区112a可按照任何形状形成。例如，第一非镀覆区111a和第二非镀覆区112a可按照圆形形状形成(如图7所示)以及四边形形状形成(如图1所示)。除此之外，第一非镀覆区111a和第二非镀覆区112a还可按照多种形状(例如，三角形形状、梯形形状等)形成。
[0036]然而，也在这种情况下，为了便于制造，第一非镀覆区111a和第二非镀覆区112a最好按照彼此相同的形状形成。
[0037]在下文中，将描述制造根据本公开的薄膜式电容器元件的方法。
[0038]图8是按顺序示出制造根据本公开的薄膜式电容器元件的方法的流程图；图9至图11是示出各个过程的截面图。
[0039]参照图8至图11，在制造根据本公开的薄膜式电容器元件的方法中，首先，形成主体部 110(S100)。
[0040]主体部110通过使用薄膜工艺(例如，溅射工艺、ALD工艺、CVD工艺等)交替地沉积介电材料和金属材料而形成(图9)，其中，所述介电材料是介电层113的结构材料，所述金属材料是第一内部电极111和第二内部电极112的结构材料。
[0041]这里，当沉积用于形成第一内部电极111和第二内部电极112的金属材料时，在介电层113上设置具有预定图案的掩膜，然后执行沉积工艺。
[0042]图12A和图12B是用于描述在制造本公开的薄膜式电容器元件时使用的掩膜的视图，图12A是第一掩膜的俯视图，图12B是第二掩膜的俯视图。
[0043]参照图12A和图12B，掩膜划分为用于执行第一内部电极111的沉积工艺时使用的第一掩膜10和用于执行第二内部电极112的沉积工艺时使用的第二掩膜20，其中，第一掩膜10包括框架部11和镀覆防止部12，第二掩膜20包括框架部21和镀覆防止部22。这里，镀覆防止部12不与框架部11分开并按照突出的形状结合到框架部11的预定位置，镀覆防止部22不与框架部21分开并按照突出的形状结合到框架部21的预定位置。
[0044]第一掩膜10的镀覆防止部12和第二掩膜20的镀覆防止部22设置在彼此不重叠的位置。更优选地，第一掩膜10的镀覆防止部12和第二掩膜20的镀覆防止部22可设置在沿水平方向(或竖直方向)彼此对称的位置或者设置在沿对角线方向彼此对称的位置。
[0045]镀覆防止部12和22分别按照与第一非镀覆区111a和第二非镀覆区112a相对应的形状形成，金属材料不沉积在由镀覆防止部12和22覆盖的部分上。因此，第一非镀覆区11 la形成在第一掩膜10的镀覆防止部12所处的位置中，第二非镀覆区112a形成在第二掩膜20的镀覆防止部22所处的位置中。
[0046]这里，在第一掩膜10的镀覆防止部12和第二掩膜20的镀覆防止部22沿水平方向彼此对称的情况下，例如，如果完成了第一内部电极111的沉积工艺，则可将在第一内部电极111的沉积工艺中使用的第一掩膜10翻转，以用于第二内部电极112的沉积工艺中。也就是说，由于第一内部电极111和第二内部电极112可通过一个掩膜而形成，因此可降低制造成本。
[0047]同时，在第一掩膜10的镀覆防止部12和第二掩膜20的镀覆防止部22沿对角线方向彼此对称的情况下，如果完成了第一内部电极111的沉积工艺，则可将在第一内部电极111的沉积工艺中使用的第一掩膜10旋转180°，以用于第二内部电极112的沉积工艺中。在这种情况下，由于未对翻转的第一掩膜10进行再利用，因此可防止异物残留在介电层113上。
[0048]如果完成了主体部110，则沿竖直方向贯穿主体部110的第一通孔120a形成在第一非镀覆区111a中，并且沿竖直方向贯穿主体部110的第二通孔130a形成在第二非镀覆区 112a 中(S120)。
[0049]当对第一通孔120a和第二通孔130a进行加工时，第一通孔120a和第二通孔130a分别被加工为不与第一非镀覆区111a和第二非镀覆区112a偏离。因此，第一通孔120a贯穿第二内部电极112和介电层113，第二通孔130a贯穿第一内部电极111和介电层113 (图
10)ο
[0050]因此，如果对第一通孔120a的内部进行镀覆和填充，则形成将第二内部电极112彼此电连接的第一过孔120，如果对第二通孔130a的内部进行镀覆和填充，则形成将第一内部电极111彼此电连接的第二过孔130，从而可完成根据本公开的薄膜式电容器元件(图
11)ο
[0051]根据本公开的示例性实施例，由于在沉积用于形成内部电极的金属材料之后不执行单独的图案化工艺，因此即使为了实现大容量而增加堆叠的内部电极的数量也可尽快完成产品，而不会增加制造产品的成本。
