一种薄膜电容器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种电子电路中所用的薄膜电容器的制造方法。
【背景技术】
[0002]—直以来，此种薄膜电容器是通过在Si基板上依次形成下部导体、电介质薄膜、上部导体而形成的。在利用该方法制作薄膜电容器的情况下，无法将薄膜电容器的厚度设为对容量没有贡献的Si基板的厚度以下，所以，为了促进小型化及薄型化，需要实现不需要基板的构造或制造方法。
[0003]为了降低制造成本，可以考虑通过在成为电介质层的电介质生片的两个主面上，
[0004]压接成为导体层的导体生片而进行烧成，来制造薄膜电容器的方法。
[0005]但是，由于用电介质生片和导体生片形成的电容器部是厚度通常在100 μπι以下的薄膜，因此有可能因在烧成中产生的热收缩，产生翘曲或起伏。
[0006]作为防止该翘曲或起伏的方法，可以考虑像上述专利文献2中记载的那样的将氧化铝生片作为伪生片压接在叠层体的两面的方法。该情况下，由于伪生片中所含的氧化铝在烧成中会固着在导体生片上，因此在烧成后需要进行研磨处理等来除去氧化铝。
[0007]但是，由于薄膜电容器的厚度在100 μπι以下，因此有可能因研磨处理等而损伤电介质层，使得导体层之间发生电短路。而且，电介质层的厚度越薄，则由研磨处理引起的电介质层的损伤就越明显，由此就会对薄膜电容器的薄型化或大容量化造成很大的妨碍。
[0008]另一方面，为了防止氧化铝向导体生片上的固着，可以考虑增大氧化铝的粒径，然而该情况下，就会产生导体生片的主面的表面粗糙度有可能变大的新的问题。
[0009]为此，将专利文献2中记载的陶瓷多层基板的制造方法简单地应用于薄膜电容器中，将很难获得成本低且不会对电介质层造成不良影响的薄膜电容器。
【发明内容】
[0010]本发明是鉴于此种情况而完成的，其目的在于，提供可以高效率地制造成本低且
[0011]不会对电介质层造成不良影响的薄膜电容器的薄膜电容器的制造方法。
[0012]为了达成上述目的，本发明的薄膜电容器的制造方法是具有电介质层、分别形成于该电介质层的两个主面上的导体层的薄膜电容器的制造方法，其特征是，包括:分别制作含有电介质陶瓷粉末的电介质生片、含有金属粉末的导体生片、含有氧化物无机材料粉末的烧成辅助用生片的生片制作工序；在上述电介质生片的两个主面分别配置上述导体生片而形成电容器部，并且以将上述电容器部用上述烧成辅助用生片保持的方式配置上述烧成辅助用生片而形成叠层体的叠层体形成工序；将上述叠层体烧成的烧成工序，在上述烧成工序的烧成处理中，降低上述导体生片与上述烧成辅助用生片的界面的粘接强度，并且将烧成气氛的氧分压至少改变1次，将作为上述电容器部的烧结体的薄膜电容器与作为上述烧成辅助用生片的烧结体的烧成辅助构件分离。
[0013]而且，所谓将上述薄膜电容器与上述烧成辅助用构件分离」除了包括将薄膜电容器的导体层与烧成辅助用构件完全分离的情况以外，还包括仅用夹具等轻轻地触碰就可以极为容易地分离那样的以非常弱的结合力接触的情况，即，包括可以评价为实质上分离的情况。
[0014]另外，所谓「将氧分压至少改变1次包括以作为内部电极的主成分的金属的氧化还原反应的平衡氧分压为基准，在还原气氛内或中性气氛内产生氧分压的轻微的变化的情况，然而最好像从还原气氛变为中心气氛，或从中心气氛变为还原气氛那样，使氧分压明显地变化。
[0015]另外，本发明的薄膜电容器的制造方法的特征是，上述金属粉末是Ni及以Ni为主成分的合金当中的某种。
[0016]另外，本发明的薄膜电容器的制造方法的特征是，将上述烧成辅助用生片制成框状，以与上述导体生片的外周接触的方式，或以邻近上述外周的方式配置该烧成辅助用生片。
[0017]另外，本发明的薄膜电容器的制造方法的特征是，上述氧化物无机材料粉末为A1203粉末。
[0018]另外，本发明的薄膜电容器的制造方法的特征是，上述电介质层的厚度与上述导体层的厚度的总和在100 μ m以下。
[0019]根据上述薄膜电容器的制造方法，由于包括:制作电介质生片、导体生片及烧成辅助用生片的生片制作工序；在上述电介质生片的两个主面上分别配置上述导体生片而形成电容器部，并且以将上述电容器部用上述烧成辅助用生片保持的方式配置上述烧成辅助用生片而形成叠层体的叠层体形成工序；将上述叠层体烧成的烧成工序，在上述烧成工序的烧成处理中，降低上述导体生片与上述烧成辅助用生片的界面的粘接强度，并且将烧成气氛的氧分压至少改变1次，将薄膜电容器与烧成辅助构件分离，因此就不需要研磨处理之类的机械加工，所以就不会有损伤薄膜电容器的情况，也不会有导体层之间发生电短路的情况。
[0020]另外，上述金属粉末是Ni或以Ni为主成分的合金当中的某种，将比较廉价且熔点高的Ni (熔点:1455°C )作为主要的导电成分使用。所以，就能够经受1000°C以上的烧成温度，可以获得具有高介电常数的电介质层的薄膜电容器。
