方向以方向214示出，移动方向以方向216(沿晶圆10的外周的方向)示出。
[0057]此时，在切割刀212的正下方，必须存在吸附台210。如果在切割刀212的正下方不存在吸附台210，则切割刀212会将晶圆10压弯而使晶圆10破裂。因此，如果考虑到环部1B的宽度的波动、切割带20的厚度、吸附台210和晶圆10的中心错位等，则必须与环部1B相比在内侧进行切断，该内侧是指，相对于环部1B的距离为Xl (1.5mm左右)左右。
[0058]如上所述，在对比例中，由于在对环部1B进行切断时，必须对中央部1A的一部分也进行切断，因此有效芯片数相应地减少。将该问题称为第I问题。
[0059]根据本发明的实施方式I所涉及的半导体元件的制造方法，能够消除第I问题。即，在实施方式I中，由于使用激光，因此能够对环部1B和中央部1A之间的边界进行切断而将环部1B去除。由此，由于能够对环部1B进行切断而不实质上对中央部1A进行切断，因此有效芯片数不会减少。上述效果是通过在图10所示的晶圆安装装置50的切断部90设置激光振荡器16而得到的。
[0060]此外，在对比例中，在晶圆10和切割带20之间的密接性差的情况下，它们之间的间隙变大。图15是表示晶圆10和切割带20之间的间隙206形成得较大这一情况的图。在图15的上侧示出剖视图，在图15的下侧示出俯视图。由于如果间隙206大，则必须增大从环部1B至进行切断的部位为止的距离XI，因此有效芯片数减少。具体地说，由于仅被圆220包围的部分进入切割工序，因此浪费的芯片(半导体元件)多。而且，由于晶圆10和切割带20的粘接面积变小，因此在切割过程中晶圆10容易飞出。将由于间隙206变大而产生的这些问题称为第2冋题。
[0061]根据本发明的实施方式I所涉及的半导体元件的制造方法，能够消除第2问题。即，在实施方式I中，由于将平坦晶圆11粘贴于切割带20，因此在平坦晶圆11和切割带20之间不会产生间隙。因此，在实施方式I所涉及的半导体元件的制造方法中，不会产生第2问题。
[0062]在对晶圆进行切割而分割为各个半导体元件后，为了使半导体元件易于拾取，通常对切割带进行延展(伸展)。图16是表示对切割带进行延展这一情况的剖视图。单片化后的半导体元件1C与切割带20粘接。在切割带20形成有在对环部进行切断时形成的环状的槽302、以及在将晶圆10分割为各个半导体元件1C时产生的槽304。通过使延展台300上升而使切割带20伸展，从而能够使切割线(槽304)的宽度扩展而使半导体元件1C易于拾取。
[0063]在这里，槽302形成为环状，在俯视观察时延展台300也为圆形，因此在延展时，力集中于切割带20的槽302的周边，有时切割带20沿槽302断裂。图17是表示切割带20沿槽302断裂这一情况的剖视图。当然，如果切割带20断裂，则半导体元件1C变得难以拾取。将这称为第3问题。
[0064]根据本发明的实施方式I所涉及的半导体元件的制造方法，能够消除第3问题。即，在实施方式I中，由于在将晶圆10粘贴于切割带20之前对环部1B进行切断，因此在切割带20不形成因对环部进行切断而引起的环状的槽。因此，在实施方式I的半导体元件的制造方法中，不会产生第3问题。
[0065]如上所述，本发明的实施方式I所涉及的半导体元件的制造方法，与对比例的方法相比，有效芯片数增加，在切割过程中晶圆不会飞出，能够避免延展时的切割带20的断裂。
[0066]此外，如果在将晶圆10粘贴于切割带20之前对环部1B进行切断，则有可能发生平坦晶圆11的翘曲。但是，在本发明的实施方式I的切断工序中，由于一边使晶圆10的第I面1a吸附于吸附台14，一边利用激光从晶圆10将环部1B切除，因此平坦晶圆11不会翘曲。并且，在粘贴工序中，由于一边使平坦晶圆11的第2面1b吸附于吸附手部12，一边将平坦晶圆11从吸附台14分离，将第I面1a粘贴于切割带20，因此平坦晶圆11不会翘曲。如上所述，从对环部1B进行切断时起，直至将平坦晶圆11粘贴于切割带20为止，始终能够使平坦晶圆11保持平坦。
[0067]作为激光振荡器16，优选使用YAG激光器，该YAG激光器是固体激光器且操作容易、效率高且寿命长。但是，作为激光振荡器16，也可以使用其他激光元件。另外，在本发明的实施方式I中，将晶圆10中的被研磨而出现的面作为第I面10a，将与其相反的面作为第2面10b。但是，即使将被研磨而出现的面定义为第2面、将与其相反的面定义为第I面而实施上述的处理，也能够得到本发明的效果。此外，这些变形还能够应用于以下的实施方式所涉及的半导体元件的制造方法以及晶圆安装装置。
[0068]关于以下的实施方式所涉及的半导体元件的制造方法和晶圆安装装置，由于与实施方式I的一致点多，因此将与实施方式I的不同点作为中心进行说明。
[0069]实施方式2
[0070]图18是表示本发明的实施方式2所涉及的晶圆安装装置的切断部的图。在使用了切断部的切断工序中，首先，在第2面1b形成水溶性的保护膜400。然后，利用激光16a从晶圆10将环部1B切除。利用保护膜400，能够防止激光切肩402附着于晶圆10。
[0071]实施方式3
[0072]图19是表示本发明的实施方式3所涉及的晶圆安装装置的切断部的图。在使用了切断部的切断工序中，首先，利用橡胶环410和防尘罩412将第2面1b的中央部覆盖。然后，利用激光16a，从晶圆10将环部1B切除。通过橡胶环410和防尘罩412，能够防止激光切肩402附着于晶圆10。该方法与在第2面1b形成水溶性的保护膜相比能够由更少的工序实现。
[0073]实施方式4
