自组装制备带空腔的iii-v族氮化物复合衬底的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子器件的制备领域，具体涉及一种自组装制备带空腔的II1-V族氮化物复合衬底的方法。
【背景技术】
[0002]III族氮化物半导体以其寿命长、节能、环保、色彩丰富、安全及稳定等优点，逐渐发展成为新一代照明光源。目前，为提高LED内部光线的出射效率，图形化蓝宝石衬底已批量生产并被广泛作为LED生长的衬底。然而，由于异质外延的限制，晶格失配与热失配使得高质量的II1-V族氮化物制备非常困难。异质外延制备II1-V族氮化物薄膜的生长过程中应力不断积累，致使外延片弯曲甚至开裂。目前常采用的缓解应力的方法有:插入弱连接层法、侧向外延法以及双面生长法。然而，上述方法缓解应力效果有限，导致器件性能下降或者外延片翘曲严重甚至引起开裂。因此，迫切需要一种能够显著释放应力的GaN复合衬底制备方法。
【发明内容】
[0003]为了克服现有技术的不足，本发明提出了一种自组装制备带空腔的II1-V族氮化物复合衬底的方法，空腔的尺寸由掩膜的尺寸及刻蚀的深度决定，使得本发明制备的空腔尺寸具有可控性，可根据不同的需要设计出理想的空腔结构，同时这一方法工艺过程简单，有利于实现低成本的衬底制备。
[0004]本发明的目的在于提出一种工艺过程简单的自组装制备带空腔的II1-V族氮化物复合衬底的方法。
[0005]本发明的自组装制备带空腔的II1-V族氮化物复合衬底的方法，包括以下步骤:
[0006]I)在衬底上首先预生长一层II1-V族氮化物，形成II1-V族氮化物薄膜层，然后蒸镀一层金属形成掩膜层；
[0007]2)采用退火工艺使得金属自组装在掩膜层上形成图形化结构；
[0008]3)刻蚀去除掩膜层开口区域的II1-V族氮化物至衬底的表面，使得在II1-V族氮化物薄膜层中形成沟道，沟道的尺寸由掩膜层的图形大小和刻蚀时间决定，并确保形成的沟道导通至II1-V族氮化物薄膜层的边缘；
[0009]4)采用填充介质填充II1-V族氮化物薄膜层中的沟道；
[0010]5)采用化学腐蚀或者剥离工艺去除保留下的II1-V族氮化物表面上沉积的残留的金属以及金属上的填充介质；
[0011]6)采用侧向外延生长技术生长II1-V族氮化物厚膜层，覆盖以填充介质填充沟道的II1-V族氮化物薄膜层的整个表面；
[0012]7)采用腐蚀溶液去除填充在II1-V族氮化物薄膜层的沟道中的填充介质，原来被填充介质占据的位置成为空腔，形成带有空腔的复合衬底。
[0013]其中，在步骤I)中，衬底为采用能够实现II1-V族氮化物生长的材料，可以采用蓝宝石衬底、碳化硅SiC衬底、氮化镓GaN衬底、硅Si衬底、铝酸锂LiAlO2衬底、和氧化锌ZnO衬底中的一种。生长II1-V族氮化物薄膜层采用分子束外延法(Molecular Beam Epitaxy，MBE)、金属有机化学气相沉积法(Metal-organic Chemical Vapor Deposit1n，MOCVD)、氢化物气相外延法(Hydride Vapor Phase Epitaxy，HVPE)以及液相外延(Liquid PhaseEpitaxy，LPE)中的一种，生长厚度在3?15μπι之间或者所需要的厚度的II1-V族氮化物薄膜层。
[0014]采用MOCVD生长II1-V族氮化物的方法，主要分两步:首先低温II1-V族氮化物缓冲层的生长，温度在500?600°C之间，压力在100?400Torr之间，厚度在50?300nm之间；随后再高温生长II1-V族氮化物外延层，温度范围在900?1050°C、压强在300?600Torr之间，厚度在2?8μπι之间，II1-V族氮化物外延层的厚度由衬底晶向、生长条件、目标參数等综合决定。
[0015]然后蒸镀一层金属，作为掩膜层，金属可以采用电子束蒸发法、磁控溅射和热蒸发中的一种方法制备，具体厚度由所需要的空腔的尺寸、采用的金属材料的性质以及后续工艺决定，运用镍作为掩膜层的情况下，形成掩膜层需要的镍的厚度为5nm?10nm0