[0021]另外，通过将上述烧成辅助用生片制成框状，以与上述导体生片的外周接触的方式，或以邻近上述外周的方式配置该烧成辅助用生片，导体生片的一部分就会露出而直接暴露于炉内气氛中，从而提高烧成气氛对电容器部的控制性。
[0022]另外，由于氧化物无机材料为A1203粉末，而A1203粉末不仅可以比较廉价地获得，而且基本上不会对电容器的特性造成影响，所以可以容易地制造成本低且特性良好的薄膜电容器。
[0023]另外，由于上述电介质层的厚度与上述导体层的厚度的总和在100 μm以下，因此可以高效率地制造成本低且对电介质层不会造成不良影响的所需的薄膜电容器。
[0024]本发明取得的有益效果是:可以实现能够高效率地制造成本低且不会对特性造成影响的可靠性优良的薄膜电容器。
【具体实施方式】
[0025]—种薄膜电容器的制造方法，是在电介质层的两个主面上形成了导体层的薄膜电容器的制造方法，其特征是，包括:分别制作含有电介质陶瓷粉末的电介质生片、含有金属粉末的导体生片、含有氧化物无机材料粉末的烧成辅助用生片的生片制作工序；在上述电介质生片的两个主面分别配置上述导体生片而形成电容器部，并且以将上述电容器部用上述烧成辅助用生片保持的方式配置上述烧成辅助用生片而形成叠层体的叠层体形成工序；将上述叠层体烧成的烧成工序，在上述烧成工序的烧成处理中，降低上述导体生片与上述烧成辅助用生片的界面的粘接强度，并且将烧成气氛的氧分压至少改变1次，将作为上述电容器部的烧结体的薄膜电容器与作为上述烧成辅助用生片的烧结体的烧成辅助构件分离。
[0026]另外，所谓「将氧分压至少改变1次包括以作为内部电极的主成分的金属的氧化还原反应的平衡氧分压为基准，在还原气氛内或中性气氛内产生氧分压的轻微的变化的情况，然而最好像从还原气氛变为中心气氛，或从中心气氛变为还原气氛那样，使氧分压明显地变化。
[0027]另外，本发明的薄膜电容器的制造方法的特征是，上述金属粉末是Ni及以Ni为主成分的合金当中的某种。
[0028]另外，本发明的薄膜电容器的制造方法的特征是，将上述烧成辅助用生片制成框状，以与上述导体生片的外周接触的方式，或以邻近上述外周的方式配置该烧成辅助用生片。
[0029]另外，本发明的薄膜电容器的制造方法的特征是，上述氧化物无机材料粉末为A1203粉末。
[0030]另外，本发明的薄膜电容器的制造方法的特征是，上述电介质层的厚度与上述导体层的厚度的总和在100 μ m以下。
[0031 ] 上述实施例，只是本发明的较佳实施例，并非用来限制本发明实施范围，故凡以本发明权利要求所述内容所做的等效变化，均应包括在本发明权利要求范围之内。
【主权项】
1.一种薄膜电容器的制造方法，是在电介质层的两个主面上形成了导体层的薄膜电容器的制造方法，其特征是，包括:分别制作含有电介质陶瓷粉末的电介质生片、含有金属粉末的导体生片、含有氧化物无机材料粉末的烧成辅助用生片的生片制作工序；在上述电介质生片的两个主面分别配置上述导体生片而形成电容器部，并且以将上述电容器部用上述烧成辅助用生片保持的方式配置上述烧成辅助用生片而形成叠层体的叠层体形成工序；将上述叠层体烧成的烧成工序，在上述烧成工序的烧成处理中，降低上述导体生片与上述烧成辅助用生片的界面的粘接强度，并且将烧成气氛的氧分压至少改变1次，将作为上述电容器部的烧结体的薄膜电容器与作为上述烧成辅助用生片的烧结体的烧成辅助构件分离。2.根据权利要求1所述的薄膜电容器的制造方法，其特征是，上述金属粉末是Ni及以Ni为主成分的合金当中的某种。3.根据权利要求1或2所述的薄膜电容器的制造方法，其特征是，将上述烧成辅助用生片制成框状，以与上述导体生片的外周接触的方式，或以邻近上述外周的方式配置该烧成辅助用生片。
【专利摘要】本发明提供一种薄膜电容器的制造方法。分别制作含有电介质陶瓷粉末的电介质生片、含有金属粉末的导体生片、含有氧化物无机材料粉末的烧成辅助用生片，在将这些烧成辅助用生片、导体生片、电介质生片、导体生片及烧成辅助用生片依次叠层，形成了叠层体后，对该叠层体实施烧成处理。此外，在该烧成处理中，降低导体生片与烧成辅助用生片的界面的粘接强度，并且将烧成气氛的氧分压至少改变1次以上，将作为电容器部的烧结体的薄膜电容器与作为烧成辅助用生片的烧结体的烧成辅助构件分离。这样，就可以实现能够高效率地制造成本低且不会对特性造成影响的可靠性优良的薄膜电容器。
【IPC分类】H01G4/33
【公开号】CN105355431
【申请号】CN201510860953
【发明人】宗启军
【申请人】淮安盛宇电子有限公司
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2015年11月30日