一种太阳能电池的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电池技术领域，更具体的是涉及一种太阳能电池。
【背景技术】
[0002]现有的太阳能电池(如图1，图2所示)，包括Ag背电极P、A1背场2'、P型硅3'、N+层4'、减反膜5'、Ag正电极6'，A1背场2'、P型硅3'、N+层4'和减反膜5'依次层叠设置，为了提高太阳电池的效率，人们在电池的正面制作了减反射膜5'，Ag正电极6'由Ag主栅线61'和Ag副栅线62'组成:用Ag制作电极一方面价格比较昂贵，其占太阳能电池成本的10%以上；另一方面Ag的储存量有限，不利于太阳能电池行业的长远发展；此外，Ag正电极6'的存在会遮掉一部分太阳光子，使得实际到达p-n的光子数量大大下降，会降低太阳能电池的转换效率。
[0003]因此，如何开发一种新的正面电极，使其不但可以解决Ag价格高和储量有限的问题，还可以提升电池转换效率，成为各大研究机构和太阳能电池厂研究的热点。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的就是为了解决现有技术之不足而提供一种大大降低Ag的消耗量和降低硅片反射率的太阳能电池。
[0005]为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种太阳能电池，包括Ag背电极、A1背场、P型娃、N+层和Ag主栅线，A1背场、P型硅和N+层依次层叠式设置，Ag背电极印刷在A1背场下表面，所述太阳能电池还包括碳纳米管阵列和透明导电薄膜，碳纳米管阵列与N+层相接触，透明导电薄膜层叠在N+层上侧并覆盖碳纳米管阵列，Ag主栅线印刷在透明导电薄膜上。
[0006]作为上述方案的改进，所述碳纳米管阵列由若干个碳纳米管组成。
[0007]作为上述方案的改进，所述碳纳米管的长度为50-100nm，管外径为30_50nm，管内径为 5-lOnm。
[0008]作为上述方案的改进，所述透明导电薄膜为In203:Sn(IT0)或者Sb:Sn02(AT0)或者 ZnOo
[0009]作为上述方案的改进，所述透明导电薄膜厚度为20-50nm，透光率为92-98 %，电阻率为 1 X 10 7-5 X 10 7 Ω.cm。
[0010]作为上述方案的改进，所述Ag主栅线根数为2-5根。
[0011]与现有技术相比，本实用新型不需要减反膜和Ag副栅线，通过设置碳纳米管阵列、透明导电薄膜和Ag主栅线形成复合正面电极，具有大大降低了 Ag的消耗量，降低了硅片反射率，提高了载流子的收集效率，降低了横向电阻，大大提高了电池的转换效率的优点。
【附图说明】
[0012]图1为现有技术的太阳能电池结构示意图；
[0013]图2为现有技术的太阳能电池的俯视图；
[0014]图3为本实用新型的一种太阳能电池的结构示意图；
[0015]图4为本实用新型的一种太阳能电池的俯视图。
【具体实施方式】
[0016]如图3和图4所示，本实用新型的一种太阳能电池，包括Ag背电极1、A1背场2、P型娃3、N+层4和Ag主栅线7，A1背场2、P型娃3和N+层4依次层叠式设置，Ag背电极1印刷在A1背场2下表面，太阳能电池还包括碳纳米管阵列5和透明导电薄膜6，碳纳米管阵列5与N+层4相接触，透明导电薄膜6层叠在N+层4上侧并覆盖碳纳米管阵列5，Ag主栅线7印刷在透明导电薄膜6上。与现有技术相比，本实用新型不需要减反膜和Ag副栅线，通过设置碳纳米管阵列5、透明导电薄膜6和Ag主栅线7形成复合正面电极，具有大大降低了 Ag的消耗量，降低了硅片反射率，提高了载流子的收集效率，降低了横向电阻，大大提高了电池的转换效率的优点。
[0017]碳纳米管阵列5由多个碳纳米管组成，碳纳米管的长度为50_100nm，管外径为30-50nm，管内径为5-10nm，这种结构具有优异的陷光效果。
[0018]透明导电薄膜6可以由In203:Sn(IT0)制成，或者由Sb:Sn02(AT0)制成，或者由ZnO制成；透明导电薄膜厚度为20-50nm，透光率为92-98 %，电阻率为1X10 7-5Χ10 7Ω.cm ο
[0019]Ag主栅线7根数为2-5根，Ag主栅线7主要是为了收集电流，方便太阳能电池组件焊接。
[0020]以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种太阳能电池，包括Ag背电极、A1背场、P型娃、N+层和Ag主栅线，A1背场、P型硅和N+层依次层叠式设置，Ag背电极印刷在A1背场下表面，其特征在于:所述太阳能电池还包括碳纳米管阵列和透明导电薄膜，碳纳米管阵列与N+层相接触，透明导电薄膜层叠在N+层上侧并覆盖碳纳米管阵列，Ag主栅线印刷在透明导电薄膜上。2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池，其特征在于，所述碳纳米管阵列由若干个碳纳米管组成。3.根据权利要求2所述的一种太阳能电池，其特征在于，所述碳纳米管的长度为50_100nm，管外径为30_50nm，管内径为5-lOnm。4.根据权利要求1所述的一种太阳能电池，其特征在于，所述透明导电薄膜为In203:Sn或者Sb:Sn02或者ZnO。5.根据权利要求1所述的一种太阳能电池，其特征在于，所述透明导电薄膜厚度为20-50nm，透光率为 92-98 %，电阻率为 1 X 10 7_5 X 10 7 Ω.cm。6.根据权利要求1所述的一种太阳能电池，其特征在于，所述Ag主栅线根数为2-5根。
【专利摘要】本实用新型公开了一种太阳能电池,包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层和Ag主栅线,Al背场、P型硅和N+层依次层叠式设置，Ag背电极印刷在Al背场下表面，所述太阳能电池还包括碳纳米管阵列和透明导电薄膜，碳纳米管阵列与N+层相接触，透明导电薄膜层叠在N+层上侧并覆盖碳纳米管阵列，Ag主栅线印刷在透明导电薄膜上。与现有技术相比，本实用新型不需要减反膜和Ag副栅线，通过设置碳纳米管阵列、透明导电薄膜和Ag主栅线形成复合正面电极，具有大大降低了Ag的消耗量，降低了硅片反射率，提高了载流子的收集效率，降低了横向电阻，大大提高了电池的转换效率的优点。
【IPC分类】H01L31/0224
【公开号】CN204991722
【申请号】CN201520522364
【发明人】石强, 秦崇德, 方结彬, 黄玉平, 何达能, 陈刚
【申请人】广东爱康太阳能科技有限公司
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年7月18日