[0074]图20是表示本发明的实施方式4所涉及的晶圆安装装置的切断部的图。在使用了切断部的切断工序中，首先，利用橡胶环410和防尘罩412将第2面1b的中央部覆盖。然后，以覆盖橡胶环410和防尘罩412的方式设置气流生成装置420。在气流生成装置420中，存在流过箭头方向的气流的空腔420a。气流生成装置420产生经由空腔420a从第2面1b的中央部朝向外周部的气流422。然后，一边产生气流422，一边利用激光16a从晶圆10将环部1B切除。根据该方法，能够防止激光切肩402附着于晶圆10的边缘。
[0075]实施方式5
[0076]图21是表示本发明的实施方式5所涉及的晶圆安装装置的切断部的图。切断部具有高压水栗450。在高压水栗450连接有配管452。在配管452连接有喷嘴454。该切断部构成为，使从高压水栗450释放出的水经由配管452及喷嘴454而喷射至晶圆10。从喷嘴454喷出的水柱458的直径例如为几十μπι。
[0077]从激光振荡器16发出的激光16a通过光纤456和喷嘴454而被导入至水柱458内，照射于中央部1A和环部1B之间的边界。如上所述，在切断工序中，通过将水(水柱458)喷射至激光的照射部分，从而能够抑制该照射部分的温度上升。另外，通过该水能够将激光切肩402向外部排出。
[0078]此外，也可以对上述的各实施方式所涉及的半导体元件的制造方法和晶圆安装装置的特征适当地进行组合，提高本发明的效果。例如，也可以如图22所示，对实施方式5的结构附加橡胶环410和防尘罩412。另外，也可以如图23所示，对实施方式5的结构附加橡胶环410、防尘罩412、以及气流生成装置420。
[0079]标号的说明
[0080]10晶圆，1A中央部，1B环部，1C半导体元件，1a第I面，1b第2面，11平坦晶圆，IIA半导体元件，12吸附手部，14吸附台，16激光振荡器，20切割带，20A粘接剂，20B基材，22安装框架，40切割机的吸附台，42切割刀，44槽，50晶圆安装装置，52工作台，54安装框架盒，60切割带粘贴部，70粘贴部，80工作台，82晶圆盒，90切断部，100工作台，102盒，200腔室，202配管，206间隙，300延展台，302、304槽，400保护膜，402激光切肩，410橡胶环，412防尘罩，420气流生成装置，422气流，450高压水栗，452配管，454喷嘴，456光纤。
【主权项】
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具有: 切断工序，通过一边使晶圆的第I面吸附于吸附台，一边利用激光从所述晶圆将环部切除，从而形成平坦晶圆，在该晶圆的外周形成比中央部厚的所述环部，该晶圆具有所述第I面、和与所述第I面相反的面即第2面； 粘贴工序，一边使所述平坦晶圆的所述第2面吸附于吸附手部，一边将所述平坦晶圆从所述吸附台分离，将所述第I面粘贴于切割带；以及 切割工序，对被粘贴于所述切割带的所述平坦晶圆进行切割。2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，在所述切断工序中使用YAG激光器。3.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于， 在所述切断工序中，在所述第2面形成水溶性的保护膜后，从所述晶圆将所述环部切除。4.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于， 在所述切断工序中，在利用橡胶环和防尘罩而将所述第2面的中央部覆盖后，从所述晶圆将所述环部切除。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于， 在所述切断工序中，一边产生从所述第2面的中央部朝向外周部的气流，一边从所述晶圆将所述环部切除。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于， 在所述切断工序中，将水喷射至所述激光的照射部分。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于， 在所述切断工序中，将所述激光照射至所述中央部和所述环部之间的边界。8.—种晶圆安装装置，其特征在于，具有: 切断部，其具有吸附台和激光振荡器，该切断部用于形成平坦晶圆，该吸附台对晶圆的第I面进行吸附，在该晶圆的外周形成比中央部厚的环部，该晶圆具有所述第I面、和与所述第I面相反的面即第2面，该激光振荡器利用激光从所述晶圆将所述环部切除； 粘贴部，其设置有切割带；以及 吸附手部，其一边对所述平坦晶圆的所述第2面进行真空吸附，一边使所述平坦晶圆从所述吸附台移动而粘贴于所述切割带。
【专利摘要】本发明的特征在于，具有：切断工序，通过一边使晶圆的第1面吸附于吸附台，一边利用激光从该晶圆将环部切除，从而形成平坦晶圆，在该晶圆的外周形成比中央部厚的环部，该晶圆具有该第1面、和与该第1面相反的面即第2面；粘贴工序，一边使该平坦晶圆的该第2面吸附于吸附手部，一边将该平坦晶圆从该吸附台分离，将该第1面粘贴于切割带；以及切割工序，对被粘贴于该切割带的该平坦晶圆进行切割。
【IPC分类】H01L21/301
【公开号】CN105637618
【申请号】CN201380080265
【发明人】松村民雄
【申请人】三菱电机株式会社
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2013年10月15日
【公告号】DE112013007505T5, US20160155656, WO2015056303A1