非镀覆区111a和第二非镀覆区112a分别设置在第一内部电极111和第二内部电极112的边缘处。因此，第一内部电极111和第二内部电极112形成为在其边缘形成有槽的矩形形状的金属薄膜。
[0029]第一过孔120形成在第一非镀覆区111a中，第二过孔130形成在第二非镀覆区112a中。第一过孔120和第二过孔130贯穿主体部110。具体地讲，第一过孔120贯穿第二内部电极112和介电层113，第二过孔130贯穿第一内部电极111和介电层113。
[0030]通过如上所述的结构，各个层的第一内部电极111通过第二过孔130彼此电连接，各个层的第二内部电极112通过第一过孔120彼此电连接。
[0031]为了防止第一过孔120与第二过孔130之间短路，第一非镀覆区111a和第二非镀覆区112a设置在当从顶部观看时彼此分开且彼此不重叠的位置。
[0032]图4至图7是示出根据第一非镀覆区111a和第二非镀覆区112a的位置和形状的各个示例的视图，其中，第一非镀覆区111a和第二非镀覆区112a可形成在任何位置，只要第一非镀覆区111a和第二非镀覆区112a彼此不重叠即可。例如，第一非镀覆区111a和第二非镀覆区112a可形成在沿相同的方向的边缘处，如图4所示，或者可分别形成在彼此相邻的两个边缘(例如，短边的边缘和长边的边缘)处，如图5所示。
[0033]然而，为了便于制造，第一非镀覆区111a和第二非镀覆区112a最好形成在彼此相对的边缘处，具体地讲，第一非镀覆区111a和第二非镀覆区112a可形成在沿水平方向(或竖直方向)彼此对称的位置(如图1所示)，或者形成在沿对角线方向彼此对称的位置，如图6所示。将在下面描述的制造薄膜式电容器元件的方法中详细地描述根据上述结构的效果Ο
[0034]在电容方面，第一非镀覆区111a的面积最好具有在第一过孔120不与第一内部电极111接触的范围内的最小值，也就是说，具有在第一非镀覆区111a的面积大于第一过孔120的水平截面面积的范围内的最小值。这是因为当第一非镀覆区111a的面积增大时，第一内部电极111的面积减小，从而使得电容减小。类似地，第二非镀覆区112a的面积具有在第二非镀覆区112a的面积大于第二过孔130的水平截面面积的范围内的最小值。
[0035]此外，在第一非镀覆区111a和第二非镀覆区112a分别不与第一过孔120和第二过孔130接触的范围内，第一非镀覆区111a和第二非镀覆