引线框架结构及片结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及引线框架，具体地，涉及引线框架结构及片结构，尤其是涉及D2PAK产品的引线框架结构。
【背景技术】
[0002]引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，并形成电气回路的关键结构件。引线框架起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，因此引线框架是电子信息产业中重要的基础材料。D2PAK是现今非常流行的封装方式，众多的晶体厂商选择D2PAK对贴片器件进行封装。因此找到针对D2PAK产品的最佳引线框架结构是工程师们需要努力的一个热点。
[0003]传统的D2PAK产品引线框架结构制作效率低，产品的结构强度不高，影响着元器件的使用寿命和性能。
【实用新型内容】
[0004]针对现有技术中的缺陷，本实用新型的目的是提供一种引线框架D2PAK产品结构。
[0005]根据本实用新型提供的一种引线框架结构，包括:厚料铜片部件、薄料铜片部件，所述厚料铜片部件通过连筋结构与薄料铜片部件相连；
[0006]—厚料铜片部件，包括功能结构Yl、连接结构Y2，所述功能结构Yl包括晶片放置区、基岛区，且所述晶片放置区的一个端面与基岛区的内端面相连；所述连接结构Y2包括抓胶台、抓胶孔，所述功能结构Yl的晶片放置区周边端面上设置有抓胶台，所述晶片放置区与基岛区的连接处的正反平面设有长方形的抓胶孔；
[0007]—薄料铜片部件，包括引脚H1、引脚H2、引脚H3，位于所述引脚H1、引脚H3之间的引脚H2的内端面通过连筋结构与所述厚料铜片部件的晶片放置区的另一个端面连接，且所述引脚H1、引脚H2、引脚H3的外端构成焊接端面。
[0008]优选地，所述厚料铜片部件的功能结构Yl的晶片放置区包括:侧压台、背面全周压台、V形沟槽，所述晶片放置区正面的左右边缘设置有向背面方向凹入的侧压台，所述晶片放置区背面的非连接基岛区的周边设置有向正面方向凹入的背面全周压台，所述晶片放置区正面的非连接基岛区的周边平面内设置有V形沟槽。
[0009]优选地，所述厚料铜片部件的功能结构Yl的基岛区，包括:散热区、工艺切口，所述散热区包括基岛区非连接晶片放置区的端面，所述散热区的正反平面与晶片放置区的正反平面平齐，所述散热区的左右端面为矩形平面且所述左右端面间的距离大于所述晶片放置区左右端面间的距离，所述基岛区的外端面的左右两边设置为向内端倾斜的斜面；所述基岛区左右平面的内端边沿设置有工艺切口。
[0010]优选地，所述厚料铜片部件的连接结构Y2的抓胶台包括:燕尾抓胶台，所述燕尾抓胶台设置在所述功能结构Yl的晶片放置区周边端面上，燕尾抓胶台的宽度小于所述功能结构Yi的晶片放置区的厚度，且所述燕尾抓胶台向所述功能结构Yi的晶片放置区内部凹入构成防水通槽腔。
[0011]优选地，所述厚料铜片部件的连接结构Y2的抓胶孔包括:卡胶长方冲孔，所述卡胶长方冲孔的孔口设置于所述厚料铜片部件的功能结构Yi的晶片放置区与基岛区的连接处的左右两侧，所述卡胶长方冲孔贯穿所述厚料铜片部件的功能结构Yi的晶片放置区与基岛区的连接处。
[0012]优选地，所述薄料铜片部件的引脚Hl、引脚H3为T形薄铜片，所述引脚Hl、引脚H3的一端为宽度大于另一端的自由端，所述薄料铜片部件的引脚H2呈矩形，位于所述薄料铜片部件的引脚H1、引脚H3之间，所述引脚H1、引脚H2、引脚H3之间留有间隙，且引脚H2的长度小于引脚H1、引脚H3的长度。
[0013]优选地，所述薄料铜片部件的引脚H1、引脚H2、引脚H3的正反两面都设有两个V形防水槽，所述两个V形防水槽之间相互平行，且所述引脚Hl、引脚H2、引脚H3上的V形防水槽一一对齐。
[0014]优选地，所述薄料铜片部件的引脚H1、引脚H2、引脚H3的另一端均连接至矩形框状连接铜片，所述引脚Hl、引脚H3的另一端均由所述连接铜片的内端面延伸至所述连接铜片的外端面；所述连接铜片的左右端面中的至少一端面上设置有半圆形的定位孔，所述连接铜片的左右端面边沿还设置有连接筋；所述连接铜片的外端面的两端设置有工艺切口。
[0015]优选地，所述引线框架结构是D2PAK框架产品的引线框架结构。
[0016]根据本实用新型提供的一种引线框架片结构，包括依次排列的多个上述的引线框架结构，其中，相邻的所述引线框架结构之间的通过连接筋结构连接。
