的技术人员可以理解的，在此不作赘述。所述垫片110—般可以为铝垫片，所述垫片110位于所述互连金属层的顶层，以用于向器件通电。
[0045]接着，如图4所示，在所述半导体衬底110上沉积一保护层120，所述保护层120覆盖所述垫片110，一般的，所述保护层120的材料可以为氧化物，以保护所述半导体衬底110中的器件结构。所述保护层120可以为单层膜结构或多层膜结构。
[0046]然后，采用开口光刻工艺以及开口刻蚀工艺，在所述保护层120中形成开口。具体的，如图5所示，先在所述保护层120上采用开口光刻工艺形成一具有开口图形181的光刻胶180，再进行开口刻蚀工艺，如图6所示，以所述光刻胶180为掩膜，对所述保护层120进行刻蚀，在所述保护层120中形成所述开口 121，所述开口 121暴露出部分所述垫片110。
[0047]由于所述开口 121暴露出的所述垫片110长时间暴露在空气中，层间电介质的材料中的氟元素或光刻胶的腐蚀剂中的氟元素在所述垫片110上形成晶体缺陷111，如图6所/Jn ο
[0048]接着进行步骤S12，如图7所示，形成一阻挡层130，所述阻挡层130覆盖所述保护层120和开口 121，从而覆盖所述开口 121暴露出的部分所述垫片110。在本实施例中，所述阻挡层130的材料为氮化硅，在本发明的其它实施例中，所述阻挡层130的材料还可以为氮氧化硅等等。另外，可以根据所述半导体衬底100中的器件结构选择所述阻挡层130的材料，例如，当所述半导体衬底100中包括一次可编程器件(One Time Programable,简称OTP)时，所述阻挡层130的材料为紫外光氮化硅(UV SIN)，当所述半导体衬底100中不包括一次可编程器件时，所述阻挡层130的材料为非紫外光氮化硅(SIN)。较佳的，所述阻挡层 130 的厚度为 1nm ?lOOOOnm,例如，50nm、100nm、500nm、1000nm、5000nm、1000nm 等等，可以达到较好的所述晶体缺陷111去除效果。
[0049]在本实施例中，在所述步骤S12之后，采用去离子水清洗所述阻挡层130，以避免引入杂质。
[0050]之后，如图8所示，采用图形光刻工艺形成一图形光刻胶190，所述图形光刻胶190覆盖所述阻挡层130，所述图形光刻胶190具有一图形191，所述图形191暴露出所述开口121。所述图形光刻工艺与所述开口光刻工艺相同，具体的，光刻胶的材料相同，光刻胶的厚度相同，曝光的时间相同，所述图形191与开口图形181的大小、位置、形状均相同，即可以采用形成所述光刻胶180的制程(recipe)相同，不会引入新的掩膜板，节约成本。
[0051]随后进行步骤S13，如图9所示，采用干法刻蚀，以所述图形光刻胶190为掩膜进行刻蚀，去除所述开口 121中的所述阻挡层130，并保留所述保护层120上的所述阻挡层130，所述保护层120上的所述阻挡层130可以隔绝所述保护层120与外界空气，避免水汽侵入。在所述步骤S13中，部分所述晶体缺陷111可能会被去除。
[0052]最后进行步骤S14，如图10所示，采用湿法刻蚀去除所述晶体缺陷111，经过所述步骤S12和步骤S13，所述晶体缺陷111很容易就被去除掉，并且，去除所述晶体缺陷111后的垫片110的表面平整，没有出现所述晶体缺陷111的印痕。较佳的，所述湿法刻蚀的刻蚀液为碱溶液，例如杜邦公司的NEKC溶液等，可以较好地去除所述晶体缺陷111。所述湿法刻蚀的刻蚀时间为20min?120min,例如30min、50min、80min、10min等等,可以完全去除所述晶体缺陷111，又不会形成腐蚀坑。
[0053]本发明的较佳实施例如上所述，但是本发明并不限于上述公开范围，例如:在本发明的另一实施例中，在所述步骤S13中，如图11所示，同时去除所述保护层120上的所述阻挡层130，此时，所述阻挡层130的材料可以为氮化硅、氧化硅或碳化硅中的一种或几种的组合；之后再进行步骤S14，同样可以去除所述晶体缺陷111，亦在本发明的思想范围之内。