[0052]此外，通过允许沉积用于形成内部电极的金属材料时不对内部电极的一些区域进行镀覆来形成非镀覆区，并且内部电极的各个层通过形成在非镀覆区中的过孔而连接，从而可简化结构。
[0053]结合目前被视为实际的示例性实施例描述了本公开。虽然已描述了本公开的示例性实施例，但是本公开也可应用于各种其他组合、修改和环境中。换句话说，本公开可在本说明书中公开的本公开的构思的范围、与本公开等同的范围和/或本公开所属领域的技术或知识的范围内进行改变或修改。提供上述的示例性实施例，以对实施本公开的最佳情形进行解释。因此，在使用其他公开(诸如本公开)中，本公开可在本公开所属领域公知的其他情形实施并也按照本公开的具体应用领域和用途所要求的各种形式进行修改。因此，应理解的是，本公开不限于公开的示例性实施例。应理解的是，其他示例性实施例也可包括在权利要求的精神和范围内。
【主权项】
1.一种薄膜式电容器元件，包括: 主体部，通过堆叠多个介电层而形成； 第一内部电极，堆叠在所述多个介电层之间并包括第一非镀覆区； 第二内部电极，堆叠在所述多个介电层之间并包括第二非镀覆区； 第一过孔，形成在第一非镀覆区中并贯穿第二内部电极和介电层； 第二过孔，形成在第二非镀覆区中并贯穿第一内部电极和介电层。2.根据权利要求1所述的薄膜式电容器元件，其中，第一非镀覆区和第二非镀覆区形成在彼此不重叠的位置。3.根据权利要求1所述的薄膜式电容器元件，其中，第一非镀覆区形成在第一内部电极的边缘。4.根据权利要求1所述的薄膜式电容器元件，其中，第二非镀覆区形成在第二内部电极的边缘。5.根据权利要求1所述的薄膜式电容器元件，其中，第一非镀覆区和第二非镀覆区设置在彼此相对的位置。6.根据权利要求5所述的薄膜式电容器元件，其中，第一非镀覆区和第二非镀覆区沿水平方向或竖直方向彼此对称。7.根据权利要求5所述的薄膜式电容器元件，其中，第一非镀覆区和第二非镀覆区沿对角线方向彼此对称。8.根据权利要求1所述的薄膜式电容器元件，其中，第一非镀覆区和第二非镀覆区按照矩形形状、三角形形状或圆形形状形成。9.根据权利要求1所述的薄膜式电容器元件，其中，第一非镀覆区的面积具有在第一非镀覆区的面积大于第一过孔的水平截面面积的范围内的最小值，第二非镀覆区的面积具有在第二非镀覆区的面积大于第二过孔的水平截面面积的范围内的最小值。10.根据权利要求1所述的薄膜式电容器元件，其中，第一非镀覆区和第二非镀覆区按照彼此相同的形状形成。11.一种制造薄膜式电容器元件的方法，所述方法包括: 通过交替地堆叠包括第一非镀覆区的第一内部电极和包括第二非镀覆区的第二内部电极同时在第一内部电极与第二内部电极之间介有介电层来形成主体部； 在第一非镀覆区中形成沿竖直方向贯穿主体部的第一通孔并在第二非镀覆区中形成沿竖直方向贯穿主体部的第二通孔； 通过对第一通孔的内部进行镀覆形成第一过孔并通过对第二通孔的内部进行镀覆形成第二过孔。12.根据权利要求11所述的方法，其中，在形成第一内部电极时，在介电层上设置包括框架部和具有与第一非镀覆区相对应的形状的镀覆防止部的第一掩膜，然后通过薄膜工艺在第一掩膜上沉积金属材料， 其中，在形成第二内部电极时，在介电层上设置包括框架部和具有与第二非镀覆区相对应的形状的镀覆防止部的第二掩膜，然后通过薄膜工艺在第二掩膜上沉积金属材料。13.根据权利要求12所述的方法，其中，第一掩膜的镀覆防止部和第二掩膜的镀覆防止部设置在彼此相对的位置。14.根据权利要求13所述的方法，其中，第一掩膜的镀覆防止部和第二掩膜的镀覆防止部沿水平方向或竖直方向彼此对称。15.根据权利要求13所述的方法，其中，第一掩膜的镀覆防止部和第二掩膜的镀覆防止部沿对角线方向彼此对称。
【专利摘要】在此公开一种薄膜式电容器元件及其制造方法，所述薄膜式电容器元件包括：主体部，通过堆叠多个介电层而形成；第一内部电极，设置在主体部中并包括第一非镀覆区；第二内部电极，包括第二非镀覆区；第一过孔，形成在第一非镀覆区中；第二过孔，形成在第二非镀覆区中。
【IPC分类】H01G4/33, H01G4/30, H01G4/005, H01G4/232
【公开号】CN105321716
【申请号】CN201510357899
【发明人】林钟凤, 李海峻, 金斗永, 金昶勋
【申请人】三星电机株式会社
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年6月25日
【公告号】US20150380167