[0016]在步骤2)中，自组装形成掩膜层的图形化结构的过程为:将蒸镀有金属的掩膜层的衬底进行退火，通过控制金属的厚度以及退火的气氛、温度和时间等工艺参数，使金属自组装形成图形化结构，其结构的特征参数可综合金属性质、退火工艺条件以及金属与氮化物界面的性质和结构进行设计和实验确定。
[0017]在步骤3)中，采用化学腐蚀(湿法腐蚀)或者反应离子刻蚀或聚焦离子束刻蚀的干法刻蚀去除掩膜层上开口区域的II1-V族氮化物至衬底的表面，在II1-V族氮化物薄膜层中形成沟道和保留下的111-V族氮化物。以聚焦离子束刻蚀法刻蚀II1-V族氮化物的制备方法包括:刻蚀温度为室温，压强在I?5Pa之间，刻蚀功率在80?120W之间，C12、BC13和N2O的流量均控制在2 O?5 O s c c m之间，刻蚀时间视需刻蚀的II1- V族氮化物的厚度决定。保留下的II1-V族氮化物的形状为柱状。
[0018]在步骤4)中，沉积S12或SiNx作为填充介质填充II1-V族氮化物薄膜层之间的沟道，沉积填充介质的厚度以填平沟道而形成平面为准。沉积的方法采用等离子体增强化学气相沉积法PECVD或原子层沉积ALD等方法。采用PECVD沉积SiNx的方法包括:沉积温度在80?200°C之间，压强在90?150Pa之间，设备运行功率在80?120W之间，以SiH4作为Si源，NH3作为对原，沉积过程中流量分别控制在80?150sccm和400?700sccm之间。
[0019]在步骤5)中，采用化学腐蚀或者剥离工艺去除保留下的II1-V族氮化物表面上沉积的残留的金属以及金属上的填充介质。其中化学腐蚀法采用盐酸或硝酸能与蒸镀的金属反应的溶液腐蚀残留的金属，并同时带离金属上沉积的填充介质。
[°02°] 在步骤6)中，形成II1-V族氮化物厚膜层采用氢化物气相外延(Hydride VaporPhase Epitaxy，HVPE)、分子束外延(Molecular Beam Epitaxy，MBE)、金属有机化学气相沉积法(Metal-organic Chemical Vapor Deposit1n，M0CVD)和液相外延(Liquid PhaseEpitaxy, LPE)中的一种，或者两种以上生长方法的组合。
[0021]在步骤7)中，将生长了 II1-V族氮化物厚膜层的衬底浸泡在腐蚀溶液中，去除在II1-V族氮化物薄膜层的沟道中的填充介质，使得在原来被填充介质占据的位置留下空腔，形成带空腔的II1-V族氮化物复合衬底。II1-V族氮化物薄膜层与II1-V族氮化物厚膜层的材料可以相同，也可以不同。空腔的尺寸与沟道的尺寸相同，因此空腔的水平尺寸与图形化结构一致，空腔的深度由保留下的II1-V族氮化物的厚度决定。
[0022]本发明的优点:
[0023]本发明在衬底上预生长II1-V族氮化物薄膜层并蒸镀金属，利用自组装的方法形成图形化结构，并采用刻蚀的方法形成沟道，再以填充介质填充，然后生长II1-V族氮化物厚膜层覆盖整个表面，最后采用腐蚀溶液去除填充介质，从而在原来被填充介质占据的位置留下空腔，形成带空腔的II1-V族氮化物复合衬底;空腔的尺寸由金属退火形成的图形化结构及刻蚀深度决定，使得本发明制备的空腔尺寸具有可控性，以实现根据不同的需要设计出空腔结构的目的；空腔在后续生长过程中充当应力释放层，同时由于在填充介质上不沉积II1-V族氮化物，晶体在生长过程中需跨过填充介质通过侧向外延而合并，这种规则可控空腔的设计不仅助于释放应力，同时也极大的降低了晶体的位错密度，可以较为容易的获取低应力、低缺陷密度的高质量II1-V族氮化物薄膜。此外，由于该方法的自组装过程只需要进行金属制备和退火工艺即可完成掩膜层，整个模板衬底制备过程无需光刻工艺，过程简单可控，有利于实现产业化。
【附图说明】
[0024]图1(a)?(h)为本发明