一种串联的半导体激光器组的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种串联的半导体激光器组，包括多个半导体激光器；每个半导体激光器包括半导体安装座和半导体安装座上呈品字形的排布有上电极、左电极、右电极；上电极上固定有半导体芯片；左电极之上设置有第一固定引脚；右电极之上设置有第二固定引脚；上电极和左电极之间通过第一引线带连接；上电极和右电极之间过第二引线带连接；汇流条或者引线固定于第一固定引脚和第二固定引脚之上；多个半导体激光器之间通过汇流条相连接；在末端的半导体激光器的固定引脚之上连接有接触电极，接触电极之上连接有导线。本发明将多个半导体激光器排布为一排串联使用，并不影响每个半导体激光器的工作。
【专利说明】
一种串联的半导体激光器组
技术领域
[0001]本发明涉及有源发光器件，具体涉及一种串联的半导体激光器组。
【背景技术】
[0002]半导体激光器中设置有半导体激光芯片，半导体激光芯片的工作原理是通过一定的激励方式，在半导体物质的能带之间，或者半导体物质的能带与杂质能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。
[0003]半导体激光器工作时，会产生大量热量，尤其是高功率的半导体激光器，为了使之散热良好，有的工艺会增加半导体激光器的外表面积，即增大了散热面，但是这种方案又使之体积过大，在多个半导体激光器共同工作时，以上两个问题就显得更加关键。
【发明内容】
[0004]针对现有技术的不足，本发明公开了一种串联的半导体激光器组。
[0005]本发明的技术方案如下:
[0006]—种串联的半导体激光器组，包括多个半导体激光器;每个半导体激光器包括包括半导体安装座和半导体安装座上呈品字形的排布有上电极、左电极、右电极;上电极上固定有半导体芯片；左电极之上设置有第一固定引脚;右电极之上设置有第二固定引脚;上电极和左电极之间通过第一引线带连接;上电极和右电极之间过第二引线带连接;汇流条或者引线固定于第一固定引脚和第二固定引脚之上;多个半导体激光器之间通过汇流条相连接;在末端的半导体激光器的固定引脚之上连接有接触电极，接触电极之上连接有导线。
[0007]其进一步的技术方案为，所述半导体安装座由厚度为400μπι的ALN绝缘材料制成。
[0008]其进一步的技术方案为，所述上电极、左电极、右电极由铜制成。
[0009]本发明的有益技术效果是:
[0010]本发明将半导体激光芯片单独固定于一个电极之上，激光发射时并无其他配件阻挡，所以可以在半导体激光器的左右两端尽量减小体积，也不会影响半导体激光芯片的散热，同时本发明将多个半导体激光器排布为一排串联使用，并不影响每个半导体激光器的工作。
【附图说明】
[0011]图1是本发明的示意图。
【具体实施方式】
[0012]图1是本发明的示意图。如图1所示，本发明包括多个半导体激光器。半导体安装座I由厚度为400μπι的ALN绝缘材料制成。半导体安装座I上呈品字形的排布有上电极2、左电极
6、右电极7，上电极2、左电极6、右电极7由铜制成。上电极2上固定有半导体芯片3;左电极6之上设置有第一固定引脚8;右电极7之上设置有第二固定引脚9。电极的此种排布方式，使得半导体芯片3单独固定，左右没有影响半导体芯片发光的其他部件，则第一，半导体芯片的宽度可以尽量减小，最小的时候，可以仅与半导体芯片的长度相等，第二，半导体芯片向前方发光，则左右两边适宜串联多个半导体发光器共同工作而不互相影响。上电极2和左电极6之间通过第一引线带4连接;上电极2和右电极7之间过第二引线带5连接;汇流条或者引线固定于第一固定引脚8和第二固定引脚9之上。
[0013]多个半导体激光器之间通过汇流条相连接;在末端的半导体激光器的固定引脚之上连接有接触电极，接触电极之上连接有导线
[0014]以上所述的仅是本发明的优选实施方式，本发明不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本发明的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种串联的半导体激光器组，其特征在于:包括多个半导体激光器;每个半导体激光器包括包括半导体安装座(I)和半导体安装座(I)上呈品字形的排布有上电极(2)、左电极(6)、右电极(7);上电极(2)上固定有半导体芯片(3);左电极(6)之上设置有第一固定引脚(8);右电极(7)之上设置有第二固定引脚(9);上电极(2)和左电极(6)之间通过第一引线带(4)连接;上电极(2)和右电极(7)之间过第二引线带(5)连接;汇流条或者引线固定于第一固定引脚(8)和第二固定引脚(9)之上；多个半导体激光器之间通过汇流条(10)相连接;在末端的半导体激光器的固定引脚(8、9)之上连接有接触电极(11)，接触电极(11)之上连接有导线(12)。2.如权利要求1所述的小体积的半导体激光器，其特征在于，所述半导体安装座(I)由厚度为400μπι的ALN绝缘材料制成。3.如权利要求1所述的小体积的半导体激光器，其特征在于，所述上电极(2)、左电极(6)、右电极(7)由铜制成。
【文档编号】H01S5/40GK105914583SQ201610481508
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年6月28日
【发明人】吕耀安
【申请人】无锡宏纳科技有限公司