发光装置及其制造方法
【专利说明】发光装置及其制造方法
[0001]本申请基于2014年6月12日提交的日本专利申请第2014-121646号，其全部内容通过引用合并在本文中。
技术领域
[0002]本发明涉及发光装置及其制造方法。
【背景技术】
[0003]在与引线框(lead frame) 一体模制的壳体中设置两个LED芯片的侧视发光装置是已知的(参见例如JP-A-2010-130008)。在JP-A-2010-130008中所公开的发光装置设置有具有沿纵向方向分开的三个分开的区域的引线框。LED芯片各自被安装在引线框的两侧区域上，并且每个LED芯片经由接合线(bonding wire)连接至引线框的中间区域。
[0004]另外，LED元件经由金属糊(metal paste)连接至电极端子的发光装置是已知的(参见例如 JP-A-2005-12240)。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是提供薄的发光装置以及制造该发光装置的方法，该薄发光装置配备有安装在与引线框一体模制的壳体中的多个发光元件，并且该薄发光装置具有相对于发光元件的小尺寸。
[0006](1)根据本发明的一个实施方式，一种发光装置包括:
[0007]壳体，其包括凹部；
[0008]引线框，其与壳体一体模制以在凹部的底部上露出，并且引线框包括分开的第一区域和第二区域；
[0009]导电糊膜，其形成在第一区域与第二区域之间的区域中、凹部的底部上；
[0010]第一倒装芯片型发光元件，其包括分别电连接至第一区域和导电糊膜的第一电极和第二电极；以及
[0011]第二倒装芯片型发光元件，其包括分别电连接至第二区域和导电糊膜的第三电极和第四电极。
[0012]根据本发明的上述实施方式(1)，能够做出下面的变型和改变。
[0013](i)经由导电糊膜，第一电极连接至第一区域并且第三电极连接至第二区域，并且其中第二电极和第四电极直接连接至导电糊膜。
[0014](ii)壳体包括热塑性树脂。
[0015](iii)粗糙图案形成在与导电糊膜接触的区域中的凹部的底部上。
[0016](2)根据本发明的另一实施方式，一种制造发光装置的方法，包括:
[0017]与引线框一体模制包括凹部的壳体，引线框被包括在金属框中并且包括分开的第一区域和第二区域，使得在凹部的底部上露出第一区域和第二区域；
[0018]在第一区域与第二区域之间的区域中、凹部的底部上形成导电糊膜；
[0019]安装包括第一电极和第二电极的第一倒装芯片型发光元件，使得第一电极和第二电极分别电连接至第一区域和导电糊膜；
[0020]安装包括第三电极和第四电极的第二倒装芯片型发光元件，使得第三电极和第四电极分别电连接至第二区域和导电糊膜；并且
[0021]将引线框的第一区域和第二区域从金属框分离。
[0022]在本发明的上述实施方式(2)中，能够做出下面的变型和改变。
[0023](iv)进行对第一倒装芯片型发光元件和第二倒装芯片型发光元件的安装，使得经由导电糊，第一电极连接至第一区域并且第三电极连接至第二区域，以及第二电极和第四电极直接连接至导电糊膜。
[0024](v)壳体包括热塑性树脂。
[0025](vi)在与导电糊膜接触的区域中的凹部的底部上形成粗糙图案。
[0026]本发明的效果
[0027]根据本发明的一个实施方式，能够提供一种薄发光装置以及制造该发光装置的方法，该薄发光装置配备有安装在与引线框一体模制的壳体中的多个发光元件，并且该薄发光装置具有相对于发光元件的小尺寸。
【附图说明】
[0028]接下来，将结合附图更加详细地说明本发明，其中:
[0029]图1是示出在根据本发明的实施方式中的发光装置的垂直截面视图；
[0030]图2A是示出该实施方式中的发光装置的顶视图，其中未示出壳体和密封材料；
[0031]图2B是示出该实施方式中在分离引线框之前金属框的顶视图；
