一种csp led的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及LED照明领域，尤其是一种CSP LED ο
【背景技术】
[0002]基于倒装晶片的新型的芯片级封装LED (CSP LED ；Chip Scale Package LED)，是在芯片底面设有电极，直接在芯片的上表面和侧面封装上封装胶体，使底面的电极外露，由于这种封装结构并无支架或基板，可降低了封装成本。如图1所示，现有的芯片级封装LED通常是采取五面发光，即半导体晶片1的顶面和四个侧面均能发光，在发光面上覆盖荧光胶层2，半导体晶片1的底面用于设置电极3。LED的电极通过固晶胶固定在基板上后，LED侧面的荧光胶底部与基板之间仍然会存在间隙，外部水汽能够通过该间隙入侵到LED芯片与荧光胶结合面并在此聚集，影响出光效果，且在有水汽存在的位置会产生热量聚集从而导致荧光胶发黑。
【发明内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种CSP LED，解决现有技术外部水汽在电极处形成汇聚的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是:一种CSP LED，包括半导体晶片和荧光胶层，所述半导体晶片为四方体结构，半导体晶片的顶面及四个侧面上均覆盖有荧光胶层，所述半导体晶片的底部设有电极，所述电极遮挡半导体晶片侧面与荧光胶层相结合处。本实用新型通过电极遮挡半导体晶片侧面与荧光胶层相结合处，防止外部水汽通过荧光胶与基板之间的间隙入侵到LED芯片与荧光胶结合面并在此聚集，保证不影响出光效果Ο
[0005]作为改进，荧光胶层的底部与半导体晶片的底部平齐。
[0006]作为改进，电极朝外的一侧面与侧面的荧光胶的侧面平齐。
[0007]作为改进，电极朝外的一侧面凸出于荧光胶层。
[0008]作为改进，所述电极包括正电极和负电极，正电极和负电极分别位于半导体晶片的相对两侧。
[0009]本实用新型与现有技术相比所带来的有益效果是:
[0010]本实用新型通过电极遮挡半导体晶片侧面与荧光胶层相结合处，防止外部水汽通过荧光胶与基板之间的间隙入侵到LED芯片与荧光胶结合面并在此聚集，保证不影响出光效果。
【附图说明】
[0011 ] 图1为现有技术CSP LED的剖视图。
[0012]图2为实施例1CSP LED的剖视图。
[0013]图3为实施例2CSP LED的剖视图。
【具体实施方式】
[0014]下面结合说明书附图对本实用新型作进一步说明。
[0015]实施例1
[0016]如图2所示，一种CSP LED，包括半导体晶片1和荧光胶层2。所述半导体晶片1为四方体结构，半导体晶片1的顶面及四个侧面上均覆盖有荧光胶层2，荧光胶层2的底部与半导体晶片1的底部平齐。所述半导体晶片1的底部设有电极3，电极包括正电极和负电极，正电极和负电极分别位于半导体晶片1的相对两侧，电极3的内侧与半导体晶片1连接，电极3的外侧向外延伸并与侧面的荧光胶层2平齐，电极3能够遮挡半导体晶片1侧面与荧光胶层2相结合处，侧面的荧光胶底部位于电极3的上方，从而，荧光胶层2与电极之间的密封性更好。本实用新型由于电极的一侧与侧面荧光胶层一侧面平齐，增强了电极连接处的密封性，电极通过固晶胶固定在基板上后，防止部水汽能以从CSP LED的侧面进入。
[0017]实施例2
[0018]如图3所示，一种CSP LED，包括半导体晶片1和荧光胶层2。所述半导体晶片1为四方体结构，半导体晶片1的顶面及四个侧面上均覆盖有荧光胶层2，荧光胶层2的底部与半导体晶片1的底部平齐。所述半导体晶片1的底部设有电极3，电极包括正电极和负电极，正电极和负电极分别位于半导体晶片1的相对两侧，电极3的内侧与半导体晶片1连接，电极3的外侧向外延伸并凸出于侧面的焚光胶层2形成凸出部31，电极3能够遮挡半导体晶片1侧面与荧光胶层2相结合处，侧面的荧光胶底部位于电极3的上方，从而，荧光胶层2与电极之间的密封性更好。本实用新型由于电极的一侧凸出于侧面荧光胶层一侧面，增强了电极连接处的密封性，电极通过固晶胶固定在基板上后，防止部水汽能以从CSP LED的侧面进入。
【主权项】
1.一种CSP LED，包括半导体晶片和荧光胶层，所述半导体晶片为四方体结构，半导体晶片的顶面及四个侧面上均覆盖有荧光胶层，所述半导体晶片的底部设有电极，其特征在于:所述电极遮挡半导体晶片侧面与荧光胶层相结合处。2.根据权利要求1所述的一种CSPLED，其特征在于:荧光胶层的底部与半导体晶片的底部平齐。3.根据权利要求1所述的一种CSPLED，其特征在于:所述电极朝外的一侧面与侧面的荧光胶的侧面平齐。4.根据权利要求1所述的一种CSPLED，其特征在于:所述电极朝外的一侧面凸出于荧光胶层。5.根据权利要求1所述的一种CSPLED，其特征在于:所述电极包括正电极和负电极，正电极和负电极分别位于半导体晶片的相对两侧。
【专利摘要】一种CSP？LED，包括半导体晶片和荧光胶层，所述半导体晶片为四方体结构，半导体晶片的顶面及四个侧面上均覆盖有荧光胶层，所述半导体晶片的底部设有电极，所述电极遮挡半导体晶片侧面与荧光胶层相结合处。本实用新型延长电极的长度，防止外部水汽通过荧光胶与基板之间的间隙入侵到LED芯片与荧光胶结合面并在此聚集，保证不影响出光效果。<u />
【IPC分类】H01L33/50, H01L33/38
【公开号】CN205081136
【申请号】CN201520823194
【发明人】熊毅, 郭生树, 朱富斌
【申请人】广州市鸿利光电股份有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年10月23日