[0054]综上，本发明提供一种垫片晶体缺陷去除方法，包括:提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有一垫片以及覆盖所述垫片的保护层，所述保护层中形成有一暴露出部分所述垫片的开口，所述开口中的垫片上形成有晶体缺陷；形成一阻挡层，所述阻挡层覆盖所述保护层和开口 ；采用干法刻蚀至少去除所述开口中的所述阻挡层；采用湿法刻蚀去除所述晶体缺陷。经过上述步骤后，所述垫片上的晶体缺陷被有效地去除；并且，去除所述晶体缺陷后的垫片的表面平整，没有出现所述晶体缺陷的印痕。
[0055]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种垫片晶体缺陷去除方法，包括: 提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有一垫片以及覆盖所述垫片的保护层，所述保护层中形成有一暴露出部分所述垫片的开口，所述开口中的垫片上形成有晶体缺陷； 形成一阻挡层，所述阻挡层覆盖所述保护层和开口 ； 采用干法刻蚀至少去除所述开口中的所述阻挡层；以及 采用湿法刻蚀去除所述晶体缺陷。2.如权利要求1所述的垫片晶体缺陷去除方法，其特征在于，在所述采用干法刻蚀去除所述开口中的所述阻挡层的步骤中，保留所述保护层上的所述阻挡层。3.如权利要求2所述的垫片晶体缺陷去除方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为氮化石圭。4.如权利要求3所述的垫片晶体缺陷去除方法，其特征在于，所述半导体衬底中包括一次可编程器件，所述阻挡层的材料为紫外光氮化硅。5.如权利要求1所述的垫片晶体缺陷去除方法，其特征在于，在所述采用干法刻蚀去除所述开口中的所述阻挡层的步骤中，同时去除所述保护层上的所述阻挡层。6.如权利要求5所述的垫片晶体缺陷去除方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为氮化硅、氧化硅或碳化硅中的一种或几种的组合。7.如权利要求1所述的垫片晶体缺陷去除方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为1nm ?lOOOOnm。8.如权利要求1所述的垫片晶体缺陷去除方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀液为碱溶液。9.如权利要求1所述的垫片晶体缺陷去除方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀时间为 20min ?120min。10.如权利要求1所述的垫片晶体缺陷去除方法，其特征在于，采用开口光刻工艺以及开口刻蚀工艺，在所述保护层中形成所述开口。11.如权利要求10所述的垫片晶体缺陷去除方法，其特征在于，在所述形成一阻挡层的步骤和所述采用干法刻蚀去除所述开口中的所述阻挡层的步骤之间，还包括: 采用图形光刻工艺形成一图形光刻胶，所述图形光刻胶覆盖所述阻挡层，并暴露出所述开口。12.如权利要求11所述的垫片晶体缺陷去除方法，其特征在于，所述图形光刻工艺与所述开口光刻工艺相同。13.如权利要求1-12中任意一项所述的垫片晶体缺陷去除方法，其特征在于，在所述形成一阻挡层的步骤和所述采用干法刻蚀去除所述开口中的所述阻挡层的步骤之间，还包括: 采用去离子水清洗所述阻挡层。
【专利摘要】本发明揭示了一种垫片晶体缺陷去除方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有一垫片以及覆盖所述垫片的保护层，所述保护层中形成有一暴露出部分所述垫片的开口，所述开口中的垫片上形成有晶体缺陷；形成一阻挡层，所述阻挡层覆盖所述保护层和开口；采用干法刻蚀至少去除所述开口中的所述阻挡层；采用湿法刻蚀去除所述晶体缺陷。经过上述步骤后，所述垫片上的晶体缺陷被有效地去除；并且，去除所述晶体缺陷后的垫片的表面平整，没有出现所述晶体缺陷的印痕。
【IPC分类】H01L21/02
【公开号】CN105590832
【申请号】CN201410562703
【发明人】陈林
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2014年10月21日