[0032]图3是示出引线框具有三个分开的区域的比较例中的发光装置的垂直截面视图；
[0033]图4A是示出比较例中的发光装置的顶视图，其中未示出壳体和密封材料；以及
[0034]图4B是示出比较例中在分离引线框之前金属框的顶视图。
【具体实施方式】
[0035]实施方式
[0036]发光装置的构造
[0037]图1是示出实施方式中的发光装置1的垂直截面视图。
[0038]发光装置1具有:壳体11，其具有凹部18 ;引线框10，其与壳体11 一体模制，以在凹部18的底部上露出引线框，并且引线框10具有分开的第一区域10a和第二区域10b ;导电糊膜14，其形成在第一区域10a与第二区域10b之间的区域中、凹部18的底部上；倒装芯片型发光元件12 (即第一发光元件)，其具有分别电连接至第一区域10a和导电糊膜14的电极12c和12d ;倒装芯片型发光元件13 (即第二发光元件)，其具有分别电连接至第二区域10b和导电糊膜14的电极13c和13d ;以及密封材料19，其被填充在凹部18内以密封发光元件12和13。
[0039]发光装置1是诸如侧视型的薄发光装置，并且在平面图中引线框10和壳体11具有大体矩形形状。
[0040]整个引线框10或其表面是由诸如Ag、Cu或A1的导电材料形成。
[0041]壳体11是由例如热塑性树脂(诸如聚邻苯二甲酰胺树脂、LCP(液晶聚合物)或PCT (聚对苯二甲酸 1，4 环己烧二甲酯(Polycyclohexylene Dimethylene Terephalate)))或热固性树脂(诸如硅树脂、改性硅树脂、环氧树脂或改性环氧树脂)形成。壳体11可以包含二氧化钛等的反光颗粒以提高光反射率。
[0042]壳体11通过例如嵌件模制(insert molding)与引线框10 —体模制，其中通过将树脂注入到其中已经插入了引线框10的模具来进行嵌件模制。
[0043]在平面图中壳体11的凹部18具有大体矩形形状。在这里，沿大体矩形形状的纵向方向的长度被称为发光装置1的宽度，并且沿横向方向的长度被称为发光装置1的厚度。
[0044]发光元件12和13分别具有芯片基板12a和13a以及各自包括发光层的晶体层12b和13b。发光元件12和13是电极12c、12d、13c和13d面朝下的倒装芯片型发光元件。发光元件12和13是例如LED芯片或激光二极管芯片。
[0045]在发光元件12中，电极12c和12d中的一个为η侧电极，另一个为p侧电极。同样地，在发光元件13中，电极13c和13d中的一个为η侧电极，另一个为ρ侧电极。
[0046]导电糊膜14是由导电糊形成的膜，导电糊作为诸如Au、Ag或Cu的导电材料与诸如环氧树脂的树脂的混合物。能够通过灌胶(potting)、点胶(dispensing)、喷射点胶(jet-dispensing)或冲压(stamping)等来形成导电糊膜14。
[0047]如图1中所示，能够将发光元件12的电极12d和发光元件13的电极13c直接连接至导电糊膜14。然后，在图1中所示的示例中，经由导电糊15，发光元件12的电极12c连接至引线框10的第一区域10a，发光元件13的电极13d连接至引线框10的第二区域10b。在这种情况下，不需要用于安装发光元件12和13的诸如焊接的高温处理，因为能够在约150°C的温度下硬化导电糊。因此，能够使用广范围的材料来形成壳体11，甚至能够使用例如热塑性树脂来形成壳体11。
[0048]可以在与导电糊膜14接触的区域中、壳体11的凹部18的底部上形成粗糙图案(rugged pattern)(表面纹理化)。在这种情况下，增强了导电糊膜14对壳体11的附着。因此，即使导电糊膜14由例如需要使用烧结的导电糊形成，也可以防止烧结之后导电糊膜14从壳体11分离。
[0049]密封材料19是由例如硅基树脂或环氧基树脂等的透明树脂形成。另外，密封树脂19