[0017]优选地，相邻的所述引线框架结构的薄料铜片部件之间通过一连接筋结构连接，相邻的所述引线框架结构的基岛区之间通过另一连接筋结构连接。
[0018]与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果:
[0019]1、强度尚，易于制造，并有效提尚广品的合格率。
[0020]2、引脚焊接面积大，封装牢固，并降低了原材料的损耗，提高了产品的精度。
【附图说明】
[0021]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
[0022]图1为本实用新型提供的单颗引线框架结构的正面立体图；
[0023]图2为本实用新型提供的单颗引线框架结构的背面立体图；
[0024]图3为本实用新型提供的主要由多颗引线框架结构所构成的引线框架片结构的结构示意图；
[0025]图4为本实用新型提供的引线框架结构对应的单颗D2PAK产品的裸铜图；
[0026]图5为本实用新型提供的引线框架结构对应的单颗D2PAK产品的封装图；
[0027]图6为图3中截面A-A的示意图；
[0028]图7为图3中截面B-B的示意图；
[0029]图8为图3中截面C-C的示意图；
[0030]图9为图3中截面D-D的示意图；
[0031]图10为图3中截面H-H的示意图。
[0032]图中:
[0033]1-燕尾抓胶台；
[0034]2-侧压台；
[0035]3-V形防水槽；
[0036]4-背面权周压台；
[0037]5-工艺切口 ；
[0038]6-定位孔；
[0039]7-卡胶长方冲孔；
[0040]8-引脚；
[0041]801-引脚 HI;
[0042]802-引脚 H2;
[0043]803-引脚 H3;
[0044]9-连接筋；
[0045]1-V 形沟槽；
[0046]11-厚薄料连接处折弯；
[0047]12-连接筋；
[0048]13-塑料封装外壳。
【具体实施方式】
[0049]下面结合具体实施例对本实用新型进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本实用新型，但不以任何形式限制本实用新型。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本实用新型的保护范围。
[0050]根据本实用新型提供的一种尤其适用于D2PAK产品的引线框架结构，包括:厚料铜片部件、薄料铜片部件，所述厚料铜片部件通过包含有折弯的连筋结构与薄料铜片部件相连；
[0051]—厚料铜片部件，包括功能结构Yl、连接结构Y2，所述功能结构Yl包括晶片放置区、基岛区，且所述晶片放置区的一个端面与基岛区的内端面相连；所述连接结构Y2包括抓胶台、抓胶孔，所述功能结构Yl的晶片放置区周边端面上设置有抓胶台，所述晶片放置区与基岛区的连接处的正反平面设有抓胶孔；
[0052]—薄料铜片部件，包括引脚H1、引脚H2、引脚H3，位于所述引脚H1、引脚H3之间的引脚H2的内端面通过连筋结构与所述厚料铜片部件的晶片放置区的另一个端面连接，且所述引脚H1、引脚H2、引脚H3的外端构成焊接端面。
[0053]具体地，如图3所示，所述厚料铜片部件与薄料铜片部件是连接在一起的，是由异形铜带冲压而成，该异形铜带剖面有两种厚度:厚料厚度是1.27_，薄料厚度是0.38_。
[0054]优选地，所述厚料铜片部件的功能结构Yl的晶片放置区包括:侧压台2、背面全周压台4、V形沟槽10，所述晶片放置区正面的左右边缘设置有向背面方向凹入的侧压台2，所述晶片放置区背面的非连接基岛区的周边设置有向正面方向凹入的背面全周压台4，所述晶片放置区正面的非连接基岛区的周边平面内设置有V形沟槽10。
[0055]具体地，设置所述侧压台2和背面全周压台4是为了使得抓胶更牢固，增强封装树脂后的拉拔力，提高成品半导体器件的抗震性，提高产品的合格率，延长使用寿命。
[0056]优选地，所述厚料铜片部件的功能结构Yl的基岛区，包括:散热区、工艺切口 5，所述散热区包括基岛区非连接晶片放置区的端面，所述散热区的正反面与晶片放置区的正反平面平齐，所述散热区的左右端面为矩形平面且所述左右端面间的距离大于所述晶片放置区左右端面间的距离，所述基岛区的外端面的左右两边设置为向内端倾斜的斜面；所述基岛区左右